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IRFP4229PBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie Wichtige Parameter Optimiert für PDP Sustain Energy Recovery und Pass Switch Anwendungen

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IRFP4229PBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie Wichtige Parameter Optimiert für PDP Sustain Energy Recovery und Pass Switch Anwendungen

Markenname:	Infineon Chip
Modellnummer:	IRFP4229PBF
Mindestbestellmenge:	2500
Verpackungsdetails:	2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Dokumentieren:

Modell:

IRFP4229PBF

Produktname:

Infineon-Chip

Durch Loch

Ununterbrochener Abfluss-Strom:

Betriebstemperatur:

- 40 °C ~ + 175 °C

Verlustleistung:

310 w

Abfluss-Quelldurchbruchsspannung:

250 V

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

100000

Hervorheben:

IRFP4229PBF

IRFP4229 Infineon Chip

Pass Switch Anwendung MOSFET

Produktbeschreibung

Infineon Chip IRFP4229PBF Fortschrittliche Prozesstechnologie Wichtige Parameter Optimiert für PDP Sustain

Merkmale

Fortschrittliche Prozesstechnologie

Wichtige Parameter Optimiert für PDP Sustain, Energierückgewinnung und Pass-Schalter-Anwendungen

Niedrige EPULSE Bewertung zur Reduzierung der Verlustleistung in PDP Sustain, Energierückgewinnung und Pass-Schalter-Anwendungen

Niedrige QG für schnelle Reaktion

Hohe repetitive Spitzenstromfähigkeit für zuverlässigen Betrieb

Kurze Fall- und Anstiegszeiten für schnelles Schalten

175°C Betriebstemperatur des Sperrschicht für verbesserte Robustheit

Repetitive Lawinenkapazität für Robustheit und Zuverlässigkeit

Beschreibung

Dieser HEXFET® Leistungs-MOSFET wurde speziell für Sustain-, Energierückgewinnungs- und Pass-Schalter-Anwendungen in

Plasma-Display-Panels entwickelt. Dieser MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Durchlasswiderstand pro Silizium

Fläche und eine niedrige EPULSE Bewertung zu erzielen. Zusätzliche Merkmale dieses MOSFET sind eine Betriebstemperatur des Sperrschicht von 175°C und eine hohe

repetitive Spitzenstromfähigkeit. Diese Merkmale machen diesen MOSFET zu einem hocheffizienten, robusten und zuverlässigen

Bauteil für PDP-Treiberanwendungen

Absolute Maximalwerte

Wärmewiderstand

Elektrische Kennwerte @ TJ = 25°C (sofern nicht anders angegeben)

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

Cree-LED-Chip

ST IC-Chips

TI-Chips

LED-Chip von Bridgelux

Infineon-Chip

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LED-Lampenperlen

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LumiLEDs LED-Chip

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