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インフィニオンチップ
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IRFP4229PBF Infineon チップ 高度なプロセス技術 PDP サステインエネルギーリカバリおよびパススイッチアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ

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IRFP4229PBF Infineon チップ 高度なプロセス技術 PDP サステインエネルギーリカバリおよびパススイッチアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ
  • 名前

IRFP4229PBF Infineon チップ 高度なプロセス技術 PDP サステインエネルギーリカバリおよびパススイッチアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IRFP4229PBF
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
製品説明
詳細情報
起源の場所:
中国
書類:
infineon_irfp4229_datasheet...en.pdf
モデル:
IRFP4229PBF
製品名:
インフィニオンチップ
タイプ:
穴を通して
連続的な下水管の流れ:
44 A
動作温度:
-40℃～+175℃
消費電力:
310 w
下水管源の絶縁破壊電圧:
250V
供給の能力:
100000
ハイライト:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Infineon チップ

,

パススイッチアプリケーション MOSFET

製品説明

Infineon Chip IRFP4229PBF 高度なプロセス技術 PDPサステイン向けに最適化された主要パラメータ


特徴
高度なプロセス技術
PDPサステイン、エネルギーリカバリ、およびパススイッチアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ
低E繰り返しピーク電流能力があります。これらの機能により、このMOSFETはPDP駆動アプリケーションに非常に効率的で堅牢かつ信頼性の高いデバイスとなっています。PDPサステイン、エネルギーリカバリ、およびパススイッチアプリケーションでの電力損失を低減するための定格
低QG高速応答のため
信頼性の高い動作のための高い繰り返しピーク電流能力
高速スイッチングのための短いフォール＆ライズタイム
175℃の動作接合温度により堅牢性が向上
堅牢性と信頼性のための繰り返しアバランシェ能力

説明
このHEXFET®パワーMOSFETは、プラズマディスプレイパネルのサステイン、エネルギーリカバリ、およびパススイッチアプリケーション専用に設計されています。このMOSFETは、最新のプロセス技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を低くし、低E
PULSE
定格を実現しています。このMOSFETの追加機能として、175℃の動作接合温度と高い繰り返しピーク電流能力があります。これらの機能により、このMOSFETはPDP駆動アプリケーションに非常に効率的で堅牢かつ信頼性の高いデバイスとなっています。絶対最大定格
熱抵抗
電気的特性 @ T

IRFP4229PBF Infineon チップ 高度なプロセス技術 PDP サステインエネルギーリカバリおよびパススイッチアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ

J
IRFP4229PBF Infineon チップ 高度なプロセス技術 PDP サステインエネルギーリカバリおよびパススイッチアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ
= 25℃（特に指定がない限り）
 IRFP4229PBF Infineon チップ 高度なプロセス技術 PDP サステインエネルギーリカバリおよびパススイッチアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ

IRFP4229PBF Infineon チップ 高度なプロセス技術 PDP サステインエネルギーリカバリおよびパススイッチアプリケーション向けに最適化された主要パラメータ
タグ: 

インフィニオン パワーMOSFET  

チップ インフィニオン  

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