logo
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
Hogar
acerca de nosotros
Perfil de compañía
viaje de la fábrica
control de calidad
productos

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia
soluciones
vídeo
noticias
Éntrenos en contacto con
english english
français français
Deutsch Deutsch
Italiano Italiano
Русский Русский
Español Español
português português
Nederlandse Nederlandse
ελληνικά ελληνικά
日本語 日本語
한국 한국
polski polski
فارسی فارسی
বাংলা বাংলা
ไทย ไทย
tiếng Việt tiếng Việt
العربية العربية
हिन्दी हिन्दी
Türkçe Türkçe
indonesia indonesia
citación
hogar
acerca de nosotros
Perfil de compañía
viaje de la fábrica
control de calidad
productos

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia
soluciones
vídeo
el blog
Éntrenos en contacto con
Citación
Buen precio En línea

Detalles de los productos

Created with Pixso. Hogar Created with Pixso. Productos Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRFP4229PBF Chip Infineon Tecnología de proceso avanzada Parámetros clave optimizados para aplicaciones de recuperación de energía sostenida y conmutador de paso PDP

Todas Las Categorías

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia
Éntrenos en contacto con
Miss. alice
+86 18802688921
Contacto ahora
Todas Las Categorías

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia
IRFP4229PBF Chip Infineon Tecnología de proceso avanzada Parámetros clave optimizados para aplicaciones de recuperación de energía sostenida y conmutador de paso PDP
  • Nombre

IRFP4229PBF Chip Infineon Tecnología de proceso avanzada Parámetros clave optimizados para aplicaciones de recuperación de energía sostenida y conmutador de paso PDP

Nombre De La Marca: Infineon Chip
Número De Modelo: IRFP4229PBF
Cantidad Mínima De Pedido: 2500
Detalles De Embalaje: 2500PCS/carrete
Condiciones De Pago: T/T
Información detallada
Descripción del Producto
Información detallada
Lugar de origen:
China
Documento:
infineon_irfp4229_datasheet...en.pdf
modelo:
IRFP4229PBF
Nombre del producto:
Chip Infineon
Tipo:
A través del agujero
Corriente continua del dren:
44 A
Temperatura de funcionamiento:
- 40 ºC ~ + 175 ºC
Disipación de energía:
310 w
Voltaje de avería de la Dren-fuente:
Las demás:
Capacidad de la fuente:
100000
Resaltar:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Chip de Infineon

,

MOSFET de aplicación de interruptor de paso

Descripción del Producto

Tecnología de proceso avanzada de chip IRFP4229PBF de Infineon Parámetros clave optimizados para PDP Sustain


Características
Tecnología de proceso avanzada
Parámetros clave optimizados para aplicaciones de conmutación PDP Sustain, recuperación de energía y paso
Bajo EPULSECalificación para reducir la disipación de potencia en aplicaciones de conmutación PDP Sustain, recuperación de energía y paso
Bajo QGpara respuesta rápida
Alta capacidad de corriente pico repetitiva para una operación confiable
Tiempos cortos de caída y subida para una conmutación rápida
Temperatura de unión de operación de 175 °C para una mayor robustez
Capacidad de avalancha repetitiva para robustez y confiabilidad

Descripción
Este HEXFET®El MOSFET de potencia está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación de recuperación de energía y paso en
Paneles de visualización de plasma. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia en estado encendido por área de silicio
y baja EPULSEcalificación. Las características adicionales de este MOSFET son la temperatura de unión de operación de 175 °C y alta
capacidad de corriente pico repetitiva. Estas características se combinan para hacer de este MOSFET un dispositivo altamente eficiente, robusto y confiable
dispositivo para aplicaciones de control de PDP

IRFP4229PBF Chip Infineon Tecnología de proceso avanzada Parámetros clave optimizados para aplicaciones de recuperación de energía sostenida y conmutador de paso PDP

Clasificaciones máximas absolutas
IRFP4229PBF Chip Infineon Tecnología de proceso avanzada Parámetros clave optimizados para aplicaciones de recuperación de energía sostenida y conmutador de paso PDP
Resistencia térmica
 IRFP4229PBF Chip Infineon Tecnología de proceso avanzada Parámetros clave optimizados para aplicaciones de recuperación de energía sostenida y conmutador de paso PDP

Características eléctricas @ TJ= 25 °C (a menos que se especifique lo contrario)
IRFP4229PBF Chip Infineon Tecnología de proceso avanzada Parámetros clave optimizados para aplicaciones de recuperación de energía sostenida y conmutador de paso PDP
Etiquetas: 

Infineon potencia mosfet  

el chip infineón  

Controlador infineon pfc

Productos relacionados
SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC Microcontrolador de Chip Único de 32 bits AC-Step

SAK-TC234L-32F200F Infineon Chip AC Microcontrolador de Chip Único de 32 bits AC-Step

Consiga el mejor precio
SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC Microcontrolador de un solo chip de 32 bits AC-Step

SAK-TC233LP-32F200N Infineon Chip AC Microcontrolador de un solo chip de 32 bits AC-Step

Consiga el mejor precio
SAK-TC233LP-32F200F Chip Infineon de 32 bits con un solo chip Microcontrolador AC-Step

SAK-TC233LP-32F200F Chip Infineon de 32 bits con un solo chip Microcontrolador AC-Step

Consiga el mejor precio
SAK-TC233L-32F200N Chip Infineon Microcontrolador de Chip Único de 32 bits AC AC-Step

SAK-TC233L-32F200N Chip Infineon Microcontrolador de Chip Único de 32 bits AC AC-Step

Consiga el mejor precio
SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Microcontrolador de Chip Único Tipo Estándar con y sin HSM

SAK-TC212S-8F133SC Infineon Chip AC Microcontrolador de Chip Único Tipo Estándar con y sin HSM

Consiga el mejor precio