logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Ключевые параметры оптимизированы для применения PDP для восстановления устойчивой энергии и переключателя передачи

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Ключевые параметры оптимизированы для применения PDP для восстановления устойчивой энергии и переключателя передачи

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IRFP4229PBF
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
модель:
IRFP4229PBF
Название продукта:
Чип Инфинеон
Тип:
Через дыру
Непрерывное течение стока:
44 a
Рабочая температура:
- 40°С ~ + 175°С
Рассеяние мощности:
310 w
Пробивное напряжение Сток-источника:
250 В
Поставка способности:
100000
Выделить:

IRFP4229PBF

,

IRFP4229 Чип Infineon

,

Пропускный переключатель приложения MOSFET

Описание продукта

Чип Infineon IRFP4229PBF передовая технология процесса Ключевые параметры оптимизированы для PDP Sustain


Особенности
Передовые технологические процессы
Ключевые параметры оптимизированы для приложений PDP Sustain, Energy Recovery и Pass Switch
Низкий EПУЛСРейтинг для уменьшения расхода энергии в приложениях PDP Sustain, Energy Recovery и Pass Switch
Низкое QGдля быстрого ответа
Высокая повторяющаяся способность пикового тока для надежной работы
Короткое время падения и подъема для быстрого переключения
175°C Рабочая температура раздела для повышения прочности
Способность повторяющихся лавин к прочности и надежности

Описание
Этот HEXFET®Power MOSFET специально разработан для поддержки;
Этот MOSFET использует новейшие методы обработки для достижения низкого сопротивления на кремний
площадь и низкий EПУЛСДополнительными характеристиками этого MOSFET являются 175°C рабочая температура соединения и высокий
Эти характеристики объединяются, чтобы сделать этот MOSFET высокоэффективным, надежным и надежным
устройство для PDP-приложений управления

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Ключевые параметры оптимизированы для применения PDP для восстановления устойчивой энергии и переключателя передачи

Абсолютные максимальные рейтинги
IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Ключевые параметры оптимизированы для применения PDP для восстановления устойчивой энергии и переключателя передачи
Термостойкость
 IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Ключевые параметры оптимизированы для применения PDP для восстановления устойчивой энергии и переключателя передачи

Электрические характеристики @ TJ= 25°C (если не указано иное)
IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Ключевые параметры оптимизированы для применения PDP для восстановления устойчивой энергии и переключателя передачи