rincian produk

Rumah Produk

Chip Infineon

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications

Semua Kategori

Chip Led Daya Tinggi

Hubungi Kami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Hubungi Sekarang

Semua Kategori

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications

Nama Merek:	Infineon Chip
Nomor Model:	IRFP4229PBF
MOQ:	2500
Detail Kemasan:	2500 buah/gulungan
Ketentuan Pembayaran:	T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Tiongkok

Dokumen:

model:

IRFP4229PBF

Nama Produk:

Chip Infineon

Jenis:

Melalui lubang

Arus Tiriskan Terus Menerus:

Suhu Operasional:

- 40 °C ~ + 175 °C

Pembuangan Daya:

310 w

Tegangan Breakdown Sumber Tiriskan:

250 V

Menyediakan kemampuan:

100.000

Menyoroti:

IRFP4229PBF

IRFP4229 Infineon Chip

Pass Switch Application MOSFET

Deskripsi Produk

Infineon Chip IRFP4229PBF Teknologi Proses Lanjutan Parameter Kunci Dioptimalkan untuk PDP Sustain

Fitur

Teknologi Proses Lanjutan

Parameter Kunci Dioptimalkan untuk Aplikasi Sustain PDP, Pemulihan Energi, dan Sakelar Pass

E RendahPULSA Rating untuk Mengurangi Disipasi Daya dalam Aplikasi Sustain PDP, Pemulihan Energi, dan Sakelar Pass

Q RendahG untuk Respons Cepat

Kemampuan Arus Puncak Berulang Tinggi untuk Operasi yang Andal

Waktu Jatuh & Naik Pendek untuk Switching Cepat

Suhu Sambungan Operasi 175°C untuk Ketahanan yang Ditingkatkan

Kemampuan Longsor Berulang untuk Ketahanan dan Keandalan

Deskripsi

MOSFET Daya HEXFET® ini dirancang khusus untuk aplikasi Sakelar Sustain; Pemulihan Energi & Pass di

Panel Layar Plasma. MOSFET ini memanfaatkan teknik pemrosesan terbaru untuk mencapai resistansi on-rendah per silikon

area dan E RendahPULSA rating. Fitur tambahan MOSFET ini adalah suhu sambungan operasi 175°C dan tinggi

kemampuan arus puncak berulang. Fitur-fitur ini menggabungkan untuk membuat MOSFET ini sangat efisien, kuat, dan andal

perangkat untuk aplikasi penggerak PDP

Peringkat Maksimum Absolut

Resistansi Termal

Karakteristik Listrik @ TJ = 25°C (kecuali dinyatakan lain)

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

rincian produk

IRFP4229PBF Infineon Chip Advanced Process Technology Key Parameters Optimized for PDP Sustain Energy Recovery and Pass Switch Applications

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI