szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chip Infineona

IRF520NPBF Infineon Chip Zaawansowana Technologia Procesowa 175°C Temperatura Pracy

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

IRF520NPBF Infineon Chip Zaawansowana Technologia Procesowa 175°C Temperatura Pracy

Nazwa marki:	Infineon Chip
Numer modelu:	IRF520NPBF
MOQ:	2500
Szczegóły opakowania:	2500 sztuk / rolka
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Dokument:

model:

IRF520NPBF

Nazwa produktu:

Chip Infineona

Przez dziurę

Ciągły prąd spustowy:

9.7 A

Temperatura pracy:

-55°C ~ + 175°C

Rozpraszanie mocy:

Możliwość Supply:

100 000

Podkreślić:

IRF520NPBF

IRF520N Infineon Chip

Zaawansowany Proces MOSFET

Opis produktu

Zaawansowana technologia procesowa Infineon Chip IRF520NPBF 175°C Temperatura pracy

Zaawansowana technologia procesowa 175°C Temperatura pracy

Funkcje

• Zaawansowana technologia procesowa

• Dynamiczne znamionowe dv/dt

• 175°C Temperatura pracy

• Szybkie przełączanie

• W pełni odporne na lawinowe

• Bez ołowiu

Opis

Piąta generacja HEXFET Power MOSFET wykorzystuje zaawansowane techniki przetwarzania w celu osiągnięcia ekstremalnie niskiej rezystancji włączonej na jednostkę powierzchni krzemu. Ta korzyść, w połączeniu z szybką prędkością przełączania i wzmocnioną konstrukcją urządzenia, z których tranzystory HEXFET Power MOSFET są dobrze znane, zapewnia projektantowi niezwykle wydajne i niezawodne urządzenie do użytku w szerokiej gamie zastosowań. Pakiet TO-220 jest powszechnie preferowany do wszystkich zastosowań komercyjnych i przemysłowych przy poziomach rozpraszania mocy do około 50 watów. Niska rezystancja termiczna i niski koszt obudowy TO-220 przyczyniają się do jego szerokiego uznania w całej branży.

Maksymalne wartości znamionowe

Rezystancja termiczna

Statyczne @ T

= 25°C (chyba że określono inaczej)

Dynamiczne charakterystyki elektryczne @ T

= 25°C (chyba że określono inaczej)

Charakterystyki diody

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

IRF520NPBF Infineon Chip Zaawansowana Technologia Procesowa 175°C Temperatura Pracy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI