logo
Giá tốt  Trực tuyến

chi tiết sản phẩm

Created with Pixso. Nhà Created with Pixso. Các sản phẩm Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRF520NPBF Infineon Chip Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C

IRF520NPBF Infineon Chip Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C

Tên thương hiệu: Infineon Chip
Số mô hình: IRF520NPBF
MOQ: 2500
Chi tiết đóng gói: 2500 CÁI/cuộn
Điều khoản thanh toán: T/T
Thông tin chi tiết
Nguồn gốc:
Trung Quốc
người mẫu:
IRF520NPBF
Tên sản phẩm:
Chip Infineon
Kiểu:
Qua lỗ
Dòng xả liên tục:
9.7 A
Nhiệt độ hoạt động:
- 55°C ~ +175°C
Tản điện:
48 W
Khả năng cung cấp:
100000
Làm nổi bật:

IRF520NPBF

,

IRF520N Infineon Chip

,

MOSFET công nghệ tiên tiến

Mô tả sản phẩm

Công nghệ quy trình tiên tiến Infineon Chip IRF520NPBF Nhiệt độ hoạt động 175°C


Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C


Tính năng
• Công nghệ quy trình tiên tiến
• Đánh giá dv/dt động
• Nhiệt độ hoạt động 175°C
• Chuyển mạch nhanh
• Đánh giá Avalanche đầy đủ
• Không chì
IRF520NPBF Infineon Chip Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C

Mô tả
MOSFET Công suất HEXFET thế hệ thứ năm sử dụng các kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được điện trở bật cực thấp trên mỗi diện tích silicon.
Lợi ích này, kết hợp với tốc độ chuyển mạch nhanh và thiết kế thiết bị được gia cố mà MOSFET công suất HEXFET nổi tiếng, cung cấp cho nhà thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng.
Sử dụng trong một loạt các ứng dụng.
Gói TO-220 được ưa chuộng trên toàn cầu cho tất cả các ứng dụng thương mại-công nghiệp ở mức tiêu tán công suất lên đến khoảng 50 watt.
Điện trở nhiệt thấp và chi phí gói thấp của TO-220 góp phần vào sự chấp nhận rộng rãi của nó trong toàn ngành.
Xếp hạng Tối đa Tuyệt đối
Điện trở nhiệt

IRF520NPBF Infineon Chip Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C

Tĩnh @ T
 IRF520NPBF Infineon Chip Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C

J
IRF520NPBF Infineon Chip Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C

= 25°C (trừ khi có quy định khác)Đặc tính Diode
IRF520NPBF Infineon Chip Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C

= 25°C (trừ khi có quy định khác)Đặc tính Diode
IRF520NPBF Infineon Chip Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C

IRF520NPBF Infineon Chip Công nghệ quy trình tiên tiến Nhiệt độ hoạt động 175°C