Infineon Chip IRF520NPBF Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı
Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı
Özellikler
• Gelişmiş İşlem Teknolojisi
• Dinamik dv/dt Derecelendirmesi
• 175°C Çalışma Sıcaklığı
• Hızlı Anahtarlama
• Tamamen Çığ Dereceli
• Kurşunsuz
Açıklama
Beşinci nesil HEXFET Güç MOSFET'leri, silikon alan başına son derece düşük direnç elde etmek için gelişmiş işlem tekniklerini kullanır.
Bu fayda, hızlı anahtarlama hızı ve sağlamlaştırılmış cihaz tasarımı ile birleştiğinde, HEXFET güç MOSFET'leri iyi bilinir, tasarımcıya çok çeşitli uygulamalarda kullanım için son derece verimli ve güvenilir bir cihaz sağlar.
TO-220 paketi, yaklaşık 50 watt'a kadar güç dağılım seviyelerinde tüm ticari-endüstriyel uygulamalar için evrensel olarak tercih edilir.
TO-220'nin düşük termal direnci ve düşük paket maliyeti, endüstri genelinde geniş kabulüne katkıda bulunur.