logo
İyi fiyat  Çevrimiçi

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürün Created with Pixso.
Infineon Çip
Created with Pixso.

IRF520NPBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

IRF520NPBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

Marka Adı: Infineon Chip
Model Numarası: IRF520NPBF
Adedi: 2500
Paketleme Detayları: 2500 adet/makara
Ödeme Koşulları: T/T
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Çin
modeli:
IRF520NPBF
Ürün adı:
Infineon Çip
Tip:
Delikten
Sürekli Tahliye Akımı:
9.7 A
Çalışma Sıcaklığı:
- 55 °C ~ + 175 °C
Güç Dağılımı:
48 W
Yetenek temini:
100000
Vurgulamak:

IRF520NPBF

,

IRF520N Infineon Çip

,

Gelişmiş İşlem MOSFET

Ürün Açıklaması

Infineon Chip IRF520NPBF Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı


Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı


Özellikler
• Gelişmiş İşlem Teknolojisi
• Dinamik dv/dt Derecelendirmesi
• 175°C Çalışma Sıcaklığı
• Hızlı Anahtarlama
• Tamamen Çığ Dereceli
• Kurşunsuz
IRF520NPBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

Açıklama
Beşinci nesil HEXFET Güç MOSFET'leri, silikon alan başına son derece düşük direnç elde etmek için gelişmiş işlem tekniklerini kullanır.
Bu fayda, hızlı anahtarlama hızı ve sağlamlaştırılmış cihaz tasarımı ile birleştiğinde, HEXFET güç MOSFET'leri iyi bilinir, tasarımcıya çok çeşitli uygulamalarda kullanım için son derece verimli ve güvenilir bir cihaz sağlar.
TO-220 paketi, yaklaşık 50 watt'a kadar güç dağılım seviyelerinde tüm ticari-endüstriyel uygulamalar için evrensel olarak tercih edilir.
TO-220'nin düşük termal direnci ve düşük paket maliyeti, endüstri genelinde geniş kabulüne katkıda bulunur.
Mutlak Maksimum Derecelendirme
Termal Direnç
Statik @ T

IRF520NPBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

J
 IRF520NPBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

= 25°C (belirtilmedikçe)
IRF520NPBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

Dinamik Elektriksel Karakteristikler @ T
IRF520NPBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

Diyot Karakteristikleri
IRF520NPBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı

IRF520NPBF Infineon Çip Gelişmiş İşlem Teknolojisi 175°C Çalışma Sıcaklığı