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Puce Infineon
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Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C

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Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C
  • Nom

Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C

Nom De La Marque: Infineon Chip
Numéro De Modèle: IRF520NPBF
Quantité Minimale De Commande: 2500
Détails De L'emballage: 2500 pièces/bobine
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Description du produit
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Documents:
infineon_irf520n_datasheet_...en.pdf
modèle:
IRF520NPBF
Nom du produit:
Puce Infineon
Taper:
Par le trou
Courant continu de drain:
9,7 A
Température de fonctionnement:
- 55 °C ~ + 175 °C
Dissipation de puissance:
48W
Capacité d'approvisionnement:
100000
Mettre en évidence:

IRF520NPBF

,

Puce Infineon IRF520N

,

MOSFET à technologie de processus avancée

Description du produit

Technologie de processus avancée Infineon Chip IRF520NPBF Température de fonctionnement 175°C


Technologie de processus avancée Température de fonctionnement 175°C


Caractéristiques
• Technologie de processus avancée
• Indice de commutation dv/dt dynamique
• Température de fonctionnement 175°C
• Commutation rapide
• Entièrement classé avalanche
• Sans plomb
Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C

Description
Les MOSFET de puissance HEXFET de cinquième génération utilisent des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste du dispositif pour lesquelles les MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, offre au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le boîtier TO-220 est universellement préféré pour toutes les applications commerciales et industrielles à des niveaux de dissipation de puissance allant jusqu'à environ 50 watts. La faible résistance thermique et le faible coût du boîtier TO-220 contribuent à son acceptation généralisée dans l'industrie.
Caractéristiques électriques maximales absolues
Résistance thermique
Statique @ T
J
= 25°C (sauf indication contraire)
Caractéristiques électriques dynamiques @ T

Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C

J
 Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C

= 25°C (sauf indication contraire)
Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C

Caractéristiques de la diode
Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C

Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C

Technologie de processus avancée de puce Infineon IRF520NPBF, température de fonctionnement de 175 °C

Balises: 

mosfet de puissance infineon  

puce infineon  

contrôleur pfc infineon

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