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dettagli dei prodotti

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Chip Infineon
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IRF520NPBF Infineon Chip Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento

IRF520NPBF Infineon Chip Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento

Marchio: Infineon Chip
Numero di modello: IRF520NPBF
MOQ: 2500
Dettagli dell'imballaggio: 2500 pezzi/bobina
Termini di pagamento: T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Cina
modello:
IRF520NPBF
Nome del prodotto:
Chip Infineon
Tipo:
Attraverso il buco
Corrente continua dello scolo:
9,7 A
Temperatura operativa:
-55°C~+175°C
Dissipazione di potenza:
48 W
Capacità di alimentazione:
100000
Evidenziare:

IRF520NPBF

,

IRF520N Infineon Chip

,

MOSFET di processo avanzato

Descrizione del prodotto

Infineon Chip IRF520NPBF Tecnologia di processo avanzata Temperatura operativa 175°C


Tecnologia di processo avanzata Temperatura operativa 175°C


Caratteristiche
• Tecnologia di processo avanzata
• Valutazione dinamica dv/dt
• Temperatura operativa 175°C
• Commutazione rapida
• Completamente valutato per valanga
• Senza piombo
IRF520NPBF Infineon Chip Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento

Descrizione
I MOSFET di potenza HEXFET di quinta generazione utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza on estremamente bassa per area di silicio. Questo vantaggio, combinato con la velocità di commutazione rapida e il design robusto del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il package TO-220 è universalmente preferito per tutte le applicazioni commerciali-industriali a livelli di dissipazione di potenza fino a circa 50 watt. La bassa resistenza termica e il basso costo del package TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto il settore.
Valutazione massima assoluta
Resistenza termica
Statico @ T
J
= 25°C (se non diversamente specificato)
Caratteristiche elettriche dinamiche @ T

IRF520NPBF Infineon Chip Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento

J
 IRF520NPBF Infineon Chip Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento

= 25°C (se non diversamente specificato)
IRF520NPBF Infineon Chip Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento

Caratteristiche del diodo
IRF520NPBF Infineon Chip Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento

IRF520NPBF Infineon Chip Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento

IRF520NPBF Infineon Chip Tecnologia avanzata di processo 175°C Temperatura di funzionamento