Name: IRF520NPBF Chip Infineon Tecnología de proceso avanzada 175°C Temperatura de funcionamiento
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRF520NPBF
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Infineon Chip
Número De Modelo:	IRF520NPBF
Cantidad Mínima De Pedido:	2500
Detalles De Embalaje:	2500PCS/carrete
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Documento:

infineon_irf520n_datasheet_...en.pdf

modelo:

IRF520NPBF

Nombre del producto:

Chip Infineon

Tipo:

A través del agujero

Corriente continua del dren:

9,7 A

Temperatura de funcionamiento:

-55°C ~ +175°C

Disipación de energía:

48W

Capacidad de la fuente:

100000

Resaltar:

IRF520NPBF

El chip IRF520N de Infineon

MOSFET de proceso avanzado

Descripción del Producto

Tecnología de proceso avanzada Infineon Chip IRF520NPBF 175°C Temperatura de funcionamiento

Tecnología de proceso avanzada 175°C Temperatura de funcionamiento

Características

• Tecnología de proceso avanzada

• Calificación dinámica dv/dt

• 175°C Temperatura de funcionamiento

• Conmutación rápida

• Totalmente clasificado para avalancha

• Sin plomo

Descripción

Los MOSFET de potencia HEXFET de quinta generación utilizan técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio.

Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por el que los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

El paquete TO-220 es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales e industriales a niveles de disipación de potencia de hasta aproximadamente 50 vatios.

La baja resistencia térmica y el bajo costo del paquete TO-220 contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

Clasificación Máxima Absoluta

Resistencia Térmica

Estática @ T

= 25°C (a menos que se especifique lo contrario)

Características Eléctricas Dinámicas @ T

Características del Diodo

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

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Chip LED SEOUL

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Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

Detalles de los productos

IRF520NPBF Chip Infineon Tecnología de proceso avanzada 175°C Temperatura de funcionamiento

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

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