logo
ราคาดี  ออนไลน์

รายละเอียดสินค้า

Created with Pixso. บ้าน Created with Pixso. สินค้า Created with Pixso.
อินฟิเนียนชิป
Created with Pixso.

IRF520NPBF Infineon ชิป เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

IRF520NPBF Infineon ชิป เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

ชื่อแบรนด์: Infineon Chip
หมายเลขรุ่น: IRF520NPBF
ขั้นต่ำ: 2500
รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: 2500 ชิ้น/รีล
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที
ข้อมูลรายละเอียด
สถานที่กำเนิด:
จีน
แบบอย่าง:
IRF520NPBF
ชื่อสินค้า:
อินฟิเนียนชิป
พิมพ์:
ผ่านรู
กระแสเดรนต่อเนื่อง:
9.7 ก
อุณหภูมิในการทำงาน:
- 55 องศาเซลเซียส ~ + 175 องศาเซลเซียส
การกระจายพลังงาน:
48 ว
สามารถในการผลิต:
100000
เน้น:

IRF520NPBF

,

IRF520N Infineon ชิป

,

MOSFET กระบวนการขั้นสูง

รายละเอียดสินค้า

ชิป Infineon IRF520NPBF เทคโนโลยีการประมวลผลขั้นสูง อุณหภูมิการทำงาน 175°C


เทคโนโลยีการประมวลผลขั้นสูง อุณหภูมิการทำงาน 175°C


คุณสมบัติ
• เทคโนโลยีการประมวลผลขั้นสูง
• อัตรา dv/dt แบบไดนามิก
• อุณหภูมิการทำงาน 175°C
• การสลับที่รวดเร็ว
• ได้รับการจัดอันดับ Avalanche เต็มรูปแบบ
• ปราศจากสารตะกั่ว
IRF520NPBF Infineon ชิป เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

คำอธิบาย
HEXFET Power MOSFET รุ่นที่ห้าใช้เทคนิคการประมวลผลขั้นสูงเพื่อให้ได้ความต้านทานต่ำมากต่อพื้นที่ซิลิคอน ประโยชน์นี้รวมกับความเร็วในการสลับที่รวดเร็วและการออกแบบอุปกรณ์ที่ทนทานซึ่ง HEXFET power MOSFETs เป็นที่รู้จักกันดี ให้ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือสูงแก่ผู้ออกแบบสำหรับใช้ในแอปพลิเคชันที่หลากหลาย
แพ็คเกจ TO-220 เป็นที่นิยมใช้กันทั่วไปสำหรับแอปพลิเคชันเชิงพาณิชย์และอุตสาหกรรมทั้งหมดที่ระดับการกระจายพลังงานสูงถึงประมาณ 50 วัตต์ ความต้านทานความร้อนต่ำและต้นทุนแพ็คเกจต่ำของ TO-220 มีส่วนช่วยในการยอมรับอย่างกว้างขวางในอุตสาหกรรม
การให้คะแนนสูงสุดสัมบูรณ์
ความต้านทานความร้อน
สถิติ @ T
J
= 25°C (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)

IRF520NPBF Infineon ชิป เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

ลักษณะทางไฟฟ้าแบบไดนามิก @ T
 IRF520NPBF Infineon ชิป เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

J
IRF520NPBF Infineon ชิป เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

= 25°C (เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
IRF520NPBF Infineon ชิป เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

IRF520NPBF Infineon ชิป เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C

IRF520NPBF Infineon ชิป เทคโนโลยีการผลิตขั้นสูง อุณหภูมิใช้งาน 175°C