Infineon Chip IRF520NPBF উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা
উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা
বৈশিষ্ট্য
• উন্নত প্রক্রিয়া প্রযুক্তি
• ডাইনামিক dv/dt রেটিং
• 175°C অপারেটিং তাপমাত্রা
• দ্রুত সুইচিং
• সম্পূর্ণ অ্যাভাল্যাঞ্চ রেট করা
• সীসা-মুক্ত
বর্ণনা
পঞ্চম প্রজন্মের HEXFET পাওয়ার MOSFETs অত্যন্ত কম অন-রেজিস্ট্যান্স প্রতি সিলিকন এলাকা অর্জনের জন্য উন্নত প্রক্রিয়াকরণ কৌশল ব্যবহার করে। এই সুবিধা, দ্রুত সুইচিং গতি এবং রুক্ষ ডিভাইস ডিজাইনের সাথে মিলিত যা HEXFET পাওয়ার MOSFETs সুপরিচিত, ডিজাইনারকে অত্যন্ত দক্ষ এবং নির্ভরযোগ্য ডিভাইস সরবরাহ করে বিভিন্ন অ্যাপ্লিকেশনে ব্যবহারের জন্য। TO-220 প্যাকেজটি প্রায় 50 ওয়াট পর্যন্ত পাওয়ার ডিসিপেশন স্তরে সমস্ত বাণিজ্যিক-শিল্প অ্যাপ্লিকেশনগুলির জন্য সর্বজনীনভাবে পছন্দসই। TO-220 এর কম থার্মাল রেজিস্ট্যান্স এবং কম প্যাকেজ খরচ শিল্প জুড়ে এর ব্যাপক গ্রহণযোগ্যতায় অবদান রাখে।