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Einzelheiten zu den Produkten

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Infineon-Chip
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IRF520NPBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

IRF520NPBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

Markenname: Infineon Chip
Modellnummer: IRF520NPBF
Mindestbestellmenge: 2500
Verpackungsdetails: 2500 Stück/Rolle
Zahlungsbedingungen: T/T
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Modell:
IRF520NPBF
Produktname:
Infineon-Chip
Typ:
Durch Loch
Ununterbrochener Abfluss-Strom:
9,7 A
Betriebstemperatur:
- 55 °C ~ + 175 °C
Verlustleistung:
48 W
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100000
Hervorheben:

IRF520NPBF

,

IRF520N Infineon Chip

,

Fortschrittlicher Prozess MOSFET

Produktbeschreibung

Infineon Chip IRF520NPBF Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur


Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur


Merkmale
• Fortschrittliche Prozesstechnologie
• Dynamische dv/dt-Bewertung
• 175°C Betriebstemperatur
• Schnelles Schalten
• Vollständig lawinenbelastbar
• Bleifrei
IRF520NPBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

Beschreibung
Fünfte Generation HEXFET Power MOSFETs nutzt fortschrittliche Prozesstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erzielen.
Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Leistungs-MOSFETs sind bekannt, bietet dem Designer ein extrem effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen von bis zu ca. 50 Watt bevorzugt.
Der niedrige thermische Widerstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.
Absolute Maximalwerte
Thermischer Widerstand

IRF520NPBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

Statisch bei T
 IRF520NPBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

J
IRF520NPBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

= 25°C (sofern nicht anders angegeben)Diodeneigenschaften
IRF520NPBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

= 25°C (sofern nicht anders angegeben)Diodeneigenschaften
IRF520NPBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur

IRF520NPBF Infineon Chip Fortschrittliche Prozesstechnologie 175°C Betriebstemperatur