Name: Tecnologia de Processo Avançada IRF520NPBF Infineon Chip Temperatura de Operação de 175°C
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRF520NPBF
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Infineon Chip
Número do modelo:	IRF520NPBF
Quantidade mínima:	2500
Detalhes da embalagem:	2500 unidades/carretel
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Documento:

infineon_irf520n_datasheet_...en.pdf

modelo:

IRF520NPBF

Nome do produto:

Chip Infineon

Tipo:

Através do buraco

Corrente contínua do dreno:

9,7 A

Temperatura operacional:

- 55 °C ~ + 175 °C

Dissipação de energia:

48 W

Habilidade da fonte:

100.000

Destacar:

IRF520NPBF

Chip IRF520N Infineon

MOSFET de Processo Avançado

Descrição do produto

Infineon Chip IRF520NPBF Tecnologia avançada de processo 175°C Temperatura de funcionamento

Tecnologia avançada de processo Temperatura de funcionamento 175°C

Características

•Tecnologia avançada de processo

•Classificação dinâmica dv/dt

•Temperatura de funcionamento 175°C

•Troca rápida

•Totalmente classificado como avalanche

•Sem chumbo

Descrição

A quinta geração de HEXFET Power MOSFETs utiliza as técnicas de processamento avançadas para alcançar um consumo extremamente baixo de energia.

Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o design robusto do dispositivo que

O MOSFETs são bem conhecidos, fornece ao designer um dispositivo extremamente eficiente e confiável para

utilização numa grande variedade de aplicações.

O pacote TO-220 é universalmente preferido para todas as aplicações comerciais e industriais em níveis de dissipação de energia para

A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-220 contribuem para a sua ampla gama de aplicações.

A aceitação por toda a indústria.

Classificação máxima absoluta

Resistência térmica

Estático @ TJ= 25°C (salvo especificação em contrário)

Características eléctricas dinâmicas @ TJ= 25°C (salvo especificação em contrário)

Características dos diodos

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

detalhes dos produtos

Tecnologia de Processo Avançada IRF520NPBF Infineon Chip Temperatura de Operação de 175°C

CHIP LED OSRAM

Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

Chips de TI

Chipe LED Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

Grânulos da lâmpada do diodo emissor de luz

Chips IC da SAMSUNG

Chips de mícron

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLEDs

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chips ONsemi

Chips ADI

Contas de LED TSLC Semileds

Chip LED de alta potência

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Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

Chips IC ST

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