Name: IRF520NPBF Infineon 칩 고급 공정 기술 175°C 작동 온도
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: IRF520NPBF
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Infineon Chip
모델 번호:	IRF520NPBF
MOQ:	2500
포장 세부사항:	2500PCS/릴
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국

문서:

infineon_irf520n_datasheet_...en.pdf

모델:

IRF520NPBF

제품명:

인피니언 칩

유형:

구멍을 통해

연속배수 경향:

9.7 A

작동 온도:

- 55°C ~ + 175°C

전력 소비:

48W

공급 능력:

100000

강조하다:

IRF520NPBF

IRF520N Infineon 칩

고급 공정 MOSFET

제품 설명

Infineon Chip IRF520NPBF 고급 공정 기술 175°C 작동 온도

고급 공정 기술 175°C 작동 온도

특징

• 고급 공정 기술

• 동적 dv/dt 정격

• 175°C 작동 온도

• 고속 스위칭

• 완전 애벌랜치 정격

• 무연

설명

5세대 HEXFET 전력 MOSFET은 고급 처리 기술을 활용하여 실리콘 면적당 매우 낮은 온 저항을 달성합니다. 이점은 빠른 스위칭 속도와 견고한 장치 설계와 결합되어 HEXFET 전력 MOSFET은 매우 효율적이고 안정적인 장치를 제공하여 다양한 응용 분야에 사용할 수 있습니다.

TO-220 패키지는 50와트 정도의 전력 소산 레벨에서 모든 상업용-산업용 응용 분야에 보편적으로 선호됩니다. TO-220의 낮은 열 저항과 낮은 패키지 비용은 업계 전반에 걸쳐 널리 채택되는 데 기여합니다.

절대 최대 정격

열 저항

정적 @ T

= 25°C (별도 명시되지 않은 경우)

동적 전기적 특성 @ T

= 25°C (별도 명시되지 않은 경우)

태그: