details van de producten

Huis Producten

Infineon-chip

IRF520NPBF Infineon Chip Geavanceerde Procestechnologie 175°C Bedrijfstemperatuur

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

IRF520NPBF Infineon Chip Geavanceerde Procestechnologie 175°C Bedrijfstemperatuur

Merknaam:	Infineon Chip
Modelnummer:	IRF520NPBF
MOQ:	2500
Verpakkingsdetails:	2500 STKS/spoel
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Document:

model:

IRF520NPBF

Productnaam:

Infineon-chip

Type:

Door gat

Ononderbroken Afvoerkanaalstroom:

9.7 A

Bedrijfstemperatuur:

- 55 °C ~ + 175 °C

Vermogensdissipatie:

Levering vermogen:

100000

Markeren:

IRF520NPBF

IRF520N Infineon Chip

Geavanceerde Proces MOSFET

Productbeschrijving

Infineon Chip IRF520NPBF Geavanceerde Procestechnologie 175°C Bedrijfstemperatuur

Geavanceerde Procestechnologie 175°C Bedrijfstemperatuur

Functies

• Geavanceerde Procestechnologie

• Dynamische dv/dt-classificatie

• 175°C Bedrijfstemperatuur

• Snelle Schakeling

• Volledig Avalanche-geclassificeerd

• Loodvrij

Beschrijving

Vijfde generatie HEXFET Power MOSFETs maakt gebruik van geavanceerde procestechnieken om extreem lage aan

weerstand per siliciumoppervlak te bereiken. Dit voordeel, gecombineerd met de snelle schakelsnelheid en het robuuste apparaatontwerp waar

HEXFET power MOSFETs bekend om staan, biedt de ontwerper een extreem efficiënt en betrouwbaar apparaat voor

gebruik in een breed scala aan toepassingen.

Het TO-220-pakket wordt universeel geprefereerd voor alle commerciële en industriële toepassingen bij vermogensdissipatieniveaus tot

ongeveer 50 watt. De lage thermische weerstand en de lage pakketkosten van de TO-220 dragen bij aan de brede

acceptatie ervan in de industrie.

Absolute Maximale Beoordeling

Thermische Weerstand

Statisch @ TJ = 25°C (tenzij anders gespecificeerd)

Dynamische Elektrische Kenmerken @ TJ = 25°C (tenzij anders gespecificeerd)

Diode Kenmerken

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

IRF520NPBF Infineon Chip Geavanceerde Procestechnologie 175°C Bedrijfstemperatuur

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips