تکنولوژی پیشرفته فرآیند دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
ویژگی ها
• تکنولوژی پیشرفته فرآیند
• رتبه بندی دینامیکی dv/dt
• دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
• سوئیچینگ سریع
• کاملاً دارای رتبه بهمنی
• بدون سرب
توضیحات
نسل پنجم MOSFET های قدرت HEXFET از تکنیک های پردازش پیشرفته برای دستیابی به مقاومت بسیار کم در هر ناحیه سیلیکونی استفاده می کند.
این مزیت، همراه با سرعت سوئیچینگ سریع و طراحی دستگاه مقاوم که MOSFET های قدرت HEXFET به خوبی برای آن شناخته شده اند، یک دستگاه بسیار کارآمد و قابل اعتماد را برای طراحان فراهم می کند.
برای استفاده در طیف گسترده ای از برنامه ها.
بسته TO-220 به طور جهانی برای تمام برنامه های تجاری-صنعتی در سطوح اتلاف توان تا حدود 50 وات ترجیح داده می شود.
مقاومت حرارتی پایین و هزینه کم بسته TO-220 به پذیرش گسترده آن در سراسر صنعت کمک می کند.
حداکثر درجه مطلق
مقاومت حرارتی
استاتیک @ T
J
= 25 درجه سانتیگراد (مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد)مشخصات دیود
= 25 درجه سانتیگراد (مگر اینکه در غیر این صورت مشخص شده باشد)مشخصات دیود