Infineon चिप IRF520NPBF एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी 175°C ऑपरेटिंग तापमान
एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी 175°C ऑपरेटिंग तापमान
विशेषताएं
• एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी
• डायनामिक dv/dt रेटिंग
• 175°C ऑपरेटिंग तापमान
• फास्ट स्विचिंग
• पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
• सीसा-मुक्त
विवरण
पांचवीं पीढ़ी के हेक्सफेट पावर MOSFETs अत्यंत कम ऑन-रेसिस्टेंस प्रति सिलिकॉन क्षेत्र प्राप्त करने के लिए उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करते हैं। यह लाभ, तेज स्विचिंग गति और मजबूत डिवाइस डिजाइन के साथ संयुक्त है जिसके लिए हेक्सफेट पावर MOSFETs अच्छी तरह से जाने जाते हैं, डिजाइनर को विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय डिवाइस प्रदान करता है।
TO-220 पैकेज सार्वभौमिक रूप से लगभग 50 वाट तक की पावर डिसिपेशन स्तरों पर सभी वाणिज्यिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए पसंद किया जाता है। TO-220 का कम थर्मल प्रतिरोध और कम पैकेज लागत उद्योग में इसकी व्यापक स्वीकृति में योगदान करती है।