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उत्पादों का विवरण

Created with Pixso. घर Created with Pixso. उत्पाद Created with Pixso.
इन्फिनियन चिप
Created with Pixso.

IRF520NPBF Infineon चिप उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

IRF520NPBF Infineon चिप उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

ब्रांड का नाम: Infineon Chip
मॉडल नंबर: आईआरएफ520एनपीबीएफ
MOQ: 2500
पैकेजिंग विवरण: 2500PCS/रील
भुगतान की शर्तें: टी/टी
विस्तृत जानकारी
उत्पत्ति के प्लेस:
चीन
दस्तावेज:
नमूना:
आईआरएफ520एनपीबीएफ
प्रोडक्ट का नाम:
इन्फिनियन चिप
प्रकार:
होल के माध्यम से
निरंतर नाली वर्तमान:
9.7 ए
परिचालन तापमान:
- 55 डिग्री सेल्सियस ~ + 175 डिग्री सेल्सियस
शक्ति का अपव्यय:
48 डब्ल्यू
आपूर्ति की क्षमता:
100000
प्रमुखता देना:

आईआरएफ520एनपीबीएफ

,

IRF520N Infineon चिप

,

उन्नत प्रक्रिया एमओएसएफईटी

उत्पाद वर्णन

Infineon चिप IRF520NPBF एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी 175°C ऑपरेटिंग तापमान


एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी 175°C ऑपरेटिंग तापमान


विशेषताएं
• एडवांस्ड प्रोसेस टेक्नोलॉजी
• डायनामिक dv/dt रेटिंग
• 175°C ऑपरेटिंग तापमान
• फास्ट स्विचिंग
• पूरी तरह से हिमस्खलन रेटेड
• सीसा-मुक्त
IRF520NPBF Infineon चिप उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

विवरण
पांचवीं पीढ़ी के हेक्सफेट पावर MOSFETs अत्यंत कम ऑन-रेसिस्टेंस प्रति सिलिकॉन क्षेत्र प्राप्त करने के लिए उन्नत प्रसंस्करण तकनीकों का उपयोग करते हैं। यह लाभ, तेज स्विचिंग गति और मजबूत डिवाइस डिजाइन के साथ संयुक्त है जिसके लिए हेक्सफेट पावर MOSFETs अच्छी तरह से जाने जाते हैं, डिजाइनर को विभिन्न प्रकार के अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एक अत्यंत कुशल और विश्वसनीय डिवाइस प्रदान करता है।
TO-220 पैकेज सार्वभौमिक रूप से लगभग 50 वाट तक की पावर डिसिपेशन स्तरों पर सभी वाणिज्यिक-औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए पसंद किया जाता है। TO-220 का कम थर्मल प्रतिरोध और कम पैकेज लागत उद्योग में इसकी व्यापक स्वीकृति में योगदान करती है।
पूर्ण अधिकतम रेटिंग
थर्मल प्रतिरोध
स्थैतिक @ T
J
= 25°C (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो)

IRF520NPBF Infineon चिप उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

डायनामिक इलेक्ट्रिकल कैरेक्टरिस्टिक्स @ T
 IRF520NPBF Infineon चिप उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

J
IRF520NPBF Infineon चिप उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

= 25°C (जब तक अन्यथा निर्दिष्ट न हो)
IRF520NPBF Infineon चिप उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

IRF520NPBF Infineon चिप उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान

IRF520NPBF Infineon चिप उन्नत प्रक्रिया प्रौद्योगिकी 175°C ऑपरेटिंग तापमान