Teknologi Proses Lanjutan Infineon Chip IRF520NPBF Suhu Operasi 175°C
Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C
Fitur
• Teknologi Proses Lanjutan
• Peringkat dv/dt Dinamis
• Suhu Operasi 175°C
• Pengalihan Cepat
• Sepenuhnya Dinilai Longsor
• Bebas Timbal
Deskripsi
MOSFET Daya HEXFET generasi kelima menggunakan teknik pemrosesan canggih untuk mencapai resistansi on-resistance yang sangat rendah per area silikon. Manfaat ini, dikombinasikan dengan kecepatan pengalihan yang cepat dan desain perangkat yang diperkuat yang terkenal dari MOSFET daya HEXFET, memberikan desainer perangkat yang sangat efisien dan andal untuk digunakan dalam berbagai aplikasi. Paket TO-220 secara universal lebih disukai untuk semua aplikasi komersial-industri pada tingkat disipasi daya hingga sekitar 50 watt. Resistansi termal yang rendah dan biaya paket yang rendah dari TO-220 berkontribusi pada penerimaannya yang luas di seluruh industri.