logo
Harga bagus  On line

rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Chip Infineon
Created with Pixso.

IRF520NPBF Infineon Chip Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

IRF520NPBF Infineon Chip Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

Nama Merek: Infineon Chip
Nomor Model: IRF520NPBF
MOQ: 2500
Detail Kemasan: 2500 buah/gulungan
Ketentuan Pembayaran: T/T
Informasi Rinci
Tempat asal:
Tiongkok
model:
IRF520NPBF
Nama Produk:
Chip Infineon
Jenis:
Melalui lubang
Arus Tiriskan Terus Menerus:
9.7 A
Suhu Operasional:
- 55 °C ~ + 175 °C
Pembuangan Daya:
48 W
Menyediakan kemampuan:
100.000
Menyoroti:

IRF520NPBF

,

IRF520N Infineon Chip

,

MOSFET Proses Lanjutan

Deskripsi Produk

Teknologi Proses Lanjutan Infineon Chip IRF520NPBF Suhu Operasi 175°C


Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C


Fitur
• Teknologi Proses Lanjutan
• Peringkat dv/dt Dinamis
• Suhu Operasi 175°C
• Pengalihan Cepat
• Sepenuhnya Dinilai Longsor
• Bebas Timbal
IRF520NPBF Infineon Chip Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

Deskripsi
MOSFET Daya HEXFET generasi kelima menggunakan teknik pemrosesan canggih untuk mencapai resistansi on-resistance yang sangat rendah per area silikon. Manfaat ini, dikombinasikan dengan kecepatan pengalihan yang cepat dan desain perangkat yang diperkuat yang terkenal dari MOSFET daya HEXFET, memberikan desainer perangkat yang sangat efisien dan andal untuk digunakan dalam berbagai aplikasi. Paket TO-220 secara universal lebih disukai untuk semua aplikasi komersial-industri pada tingkat disipasi daya hingga sekitar 50 watt. Resistansi termal yang rendah dan biaya paket yang rendah dari TO-220 berkontribusi pada penerimaannya yang luas di seluruh industri.
Peringkat Maksimum Absolut
Resistansi Termal
Statis @ T
J
= 25°C (kecuali dinyatakan lain)
Karakteristik Listrik Dinamis @ T

IRF520NPBF Infineon Chip Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

J
 IRF520NPBF Infineon Chip Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

= 25°C (kecuali dinyatakan lain)
IRF520NPBF Infineon Chip Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

Karakteristik Dioda
IRF520NPBF Infineon Chip Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

IRF520NPBF Infineon Chip Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C

IRF520NPBF Infineon Chip Teknologi Proses Lanjutan Suhu Operasi 175°C