logo
Хорошая цена  Онлайн

Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Чип Инфинеон
Created with Pixso.

IRF520NPBF Infineon Чип Передовая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

IRF520NPBF Infineon Чип Передовая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

Название бренда: Infineon Chip
Номер модели: IRF520NPBF
минимальный заказ: 2500
Детали упаковки: 2500 шт./катушка
Условия оплаты: Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Китай
модель:
IRF520NPBF
Название продукта:
Чип Инфинеон
Тип:
Через дыру
Непрерывное течение стока:
9,7 a
Рабочая температура:
- 55°С ~ + 175°С
Рассеяние мощности:
48 Вт
Поставка способности:
100000
Выделить:

IRF520NPBF

,

IRF520N Infineon Чип

,

Передовой Процесс MOSFET

Описание продукта

IRF520NPBF от Infineon, технология усовершенствованного техпроцесса, рабочая температура 175°C


Технология усовершенствованного техпроцесса, рабочая температура 175°C


Особенности
• Технология усовершенствованного техпроцесса
• Динамический рейтинг dv/dt
• Рабочая температура 175°C
• Быстрое переключение
• Полностью лавинно-стойкий
• Без свинца
IRF520NPBF Infineon Чип Передовая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

Описание
Пятая серия HEXFET Power MOSFET использует передовые методы обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления во включенном состоянии на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны силовые MOSFET-транзисторы HEXFET, обеспечивает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в широком спектре применений. Корпус TO-220 универсально предпочтителен для всех коммерческих и промышленных применений при уровнях рассеиваемой мощности до примерно 50 Вт. Низкое тепловое сопротивление и низкая стоимость корпуса TO-220 способствуют его широкому признанию в отрасли.
Максимальные абсолютные параметры
Тепловое сопротивление
Статические параметры @ T
J
= 25°C (если не указано иное)
Динамические электрические характеристики @ T

IRF520NPBF Infineon Чип Передовая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

J
 IRF520NPBF Infineon Чип Передовая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

= 25°C (если не указано иное)
IRF520NPBF Infineon Чип Передовая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

Характеристики диода
IRF520NPBF Infineon Чип Передовая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

IRF520NPBF Infineon Чип Передовая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C

IRF520NPBF Infineon Чип Передовая Технология Процесса Рабочая Температура 175°C