λεπτομέρειες προϊόντων

Σπίτι Προϊόντα

Infineon Chip

IRF520NPBF Infineon Chip Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

Μας ελάτε σε επαφή με

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Επαφή τώρα

Όλες οι κατηγορίες

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

IRF520NPBF Infineon Chip Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

Επωνυμία:	Infineon Chip
Αριθμός μοντέλου:	IRF520NPBF
MOQ:	2500
Λεπτομέρειες συσκευασίας:	2500 ΤΕΜ/κύλινδρο
Όροι πληρωμής:	T/T

Λεπτομέρειες

Περιγραφή προϊόντος

Λεπτομέρειες

Τόπος καταγωγής:

Έγγραφο:

μοντέλο:

IRF520NPBF

Όνομα προϊόντος:

Infineon Chip

Τύπος:

Με τρύπα

Συνεχές ρεύμα αγωγών:

9.7 Α

Θερμοκρασία λειτουργίας:

- 55 °C ~ + 175 °C

Διαρροή Ισχύος:

Δυνατότητα προσφοράς:

100000

Επισημαίνω:

IRF520NPBF

IRF520N Infineon Chip

Advanced Process MOSFET

Περιγραφή προϊόντος

Infineon Chip IRF520NPBF Προηγμένη Τεχνολογία Επεξεργασίας 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

Προηγμένη Τεχνολογία Επεξεργασίας 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

Χαρακτηριστικά

• Προηγμένη Τεχνολογία Επεξεργασίας

• Δυναμική Βαθμολογία dv/dt

• 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

• Γρήγορη Μεταγωγή

• Πλήρως Ονομαστική Χιονοστιβάδα

• Χωρίς Μόλυβδο

Περιγραφή

Τα HEXFET Power MOSFETs πέμπτης γενιάς χρησιμοποιούν προηγμένες τεχνικές επεξεργασίας για να επιτύχουν εξαιρετικά χαμηλή αντίσταση εντός περιοχής πυριτίου.

Αυτό το όφελος, σε συνδυασμό με την ταχύτητα γρήγορης μεταγωγής και τον στιβαρό σχεδιασμό της συσκευής για τον οποίο τα

HEXFET power MOSFETs είναι ευρέως γνωστά, παρέχει στον σχεδιαστή μια εξαιρετικά αποδοτική και αξιόπιστη συσκευή για

χρήση σε μια ευρεία ποικιλία εφαρμογών.

Το πακέτο TO-220 προτιμάται καθολικά για όλες τις εμπορικές-βιομηχανικές εφαρμογές σε επίπεδα διάχυσης ισχύος έως

περίπου 50 watt. Η χαμηλή θερμική αντίσταση και το χαμηλό κόστος πακέτου του TO-220 συμβάλλουν στην ευρεία

αποδοχή του στη βιομηχανία.

Απόλυτη Μέγιστη Βαθμολογία

Θερμική Αντίσταση

Στατική @ TJ = 25°C (εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

Δυναμικά Ηλεκτρικά Χαρακτηριστικά @ TJ = 25°C (εκτός αν ορίζεται διαφορετικά)

Χαρακτηριστικά Διόδου

Ετικέτες:

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

λεπτομέρειες προϊόντων

IRF520NPBF Infineon Chip Προηγμένη Τεχνολογία Διεργασίας 175°C Θερμοκρασία Λειτουργίας

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI

Χάντρες λαμπτήρων LED TSLC Semileds

Led Chip υψηλής ισχύος

OSRAM LED CHIP

Τσιπ Cree LED

Τσιπ IC ST

Τσιπ TI

Τσιπ LED Bridgelux

Infineon Chip

Τσιπ LED LUMINUS

Χάντρες λαμπτήρων οδηγήσεων

SAMSUNG IC τσιπ

Τσιπ Micron

τσιป SK Hynix

Τσιπ LED LumiLED

Τσιπ LED SAMSUNG

SEOUL LED Τσιπ

Τσιπ LED NICHIA

NeXperia Τσιπς

ONsemi Τσιπς

Τσιπ ADI