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インフィニオンチップ
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IRF520NPBF インフィニオン チップ 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度

IRF520NPBF インフィニオン チップ 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度

ブランド名: Infineon Chip
モデル番号: IRF520NPBF
MOQ: 2500
梱包の詳細: 2500個/リール
支払い条件: T/T
詳細情報
起源の場所:
中国
モデル:
IRF520NPBF
製品名:
インフィニオンチップ
タイプ:
穴を通して
連続的な下水管の流れ:
9.7 A
動作温度:
-55℃~+175℃
消費電力:
48W
供給の能力:
100000
ハイライト:

IRF520NPBF

,

IRF520N インフィニオン チップ

,

高度なプロセス MOSFET

製品説明

Infineon Chip IRF520NPBF 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度


高度なプロセス技術 175℃ 動作温度


特徴
• 高度なプロセス技術
• 動的 dv/dt 定格
• 175℃ 動作温度
• 高速スイッチング
• 完全アバランシェ定格
• 鉛フリー
IRF520NPBF インフィニオン チップ 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度

説明
第5世代HEXFETパワーMOSFETは、高度なプロセス技術を利用して、シリコン面積あたりのオン抵抗を極めて低く抑えています。この利点と、HEXFETパワーMOSFETでよく知られている高速スイッチング速度と堅牢なデバイス設計を組み合わせることで、設計者は幅広い用途で非常に効率的で信頼性の高いデバイスを使用できます。
TO-220パッケージは、約50ワットの電力散逸レベルでのすべての商用・産業用途で普遍的に好まれています。TO-220の低い熱抵抗と低いパッケージコストは、業界全体での幅広い採用に貢献しています。
絶対最大定格
熱抵抗
静的 @ T
J
= 25℃ (特に指定がない限り)

IRF520NPBF インフィニオン チップ 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度

動的電気特性 @ T
 IRF520NPBF インフィニオン チップ 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度

J
IRF520NPBF インフィニオン チップ 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度

= 25℃ (特に指定がない限り)
IRF520NPBF インフィニオン チップ 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度

IRF520NPBF インフィニオン チップ 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度

IRF520NPBF インフィニオン チップ 高度なプロセス技術 175℃ 動作温度