chi tiết sản phẩm

Nhà Các sản phẩm

Chip Micron

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Tất cả các loại

Chip Led công suất cao

Liên hệ với chúng tôi

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Liên hệ ngay bây giờ

Tất cả các loại

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Tên thương hiệu:	Micron
Số mô hình:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	100
Điều khoản thanh toán:	T/T

Thông tin chi tiết

Mô tả sản phẩm

Thông tin chi tiết

Nguồn gốc:

Trung Quốc

Tổng mật độ:

người mẫu:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Ngân hàng nội bộ:

Nhiệt độ hoạt động:

Thương mại: 0°C đến +95°C; Công nghiệp (IT): -40°C đến +95°C

Đặc trưng:

Viết cân bằng, Thanh ghi đa năng, Hiệu chỉnh trình điều khiển đầu ra

Tên sản phẩm:

Micron

Khả năng cung cấp:

1000000

Làm nổi bật:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW Micron Chips

1.35V DDR3L SDRAM

Mô tả sản phẩm

Chip Micron MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Mô tả

DDR3L SDRAM (1.35V) là phiên bản điện áp thấp của

DDR3 (1.5V) SDRAM. Tham khảo DDR3 (1.5V) SDRAM

(Die Rev.: E) thông số kỹ thuật của bảng dữ liệu khi chạy ở

chế độ tương thích 1.5V.

Tính năng

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• Tương thích ngược với VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– Hỗ trợ các thiết bị DDR3L tương thích ngược trong các ứng dụng 1.5V

• Dấu hiệu dữ liệu hai chiều vi sai

• Kiến trúc tiền nạp 8n-bit

• Đầu vào đồng hồ vi sai (CK, CK#)

• 8 ngân hàng nội bộ

• Chấm dứt trên chip (ODT) danh định và động

cho tín hiệu dữ liệu, dấu hiệu và mặt nạ

• Độ trễ ghi (CL) có thể lập trình

• Độ trễ cộng CAS đã đăng (AL) có thể lập trình

• Độ trễ ghi (CWL) có thể lập trình

• Độ dài bùng nổ cố định (BL) là 8 và bùng nổ cắt (BC) là 4

(thông qua bộ ghi chế độ [MRS])

• BC4 hoặc BL8 có thể chọn khi đang bay (OTF)

• Chế độ tự làm mới

• TC từ 0°C đến +95°C

– Làm mới 64ms, 8192 chu kỳ ở 0°C đến +85°C

– 32ms ở +85°C đến +95°C

• Nhiệt độ tự làm mới (SRT)

• Tự làm mới tự động (ASR)

• Cân bằng ghi

• Thanh ghi đa năng

• Hiệu chuẩn trình điều khiển đầu ra

Tùy chọn

Cấu hình

1 Gig x 4 → Đánh dấu: 1G4

512 Meg x 8 → Đánh dấu: 512M8

256 Meg x 16 → Đánh dấu: 256M16

Gói FBGA (không chì) – x4, x8

78-ball (8mm x 10.5mm) Rev. P → Đánh dấu: DA

Gói FBGA (không chì) – x16

96-ball (8mm x 14mm) Rev. P → Đánh dấu: TW

Thời gian – chu kỳ

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Đánh dấu: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Đánh dấu: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Đánh dấu: -125

Tùy chọn đặc biệt

Sản phẩm Vòng đời Cao cấp (PLP) → Đánh dấu: X

Nhiệt độ hoạt động

Thương mại (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Đánh dấu: Không

Công nghiệp (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Đánh dấu: IT

Phiên bản

→ Đánh dấu: P

Bảng 1 trình bày các thông số thời gian chính cho các cấp tốc độ bộ nhớ khác nhau. Cấp tốc độ -093, hỗ trợ tốc độ dữ liệu 2133 MT/s, có thời gian tRCD-tRP-CL mục tiêu là 14-14-14, với mỗi tRCD, tRP và CL được đo ở 13,09 ns, và nó tương thích ngược với 1866 MT/s với CL=13 (-107) và cũng với 1600 MT/s với CL=11 (-125). Cấp tốc độ -107 hoạt động ở tốc độ dữ liệu 1866 MT/s, với thời gian mục tiêu là 13-13-13 và tất cả ba thông số tRCD, tRP và CL bằng 13,91 ns, và nó tương thích ngược với 1600 MT/s với CL=11 (-125). Cấp tốc độ -125 có tốc độ dữ liệu 1600 MT/s, thời gian mục tiêu là 11-11-11 và tRCD, tRP và CL đều ở 13,75 ns.

Bảng 2 phác thảo các tham số địa chỉ cho ba cấu hình bộ nhớ khác nhau: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 và 256 Meg x 16. Đối với cấu hình 1 Gig x 4, cấu trúc là 128 Meg x 4 x 8 ngân hàng, với số lần làm mới 8K, địa chỉ hàng 64K bao gồm A[15:0], địa chỉ 8 ngân hàng sử dụng BA[2:0], địa chỉ cột 2K bao gồm A[11, 9:0] và kích thước trang 1KB. Cấu hình 512 Meg x 8 được cấu trúc là 64 Meg x 8 x 8 ngân hàng, chia sẻ cùng số lần làm mới 8K, địa chỉ hàng 64K (A[15:0]) và địa chỉ 8 ngân hàng (BA[2:0]) như biến thể 1 Gig x 4, trong khi có địa chỉ cột 1K (A[9:0]) và kích thước trang 1KB. Cấu hình 256 Meg x 16 có cấu trúc 32 Meg x 16 x 8 ngân hàng, số lần làm mới 8K và địa chỉ 8 ngân hàng (BA[2:0]) giống hệt nhau, địa chỉ hàng 32K bao gồm A[14:0], địa chỉ cột 1K (A[9:0]) và kích thước trang 2KB lớn hơn.

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Thẻ:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

chi tiết sản phẩm

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

Hạt đèn LED TSLC Semileds

Chip Led công suất cao

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip bridgelux dẫn

Chip Infineon

Chip LED LUMINUS

hạt đèn LED

Chip IC SAMSUNG

Chip Micron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI