تفاصيل المنتجات

المنزل المنتجات

رقائق ميكرون

MT41K256M16TW-107:P ميكرون شرائح 1.35 فولت DDR3L 512 ميجابايت 96-كرة FBGA PC3L-1866

جميع الفئات

رقاقة LED عالية الطاقة

اتصل بنا

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

اتصل الآن

جميع الفئات

MT41K256M16TW-107:P ميكرون شرائح 1.35 فولت DDR3L 512 ميجابايت 96-كرة FBGA PC3L-1866

اسم العلامة التجارية:	Micron
رقم الموديل:	MT41K256M16TW-107:ص
موك:	100
شروط الدفع:	تي/تي

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

الصين

الكثافة الكلية:

4 غيغابايت

نموذج:

MT41K1G4، MT41K512M8، MT41K256M16

البنوك الداخلية:

درجة حرارة التشغيل:

تجاري: 0 درجة مئوية إلى +95 درجة مئوية؛ الصناعية (تكنولوجيا المعلومات): -40 درجة مئوية إلى +95 درجة

سمات:

تسوية الكتابة، السجل متعدد الأغراض، معايرة برنامج تشغيل الإخراج

اسم المنتج:

ميكرون

القدرة على العرض:

1000000

إبراز:

MT41K256M16TW-107:ص

MT41K256M16TW ميكرون شرائح

1.35 فولت DDR3L SDRAM

وصف المنتج

رقائق Micron MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

وصف

DDR3L SDRAM (1.35V) هو إصدار منخفض الجهد من

DDR3 (1.5V) SDRAM. ارجع إلى DDR3 (1.5V) SDRAM

(مراجعة الشريحة: E) مواصفات ورقة البيانات عند التشغيل في

وضع متوافق 1.5 فولت.

الميزات

• VDD = VDDQ = 1.35 فولت (1.283-1.45 فولت)

• متوافق مع الإصدارات السابقة مع VDD = VDDQ = 1.5 فولت ±0.075 فولت

– يدعم أجهزة DDR3L لتكون متوافقة مع الإصدارات السابقة في تطبيقات 1.5 فولت

• إشارة بيانات تفاضلية ثنائية الاتجاه

• بنية جلب مسبق 8 بت

• مدخلات ساعة تفاضلية (CK, CK#)

• 8 بنوك داخلية

• إنهاء اسمي وديناميكي على الشريحة (ODT)

لإشارات البيانات والإشارة والقناع

• زمن استجابة قابل للبرمجة (CL)

• زمن استجابة إضافي قابل للبرمجة (AL)

• زمن استجابة قابل للبرمجة (CWL)

• طول انفجار ثابت (BL) 8 وقطع انفجار (BC) 4

(عبر مجموعة سجل الوضع [MRS])

• BC4 أو BL8 قابل للتحديد أثناء التشغيل (OTF)

• وضع التحديث الذاتي

• TC من 0 درجة مئوية إلى +95 درجة مئوية

– 64 مللي ثانية، تحديث 8192 دورة عند 0 درجة مئوية إلى +85 درجة مئوية

– 32 مللي ثانية عند +85 درجة مئوية إلى +95 درجة مئوية

• درجة حرارة التحديث الذاتي (SRT)

• تحديث ذاتي تلقائي (ASR)

• تسوية الكتابة

• سجل متعدد الأغراض

• معايرة مشغل الإخراج

خيارات

التكوين

1 جيج × 4 → العلامة: 1G4

512 ميج × 8 → العلامة: 512M8

256 ميج × 16 → العلامة: 256M16

حزمة FBGA (خالية من الرصاص) – x4, x8

78 كرة (8 مم × 10.5 مم) مراجعة P → العلامة: DA

حزمة FBGA (خالية من الرصاص) – x16

96 كرة (8 مم × 14 مم) مراجعة P → العلامة: TW

التوقيت – وقت الدورة

938 بيكو ثانية @ CL = 14 (DDR3-2133) → العلامة: -093

1.07 نانو ثانية @ CL = 13 (DDR3-1866) → العلامة: -107

1.25 نانو ثانية @ CL = 11 (DDR3-1600) → العلامة: -125

خيارات خاصة

منتج دورة حياة متميز (PLP) → العلامة: X

درجة حرارة التشغيل

تجاري (0 درجة مئوية ≤ T_C ≤ +95 درجة مئوية) → العلامة: لا شيء

صناعي (–40 درجة مئوية ≤ T_C ≤ +95 درجة مئوية) → العلامة: IT

مراجعة

→ العلامة: P

يقدم الجدول 1 معلمات التوقيت الرئيسية لدرجات سرعة الذاكرة المختلفة. درجة السرعة -093، التي تدعم معدل بيانات يبلغ 2133 MT/s، تتميز بتوقيت tRCD-tRP-CL مستهدف يبلغ 14-14-14، مع قياس كل من tRCD و tRP و CL عند 13.09 نانو ثانية، وهي متوافقة مع الإصدارات السابقة مع 1866 MT/s مع CL=13 (-107) وأيضًا مع 1600 MT/s مع CL=11 (-125). تعمل درجة السرعة -107 بمعدل بيانات يبلغ 1866 MT/s، مع توقيت مستهدف يبلغ 13-13-13 وجميع المعلمات الثلاث tRCD و tRP و CL تساوي 13.91 نانو ثانية، وهي متوافقة مع الإصدارات السابقة مع 1600 MT/s مع CL=11 (-125). درجة السرعة -125 لها معدل بيانات يبلغ 1600 MT/s، وتوقيت مستهدف يبلغ 11-11-11، و tRCD و tRP و CL جميعها عند 13.75 نانو ثانية.

يحدد الجدول 2 معلمات العنونة لثلاث تكوينات ذاكرة مختلفة: 1 جيج × 4، 512 ميج × 8، و 256 ميج × 16. بالنسبة لتكوين 1 جيج × 4، فإن الهيكل هو 128 ميج × 4 × 8 بنوك، مع عدد تحديث 8K، وعنوان صف 64K يمتد عبر A[15:0]، وعنوان بنك 8 باستخدام BA[2:0]، وعنوان عمود 2K يغطي A[11, 9:0]، وحجم صفحة 1 كيلوبايت. تكوين 512 ميج × 8 منظم كهيكل 64 ميج × 8 × 8 بنوك، ويشارك نفس عدد التحديث 8K، وعنوان الصف 64K (A[15:0])، وعنوان البنك 8 (BA[2:0]) مثل متغير 1 جيج × 4، مع ميزة عنوان عمود 1K (A[9:0]) وحجم صفحة 1 كيلوبايت. تكوين 256 ميج × 16 له هيكل 32 ميج × 16 × 8 بنوك، وعدد تحديث 8K متطابق وعنوان بنك 8 (BA[2:0])، وعنوان صف 32K يمتد عبر A[14:0]، وعنوان عمود 1K (A[9:0])، وحجم صفحة 2 كيلوبايت أكبر.

MT41K256M16TW-107:P ميكرون شرائح 1.35 فولت DDR3L 512 ميجابايت 96-كرة FBGA PC3L-1866

العلامات:

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

تفاصيل المنتجات

MT41K256M16TW-107:P ميكرون شرائح 1.35 فولت DDR3L 512 ميجابايت 96-كرة FBGA PC3L-1866

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي

خرز مصباح LED TSLC Semileds

رقاقة LED عالية الطاقة

رقاقة أوسرام LED

رقاقة كري ليد

رقائق ST IC

رقائق تي آي

شريحة بريدجلوكس

رقاقة انفينيون

لومينوس LED رقاقة

حبات مصباح LED

رقائق سامسونج

رقائق ميكرون

رقائق إس كيه هاينكس

الشريحة LED

شريحة سامسونج LED

شريحة سيول LED

شريحة LED من نيتشيا

رقائق NeXperia

الشرائح

رقائق أدي