Name: MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107: P
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Micron
Número do modelo:	MT41K256M16TW-107: P
Quantidade mínima:	100
Condições de pagamento:	T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

China

Densidade Total:

4GB

modelo:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Bancos Internos:

Temperatura operacional:

Comercial: 0°C a +95°C; Industrial (TI): -40°C a +95°C

Características:

Nivelamento de gravação, registro multifuncional, calibração do driver de saída

Nome do produto:

Mícron

Habilidade da fonte:

1.000.000

Destacar:

MT41K256M16TW-107: P

MT41K256M16TW Micron Chips

1.35V DDR3L SDRAM

Descrição do produto

Micron chips MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Descrição

DDR3L SDRAM (1.35V) é uma versão de baixa voltagem do

DDR3 (1.5V) SDRAM. Consulte as especificações da folha de dados do

DDR3 (1.5V) SDRAM (Rev. do Die: E) ao operar em

modo compatível com 1.5V.

Recursos

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• Compatível com versões anteriores para VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– Suporta dispositivos DDR3L para serem compatíveis com versões anteriores em

aplicações de 1.5V

• Destaque de dados bidirecional diferencial

• Arquitetura de pré-busca de 8n bits

• Entradas de clock diferenciais (CK, CK#)

• 8 bancos internos

• Terminação nominal e dinâmica on-die (ODT)

para sinais de dados, strobe e máscara

• Latência programável de CAS (LEITURA) (CL)

• Latência aditiva de CAS postada programável (AL)

• Latência programável de CAS (ESCRITA) (CWL)

• Comprimento de burst fixo (BL) de 8 e corte de burst (BC) de 4

(através do conjunto de registradores de modo [MRS])

• BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF)

• Modo de auto-refresh

• TC de 0°C a +95°C

– 64ms, refresh de 8192 ciclos a 0°C a +85°C

– 32ms a +85°C a +95°C

• Temperatura de auto-refresh (SRT)

• Auto-refresh automático (ASR)

• Nivelamento de escrita

• Registrador multifuncional

• Calibração do driver de saída

Opções

Configuração

1 Gig x 4 → Marcação: 1G4

512 Meg x 8 → Marcação: 512M8

256 Meg x 16 → Marcação: 256M16

Pacote FBGA (sem chumbo) – x4, x8

78 esferas (8mm x 10.5mm) Rev. P → Marcação: DA

Pacote FBGA (sem chumbo) – x16

96 esferas (8mm x 14mm) Rev. P → Marcação: TW

Timing – tempo de ciclo

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Marcação: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Marcação: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Marcação: -125

Opções Especiais

Produto de Ciclo de Vida Premium (PLP) → Marcação: X

Temperatura de operação

Comercial (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Marcação: Nenhum

Industrial (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Marcação: IT

Revisão

→ Marcação: P

A Tabela 1 apresenta os principais parâmetros de temporização para diferentes classes de velocidade de memória. A classe de velocidade -093, que suporta uma taxa de dados de 2133 MT/s, apresenta uma temporização alvo tRCD-tRP-CL de 14-14-14, com cada um de tRCD, tRP e CL medido em 13,09 ns, e é compatível com versões anteriores para 1866 MT/s com CL=13 (-107) e também para 1600 MT/s com CL=11 (-125). A classe de velocidade -107 opera a uma taxa de dados de 1866 MT/s, com uma temporização alvo de 13-13-13 e todos os três parâmetros tRCD, tRP e CL iguais a 13,91 ns, e é compatível com versões anteriores para 1600 MT/s com CL=11 (-125). A classe de velocidade -125 tem uma taxa de dados de 1600 MT/s, uma temporização alvo de 11-11-11, e tRCD, tRP e CL todos em 13,75 ns.

A Tabela 2 descreve os parâmetros de endereçamento para três configurações de memória diferentes: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 e 256 Meg x 16. Para a configuração 1 Gig x 4, a estrutura é 128 Meg x 4 x 8 bancos, com uma contagem de refresh de 8K, um endereço de linha de 64K abrangendo A[15:0], um endereço de 8 bancos usando BA[2:0], um endereço de coluna de 2K cobrindo A[11, 9:0] e um tamanho de página de 1KB. A configuração 512 Meg x 8 é estruturada como 64 Meg x 8 x 8 bancos, compartilhando a mesma contagem de refresh de 8K, endereço de linha de 64K (A[15:0]) e endereço de 8 bancos (BA[2:0]) da variante 1 Gig x 4, enquanto apresenta um endereço de coluna de 1K (A[9:0]) e um tamanho de página de 1KB. A configuração 256 Meg x 16 tem uma estrutura de 32 Meg x 16 x 8 bancos, uma contagem de refresh de 8K idêntica e endereço de 8 bancos (BA[2:0]), um endereço de linha de 32K abrangendo A[14:0], um endereço de coluna de 1K (A[9:0]) e um tamanho de página maior de 2KB.

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Microplaqueta do diodo emissor de luz do Cree

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