rincian produk

Rumah Produk

Chip mikron

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Semua Kategori

Chip Led Daya Tinggi

Hubungi Kami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Hubungi Sekarang

Semua Kategori

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Nama Merek:	Micron
Nomor Model:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	100
Ketentuan Pembayaran:	T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Tiongkok

Kepadatan Total:

model:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Bank Internal:

Suhu Operasional:

Komersial: 0°C hingga +95°C; Industri (IT): -40°C hingga +95°C

Fitur:

Leveling tulis, register serbaguna, kalibrasi driver keluaran

Nama Produk:

Mikron

Menyediakan kemampuan:

1000000

Menyoroti:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW Micron Chips

1.35V DDR3L SDRAM

Deskripsi Produk

Chip Micron MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Deskripsi

DDR3L SDRAM (1,35V) adalah versi tegangan rendah dari

DDR3 (1,5V) SDRAM. Lihat lembar data DDR3 (1,5V) SDRAM

(Rev. Die: E) spesifikasi saat berjalan dalam

mode yang kompatibel dengan 1,5V.

Fitur

• VDD = VDDQ = 1,35V (1,283–1,45V)

• Kompatibel mundur ke VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V

– Mendukung perangkat DDR3L agar kompatibel mundur

dalam aplikasi 1,5V

• Strobe data diferensial dua arah

• Arsitektur prefetch 8n-bit

• Input clock diferensial (CK, CK#)

• 8 bank internal

• Terminasi on-die (ODT) nominal dan dinamis

untuk sinyal data, strobe, dan mask

• Latensi CAS (READ) yang dapat diprogram (CL)

• Latensi tambahan CAS tertunda yang dapat diprogram (AL)

• Latensi CAS (WRITE) yang dapat diprogram (CWL)

• Panjang burst tetap (BL) 8 dan burst chop (BC) 4

(melalui set register mode [MRS])

• BC4 atau BL8 yang dapat dipilih saat itu juga (OTF)

• Mode refresh mandiri

• TC dari 0°C hingga +95°C

– 64ms, refresh 8192 siklus pada 0°C hingga +85°C

– 32ms pada +85°C hingga +95°C

• Suhu refresh mandiri (SRT)

• Refresh mandiri otomatis (ASR)

• Penyetelan tulis

• Register serbaguna

• Kalibrasi driver output

Opsi

Konfigurasi

1 Gig x 4 → Penandaan: 1G4

512 Meg x 8 → Penandaan: 512M8

256 Meg x 16 → Penandaan: 256M16

Paket FBGA (Bebas Pb) – x4, x8

78-ball (8mm x 10,5mm) Rev. P → Penandaan: DA

Paket FBGA (Bebas Pb) – x16

96-ball (8mm x 14mm) Rev. P → Penandaan: TW

Waktu – waktu siklus

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Penandaan: -093

1,07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Penandaan: -107

1,25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Penandaan: -125

Opsi Khusus

Produk Siklus Hidup Premium (PLP) → Penandaan: X

Suhu Operasi

Komersial (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Penandaan: Tidak Ada

Industri (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Penandaan: IT

Revisi

→ Penandaan: P

Tabel 1 menyajikan parameter waktu utama untuk berbagai tingkatan kecepatan memori. Tingkatan kecepatan -093, yang mendukung laju data 2133 MT/s, memiliki target waktu tRCD-tRP-CL 14-14-14, dengan masing-masing tRCD, tRP, dan CL diukur pada 13,09 ns, dan kompatibel mundur ke 1866 MT/s dengan CL=13 (-107) dan juga ke 1600 MT/s dengan CL=11 (-125). Tingkatan kecepatan -107 beroperasi pada laju data 1866 MT/s, dengan target waktu 13-13-13 dan ketiga parameter tRCD, tRP, dan CL sama dengan 13,91 ns, dan kompatibel mundur ke 1600 MT/s dengan CL=11 (-125). Tingkatan kecepatan -125 memiliki laju data 1600 MT/s, target waktu 11-11-11, dan tRCD, tRP, dan CL semuanya pada 13,75 ns.

Tabel 2 menguraikan parameter pengalamatan untuk tiga konfigurasi memori yang berbeda: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8, dan 256 Meg x 16. Untuk konfigurasi 1 Gig x 4, strukturnya adalah 128 Meg x 4 x 8 bank, dengan hitungan refresh 8K, alamat baris 64K yang mencakup A[15:0], alamat 8-bank menggunakan BA[2:0], alamat kolom 2K yang mencakup A[11, 9:0], dan ukuran halaman 1KB. Konfigurasi 512 Meg x 8 distrukturkan sebagai 64 Meg x 8 x 8 bank, berbagi hitungan refresh 8K yang sama, alamat baris 64K (A[15:0]), dan alamat 8-bank (BA[2:0]) seperti varian 1 Gig x 4, sambil menampilkan alamat kolom 1K (A[9:0]) dan ukuran halaman 1KB. Konfigurasi 256 Meg x 16 memiliki struktur 32 Meg x 16 x 8 bank, hitungan refresh 8K yang identik dan alamat 8-bank (BA[2:0]), alamat baris 32K yang mencakup A[14:0], alamat kolom 1K (A[9:0]), dan ukuran halaman 2KB yang lebih besar.

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Tag:

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

rincian produk

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI

TSLC Semileds LED Lamp Beads

Chip Led Daya Tinggi

CHIP LED OSRAM

Chip Led Cree

chip ST IC

chip TI

chip led bridgelux

Chip Infineon

CIP LED LUMINUS

Manik-manik lampu LED

Chip IC SAMSUNG

Chip mikron

Chip SK Hynix

Chip LED Lumileds

Samsung LED Chip

Chip LED SEOUL

Chip LED NICHIA

NeXperia Chips

Chip ONsemi

chip ADI