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MT41K256M16TW-107:P Micron チップ 1.35V DDR3L 512MB 96ボール FBGA PC3L-1866

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MT41K256M16TW-107:P Micron チップ 1.35V DDR3L 512MB 96ボール FBGA PC3L-1866

ブランド名:	Micron
モデル番号:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	100
支払い条件:	T/T

起源の場所:

4ギガバイト

MT41K1G4、MT41K512M8、MT41K256M16

内部銀行:

動作温度:

商業用: 0°C ～ +95°C。産業用 (IT): -40°C ～ +95°C

ライトレベリング、多目的レジスタ、出力ドライバのキャリブレーション

供給の能力:

1000000

ハイライト:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW Micron チップ

1.35V DDR3L SDRAM

製品説明

Micronチップ MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96ボールFBGA PC3L-1866

説明

DDR3L SDRAM (1.35V) は、DDR3 (1.5V) SDRAM の低電圧バージョンです。1.5V 互換モードで実行する場合は、DDR3 (1.5V) SDRAM (ダイリビジョン: E) データシートの仕様を参照してください。

1.5V 互換モード。

(ダイリビジョン: E) データシートの仕様を参照してください。

1.5V 互換モード。

特徴

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283～1.45V)

• VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V への後方互換性

– DDR3L デバイスが 1.5V アプリケーションで後方互換性を持つことをサポート

•差動双方向データストローブ

• 8n ビットプリフェッチアーキテクチャ

•差動クロック入力 (CK, CK#)

• 8 個の内部バンク

•データ、ストローブ、マスク信号用の公称および動的なオンダイ終端 (ODT)

•プログラム可能な CAS (読み取り) レイテンシ (CL)

•プログラム可能なポステッド CAS 追加レイテンシ (AL)

•プログラム可能な CAS (書き込み) レイテンシ (CWL)

•固定バースト長 (BL) 8 およびバーストチョップ (BC) 4

(モードレジスタセット [MRS] 経由)

•オンザフライ (OTF) で BC4 または BL8 を選択可能

•セルフリフレッシュモード

• TC 0℃～+95℃

– 0℃～+85℃ で 64ms、8192 サイクルリフレッシュ

– +85℃～+95℃ で 32ms

•セルフリフレッシュ温度 (SRT)

•自動セルフリフレッシュ (ASR)

•ライトレベリング

•多目的レジスタ

•出力ドライバキャリブレーション

オプション

構成

1ギガ x 4 → マーキング: 1G4

512メガ x 8 → マーキング: 512M8

256メガ x 16 → マーキング: 256M16

FBGAパッケージ (鉛フリー) – x4, x8

78ボール (8mm x 10.5mm) リビジョン P → マーキング: DA

FBGAパッケージ (鉛フリー) – x16

96ボール (8mm x 14mm) リビジョン P → マーキング: TW

タイミング – サイクリングタイム

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → マーキング: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → マーキング: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → マーキング: -125

特殊オプション

プレミアムライフサイクル製品 (PLP) → マーキング: X

動作温度

コマーシャル (0℃ ≤ T_C ≤ +95℃) → マーキング: なし

インダストリアル (–40℃ ≤ T_C ≤ +95℃) → マーキング: IT

リビジョン

→ マーキング: P

表 1 は、さまざまなメモリ速度グレードの主要なタイミングパラメータを示しています。データレート 2133 MT/s をサポートする -093 速度グレードは、ターゲット tRCD-tRP-CL タイミングが 14-14-14 で、tRCD、tRP、CL のそれぞれが 13.09 ns で測定され、CL=13 (-107) で 1866 MT/s に、また CL=11 (-125) で 1600 MT/s に後方互換性があります。-107 速度グレードは、データレート 1866 MT/s で動作し、ターゲットタイミングは 13-13-13 で、tRCD、tRP、CL のすべてが 13.91 ns であり、CL=11 (-125) で 1600 MT/s に後方互換性があります。-125 速度グレードは、データレート 1600 MT/s、ターゲットタイミング 11-11-11、および tRCD、tRP、CL はすべて 13.75 ns です。

表 2 は、3 つの異なるメモリ構成 (1 Gig x 4、512 Meg x 8、256 Meg x 16) のアドレッシングパラメータの概要を示しています。1 Gig x 4 構成では、構造は 128 Meg x 4 x 8 バンクで、8K リフレッシュカウント、A[15:0] をスパンする 64K 行アドレス、BA[2:0] を使用する 8 バンクアドレス、A[11, 9:0] をカバーする 2K 列アドレス、および 1KB ページサイズです。512 Meg x 8 構成は 64 Meg x 8 x 8 バンクとして構造化されており、1 Gig x 4 バリアントと同じ 8K リフレッシュカウント、64K 行アドレス (A[15:0])、および 8 バンクアドレス (BA[2:0]) を共有しながら、1K 列アドレス (A[9:0]) と 1KB ページサイズを特徴としています。256 Meg x 16 構成は 32 Meg x 16 x 8 バンク構造、同一の 8K リフレッシュカウントと 8 バンクアドレス (BA[2:0])、A[14:0] をスパンする 32K 行アドレス、1K 列アドレス (A[9:0])、およびより大きな 2KB ページサイズを備えています。

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