รายละเอียดสินค้า

บ้าน สินค้า

ชิปไมครอน

MT41K256M16TW-107:P ชิป Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

ประเภททั้งหมด

ชิป LED พลังงานสูง

ติดต่อเรา

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

ติดต่อตอนนี้

ประเภททั้งหมด

MT41K256M16TW-107:P ชิป Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

ชื่อแบรนด์:	Micron
หมายเลขรุ่น:	MT41K256M16TW-107:P
ขั้นต่ำ:	100
เงื่อนไขการชำระเงิน:	ที/ที

ข้อมูลรายละเอียด

รายละเอียดสินค้า

ข้อมูลรายละเอียด

สถานที่กำเนิด:

ความหนาแน่นรวม:

แบบอย่าง:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

ธนาคารภายใน:

อุณหภูมิในการทำงาน:

เชิงพาณิชย์: 0°C ถึง +95°C; อุตสาหกรรม (ไอที): -40°C ถึง +95°C

คุณสมบัติ:

การปรับระดับการเขียน, รีจิสเตอร์อเนกประสงค์, การสอบเทียบไดรเวอร์เอาท์พุต

ชื่อสินค้า:

ไมครอน

สามารถในการผลิต:

1000000

เน้น:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW ชิป Micron

1.35V DDR3L SDRAM

รายละเอียดสินค้า

ชิป Micron MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

คำอธิบาย

DDR3L SDRAM (1.35V) เป็นเวอร์ชันแรงดันไฟฟ้าต่ำของ

DDR3 (1.5V) SDRAM โปรดดูเอกสารข้อมูล DDR3 (1.5V) SDRAM

(Die Rev.: E) เมื่อทำงานใน

โหมดที่เข้ากันได้กับ 1.5V

คุณสมบัติ

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• เข้ากันได้แบบย้อนหลังกับ VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– รองรับอุปกรณ์ DDR3L ให้เข้ากันได้แบบย้อนหลังในแอปพลิเคชัน 1.5V

• Strobe ข้อมูลแบบสองทิศทางแบบ Differential

• สถาปัตยกรรม prefetch แบบ 8n-bit

• อินพุตสัญญาณนาฬิกาแบบ Differential (CK, CK#)

• 8 ธนาคารภายใน

• การสิ้นสุดบนดาย (ODT) แบบปกติและแบบไดนามิก

สำหรับสัญญาณข้อมูล, strobe, และ mask

• ความหน่วงแฝงในการอ่าน (CL) ที่ตั้งโปรแกรมได้

• ความหน่วงแฝงเพิ่มเติมของ CAS แบบโพสต์ (AL) ที่ตั้งโปรแกรมได้

• ความหน่วงแฝงในการเขียน (CWL) ที่ตั้งโปรแกรมได้

• ความยาว Burst คงที่ (BL) 8 และ Burst Chop (BC) 4

(ผ่านโหมดรีจิสเตอร์เซ็ต [MRS])

• เลือก BC4 หรือ BL8 แบบทันที (OTF)

• โหมด Self Refresh

• TC ตั้งแต่ 0°C ถึง +95°C

– การรีเฟรช 64ms, 8192 รอบที่ 0°C ถึง +85°C

– 32ms ที่ +85°C ถึง +95°C

• อุณหภูมิ Self Refresh (SRT)

• การรีเฟรชอัตโนมัติ (ASR)

• การปรับระดับการเขียน

• รีจิสเตอร์อเนกประสงค์

• การปรับเทียบไดรเวอร์เอาต์พุต

ตัวเลือก

การกำหนดค่า

1 Gig x 4 → การมาร์ก: 1G4

512 Meg x 8 → การมาร์ก: 512M8

256 Meg x 16 → การมาร์ก: 256M16

แพ็คเกจ FBGA (ปราศจากสารตะกั่ว) – x4, x8

78-ball (8mm x 10.5mm) Rev. P → การมาร์ก: DA

แพ็คเกจ FBGA (ปราศจากสารตะกั่ว) – x16

96-ball (8mm x 14mm) Rev. P → การมาร์ก: TW

Timing – เวลาวงจร

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → การมาร์ก: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → การมาร์ก: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → การมาร์ก: -125

ตัวเลือกพิเศษ

ผลิตภัณฑ์วงจรชีวิตระดับพรีเมียม (PLP) → การมาร์ก: X

อุณหภูมิการทำงาน

เชิงพาณิชย์ (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → การมาร์ก: ไม่มี

อุตสาหกรรม (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → การมาร์ก: IT

รีวิชั่น

→ การมาร์ก: P

ตารางที่ 1 แสดงพารามิเตอร์เวลาที่สำคัญสำหรับเกรดความเร็วหน่วยความจำที่แตกต่างกัน เกรดความเร็ว -093 ซึ่งรองรับอัตราข้อมูล 2133 MT/s มีเป้าหมายเวลา tRCD-tRP-CL ที่ 14-14-14 โดยที่ tRCD, tRP และ CL แต่ละค่าวัดได้ที่ 13.09 ns และเข้ากันได้แบบย้อนหลังกับ 1866 MT/s ด้วย CL=13 (-107) และยังเข้ากันได้แบบย้อนหลังกับ 1600 MT/s ด้วย CL=11 (-125) เกรดความเร็ว -107 ทำงานที่อัตราข้อมูล 1866 MT/s ด้วยเป้าหมายเวลา 13-13-13 และพารามิเตอร์ทั้งสาม tRCD, tRP และ CL เท่ากับ 13.91 ns และเข้ากันได้แบบย้อนหลังกับ 1600 MT/s ด้วย CL=11 (-125) เกรดความเร็ว -125 มีอัตราข้อมูล 1600 MT/s เป้าหมายเวลา 11-11-11 และ tRCD, tRP และ CL ทั้งหมดที่ 13.75 ns

ตารางที่ 2 แสดงพารามิเตอร์การกำหนดที่อยู่สำหรับการกำหนดค่าหน่วยความจำสามแบบที่แตกต่างกัน: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 และ 256 Meg x 16 สำหรับการกำหนดค่า 1 Gig x 4 โครงสร้างคือ 128 Meg x 4 x 8 ธนาคาร พร้อมจำนวนการรีเฟรช 8K, ที่อยู่แถว 64K ครอบคลุม A[15:0], ที่อยู่ 8 ธนาคารใช้ BA[2:0], ที่อยู่คอลัมน์ 2K ครอบคลุม A[11, 9:0] และขนาดหน้า 1KB การกำหนดค่า 512 Meg x 8 มีโครงสร้างเป็น 64 Meg x 8 x 8 ธนาคาร โดยใช้จำนวนการรีเฟรช 8K, ที่อยู่แถว 64K (A[15:0]) และที่อยู่ 8 ธนาคาร (BA[2:0]) เหมือนกับรุ่น 1 Gig x 4 ในขณะที่มีที่อยู่คอลัมน์ 1K (A[9:0]) และขนาดหน้า 1KB การกำหนดค่า 256 Meg x 16 มีโครงสร้างเป็น 32 Meg x 16 x 8 ธนาคาร, จำนวนการรีเฟรช 8K และที่อยู่ 8 ธนาคาร (BA[2:0] เหมือนกัน, ที่อยู่แถว 32K ครอบคลุม A[14:0], ที่อยู่คอลัมน์ 1K (A[9:0]) และขนาดหน้า 2KB ที่ใหญ่ขึ้น

MT41K256M16TW-107:P ชิป Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

แท็ก:

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

รายละเอียดสินค้า

MT41K256M16TW-107:P ชิป Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI

TSLC Semileds หลอดไฟ LED

ชิป LED พลังงานสูง

ชิป OSRAM LED

ชิป Cree นำ

ชิป ST IC

ชิป TI

ชิป LED bridgelux

อินฟิเนียนชิป

ชิป LED ลูมินัส

ลูกปัดหลอดไฟ LED

ชิป IC SAMSUNG

ชิปไมครอน

ชิป SK Hynix

ชิป LED

ชิป LED SAMSUNG

ชิป LED โซล

ชิป LED NICHIA

ชิป NeXperia

ชิป ONsemi

ชิป ADI