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MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512 Mo 96 billes FBGA PC3L-1866

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MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512 Mo 96 billes FBGA PC3L-1866

Nom De La Marque:	Micron
Numéro De Modèle:	MT41K256M16TW-107:P
Quantité Minimale De Commande:	100
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description du produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Chine

Densité totale:

modèle:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Banques internes:

Température de fonctionnement:

Commercial : 0°C à +95°C ; Industriel (IT) : -40°C à +95°C

Caractéristiques:

Nivellement d'écriture, registre polyvalent, calibrage du pilote de sortie

Nom du produit:

Micron

Capacité d'approvisionnement:

1000000

Mettre en évidence:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW Micron Chips

1.35V DDR3L SDRAM

Description du produit

Puces Micron MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512Mo FBGA 96 billes PC3L-1866

Description

La DDR3L SDRAM (1,35V) est une version basse tension de la

DDR3 (1,5V) SDRAM. Reportez-vous aux spécifications de la fiche technique

DDR3 (1,5V) SDRAM (Révision de la puce : E) lors de l'exécution en

mode compatible 1,5V.

Caractéristiques

• VDD = VDDQ = 1,35V (1,283–1,45V)

• Rétrocompatible avec VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V

– Prend en charge les périphériques DDR3L pour être rétrocompatibles

dans les applications 1,5V

• Décalage de données différentiel bidirectionnel

• Architecture de prélecture 8n-bit

• Entrées d'horloge différentielles (CK, CK#)

• 8 banques internes

• Terminaison différentielle et dynamique sur puce (ODT)

pour les signaux de données, de décalage et de masque

• Latence programmable CAS (LECTURE) (CL)

• Latence additive CAS postée programmable (AL)

• Latence programmable CAS (ECRITURE) (CWL)

• Longueur de rafale fixe (BL) de 8 et découpage de rafale (BC) de 4

(via le jeu de registres de mode [MRS])

• BC4 ou BL8 sélectionnable à la volée (OTF)

• Mode d'auto-rafraîchissement

• TC de 0°C à +95°C

– Rafraîchissement de 64 ms, 8192 cycles à 0°C à +85°C

– 32 ms à +85°C à +95°C

• Température d'auto-rafraîchissement (SRT)

• Auto-rafraîchissement automatique (ASR)

• Mise à niveau de l'écriture

• Registre polyvalent

• Calibration du pilote de sortie

Options

Configuration

1 Gig x 4 → Marquage : 1G4

512 Még x 8 → Marquage : 512M8

256 Még x 16 → Marquage : 256M16

Boîtier FBGA (sans plomb) – x4, x8

78 billes (8 mm x 10,5 mm) Rév. P → Marquage : DA

Boîtier FBGA (sans plomb) – x16

96 billes (8 mm x 14 mm) Rév. P → Marquage : TW

Temporisation – temps de cycle

938 ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Marquage : -093

1,07 ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Marquage : -107

1,25 ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Marquage : -125

Options spéciales

Produit à cycle de vie premium (PLP) → Marquage : X

Température de fonctionnement

Commercial (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Marquage : Aucun

Industriel (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Marquage : IT

Révision

→ Marquage : P

Le Tableau 1 présente les paramètres de temporisation clés pour différentes classes de vitesse de mémoire. La classe de vitesse -093, qui prend en charge un débit de données de 2133 MT/s, présente une temporisation tRCD-tRP-CL cible de 14-14-14, avec chaque tRCD, tRP et CL mesuré à 13,09 ns, et elle est rétrocompatible avec 1866 MT/s avec CL=13 (-107) et également avec 1600 MT/s avec CL=11 (-125). La classe de vitesse -107 fonctionne à un débit de données de 1866 MT/s, avec une temporisation cible de 13-13-13 et les trois paramètres tRCD, tRP et CL égaux à 13,91 ns, et elle est rétrocompatible avec 1600 MT/s avec CL=11 (-125). La classe de vitesse -125 a un débit de données de 1600 MT/s, une temporisation cible de 11-11-11, et tRCD, tRP et CL tous à 13,75 ns.

Le Tableau 2 décrit les paramètres d'adressage pour trois configurations de mémoire différentes : 1 Gig x 4, 512 Még x 8 et 256 Még x 16. Pour la configuration 1 Gig x 4, la structure est de 128 Még x 4 x 8 banques, avec un nombre de rafraîchissements de 8K, une adresse de ligne de 64K s'étendant sur A[15:0], une adresse de 8 banques utilisant BA[2:0], une adresse de colonne de 2K couvrant A[11, 9:0], et une taille de page de 1 Ko. La configuration 512 Még x 8 est structurée en 64 Még x 8 x 8 banques, partageant le même nombre de rafraîchissements de 8K, la même adresse de ligne de 64K (A[15:0]) et la même adresse de 8 banques (BA[2:0]) que la variante 1 Gig x 4, tout en présentant une adresse de colonne de 1K (A[9:0]) et une taille de page de 1 Ko. La configuration 256 Még x 16 a une structure de 32 Még x 16 x 8 banques, un nombre de rafraîchissements de 8K et une adresse de 8 banques (BA[2:0]) identiques, une adresse de ligne de 32K s'étendant sur A[14:0], une adresse de colonne de 1K (A[9:0]), et une taille de page plus grande de 2 Ko.

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