Η DDR3L SDRAM (1.35V) είναι μια έκδοση χαμηλής τάσης της
DDR3 (1.5V) SDRAM. Ανατρέξτε στα φύλλα δεδομένων της
DDR3 (1.5V) SDRAM (Αναθ. Die: E) όταν λειτουργείτε σε
συμβατή λειτουργία 1.5V.
Χαρακτηριστικά
• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)
• Συμβατότητα προς τα πίσω με VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
– Υποστηρίζει συσκευές DDR3L για συμβατότητα προς τα πίσω σε εφαρμογές 1.5V
• Διαφορικό αμφίδρομο σήμα δεδομένων (strobe)
• Αρχιτεκτονική προανάκτησης 8n-bit
• Διαφορικές εισόδους ρολογιού (CK, CK#)
• 8 εσωτερικές τράπεζες
• Ονομαστική και δυναμική τερματισμός εντός τσιπ (ODT)
για σήματα δεδομένων, strobe και μάσκας
• Προγραμματιζόμενη καθυστέρηση CAS (READ) (CL)
• Προγραμματιζόμενη πρόσθετη καθυστέρηση CAS (AL)
• Προγραμματιζόμενη καθυστέρηση CAS (WRITE) (CWL)
• Σταθερό μήκος έκρηξης (BL) 8 και διακοπή έκρηξης (BC) 4
(μέσω του συνόλου μητρώου λειτουργίας [MRS])
• Επιλέξιμο BC4 ή BL8 κατά την εκτέλεση (OTF)
• Λειτουργία αυτόματης ανανέωσης (Self Refresh)
• TC 0°C έως +95°C
– Ανανέωση 64ms, 8192 κύκλων στους 0°C έως +85°C
– 32ms στους +85°C έως +95°C
• Θερμοκρασία αυτόματης ανανέωσης (SRT)
• Αυτόματη αυτόματη ανανέωση (ASR)
• Επίπεδο εγγραφής (Write leveling)
• Μητρώο πολλαπλών χρήσεων
• Βαθμονόμηση οδηγού εξόδου
Επιλογές
Διαμόρφωση
1 Gig x 4 → Σήμανση: 1G4
512 Meg x 8 → Σήμανση: 512M8
256 Meg x 16 → Σήμανση: 256M16
Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) – x4, x8
78-ball (8mm x 10.5mm) Αναθ. P → Σήμανση: DA
Πακέτο FBGA (χωρίς Pb) – x16
96-ball (8mm x 14mm) Αναθ. P → Σήμανση: TW
Χρονισμός – χρόνος κύκλου
938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Σήμανση: -093
1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Σήμανση: -107
1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Σήμανση: -125
Ειδικές Επιλογές
Προϊόν Premium Κύκλου Ζωής (PLP) → Σήμανση: X
Θερμοκρασία λειτουργίας
Εμπορική (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Σήμανση: Καμία
Βιομηχανική (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Σήμανση: IT
Αναθεώρηση
→ Σήμανση: P
Ο Πίνακας 1 παρουσιάζει τις βασικές παραμέτρους χρονισμού για διαφορετικές βαθμίδες ταχύτητας μνήμης. Η βαθμίδα ταχύτητας -093, η οποία υποστηρίζει ρυθμό δεδομένων 2133 MT/s, διαθέτει στόχο χρονισμού tRCD-tRP-CL 14-14-14, με κάθε ένα από τα tRCD, tRP και CL να μετράται στα 13.09 ns, και είναι συμβατή προς τα πίσω με 1866 MT/s με CL=13 (-107) και επίσης με 1600 MT/s με CL=11 (-125). Η βαθμίδα ταχύτητας -107 λειτουργεί με ρυθμό δεδομένων 1866 MT/s, με στόχο χρονισμού 13-13-13 και και τις τρεις παραμέτρους tRCD, tRP και CL ίσες με 13.91 ns, και είναι συμβατή προς τα πίσω με 1600 MT/s με CL=11 (-125). Η βαθμίδα ταχύτητας -125 έχει ρυθμό δεδομένων 1600 MT/s, στόχο χρονισμού 11-11-11, και tRCD, tRP και CL στα 13.75 ns.
Ο Πίνακας 2 περιγράφει τις παραμέτρους διευθυνσιοδότησης για τρεις διαφορετικές διαμορφώσεις μνήμης: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 και 256 Meg x 16. Για τη διαμόρφωση 1 Gig x 4, η δομή είναι 128 Meg x 4 x 8 τράπεζες, με έναν αριθμό ανανεώσεων 8K, μια διεύθυνση γραμμής 64K που καλύπτει τα A[15:0], μια διεύθυνση 8 τραπεζών που χρησιμοποιεί τα BA[2:0], μια στήλη 2K που καλύπτει τα A[11, 9:0], και ένα μέγεθος σελίδας 1KB. Η διαμόρφωση 512 Meg x 8 είναι δομημένη ως 64 Meg x 8 x 8 τράπεζες, μοιράζεται τον ίδιο αριθμό ανανεώσεων 8K, τη διεύθυνση γραμμής 64K (A[15:0]) και τη διεύθυνση 8 τραπεζών (BA[2:0]) με την παραλλαγή 1 Gig x 4, ενώ διαθέτει μια στήλη 1K (A[9:0]) και μέγεθος σελίδας 1KB. Η διαμόρφωση 256 Meg x 16 έχει δομή 32 Meg x 16 x 8 τράπεζες, έναν πανομοιότυπο αριθμό ανανεώσεων 8K και διεύθυνση 8 τραπεζών (BA[2:0]), μια διεύθυνση γραμμής 32K που καλύπτει τα A[14:0], μια στήλη 1K (A[9:0]) και ένα μεγαλύτερο μέγεθος σελίδας 2KB.