szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Chipy mikronowe

MT41K256M16TW-107:P Mikrokontrolery Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-kulkowy FBGA PC3L-1866

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

Skontaktuj się z nami

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

MT41K256M16TW-107:P Mikrokontrolery Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-kulkowy FBGA PC3L-1866

Nazwa marki:	Micron
Numer modelu:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	100
Warunki płatności:	T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Całkowita gęstość:

model:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Banki Wewnętrzne:

Temperatura pracy:

Komercyjne: 0°C do +95°C; Przemysłowe (IT): -40°C do +95°C

Cechy:

Poziomowanie zapisu, rejestr uniwersalny, kalibracja sterownika wyjściowego

Nazwa produktu:

Mikron

Możliwość Supply:

1000000

Podkreślić:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW Mikrokontrolery Micron

1.35V DDR3L SDRAM

Opis produktu

Układy Micron MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-kulkowy FBGA PC3L-1866

Opis

DDR3L SDRAM (1,35V) to wersja niskonapięciowa

DDR3 (1,5V) SDRAM. Patrz DDR3 (1,5V) SDRAM

(Rev. Die: E) specyfikacje arkusza danych podczas pracy w

trybie kompatybilnym z 1,5V.

Funkcje

• VDD = VDDQ = 1,35V (1,283–1,45V)

• Kompatybilność wsteczna z VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V

– Obsługuje urządzenia DDR3L w celu zapewnienia kompatybilności wstecznej w aplikacjach 1,5V

patible w aplikacjach 1,5V

• Różnicowy dwukierunkowy stroboskop danych

• Architektura prefetch 8n-bitowa

• Różnicowe wejścia zegarowe (CK, CK#)

• 8 wewnętrznych banków

• Nominalne i dynamiczne zakończenie na matrycy (ODT)

dla sygnałów danych, stroboskopu i maski

• Programowalna latencja odczytu CAS (CL)

• Programowalna dodatkowa latencja CAS (AL)

• Programowalna latencja zapisu CAS (CWL)

• Stała długość serii (BL) 8 i skok serii (BC) 4

(za pomocą zestawu rejestrów trybu [MRS])

• Wybieralny BC4 lub BL8 na bieżąco (OTF)

• Tryb automatycznego odświeżania

• TC od 0°C do +95°C

– 64 ms, 8192 cykli odświeżania przy 0°C do +85°C

– 32 ms przy +85°C do +95°C

• Temperatura automatycznego odświeżania (SRT)

• Automatyczne odświeżanie (ASR)

• Wyrównanie zapisu

• Rejestr wielofunkcyjny

• Kalibracja sterownika wyjściowego

Opcje

Konfiguracja

1 Gig x 4 → Oznaczenie: 1G4

512 Meg x 8 → Oznaczenie: 512M8

256 Meg x 16 → Oznaczenie: 256M16

Pakiet FBGA (bez Pb) – x4, x8

78-kulkowy (8 mm x 10,5 mm) Rev. P → Oznaczenie: DA

Pakiet FBGA (bez Pb) – x16

96-kulkowy (8 mm x 14 mm) Rev. P → Oznaczenie: TW

Timing – czas cyklu

938 ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Oznaczenie: -093

1,07 ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Oznaczenie: -107

1,25 ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Oznaczenie: -125

Opcje specjalne

Produkt Premium Lifecycle (PLP) → Oznaczenie: X

Temperatura pracy

Handlowa (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Oznaczenie: Brak

Przemysłowa (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Oznaczenie: IT

Rewizja

→ Oznaczenie: P

Tabela 1 przedstawia kluczowe parametry czasowe dla różnych klas prędkości pamięci. Klasa prędkości -093, która obsługuje szybkość transmisji danych 2133 MT/s, charakteryzuje się docelowym czasem tRCD-tRP-CL wynoszącym 14-14-14, przy czym każdy z parametrów tRCD, tRP i CL mierzony jest jako 13,09 ns, i jest kompatybilna wstecznie z 1866 MT/s przy CL=13 (-107) oraz z 1600 MT/s przy CL=11 (-125). Klasa prędkości -107 działa z szybkością transmisji danych 1866 MT/s, z docelowym czasem 13-13-13 i wszystkimi trzema parametrami tRCD, tRP i CL równymi 13,91 ns, i jest kompatybilna wstecznie z 1600 MT/s przy CL=11 (-125). Klasa prędkości -125 ma szybkość transmisji danych 1600 MT/s, docelowy czas 11-11-11, a tRCD, tRP i CL wynoszą 13,75 ns.

Tabela 2 przedstawia parametry adresowania dla trzech różnych konfiguracji pamięci: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 i 256 Meg x 16. Dla konfiguracji 1 Gig x 4, struktura to 128 Meg x 4 x 8 banków, z 8K liczbą odświeżeń, 64K adresowaniem wiersza obejmującym A[15:0], 8-bankowym adresowaniem używającym BA[2:0], 2K adresowaniem kolumny obejmującym A[11, 9:0] i rozmiarem strony 1KB. Konfiguracja 512 Meg x 8 jest ustrukturyzowana jako 64 Meg x 8 x 8 banków, dzieląc tę samą 8K liczbę odświeżeń, 64K adresowanie wiersza (A[15:0]) i 8-bankowe adresowanie (BA[2:0]) co wariant 1 Gig x 4, jednocześnie posiadając 1K adresowanie kolumny (A[9:0]) i rozmiar strony 1KB. Konfiguracja 256 Meg x 16 ma strukturę 32 Meg x 16 x 8 banków, identyczną 8K liczbę odświeżeń i 8-bankowe adresowanie (BA[2:0]), 32K adresowanie wiersza obejmujące A[14:0], 1K adresowanie kolumny (A[9:0]) i większy rozmiar strony 2KB.

MT41K256M16TW-107:P Mikrokontrolery Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-kulkowy FBGA PC3L-1866

Tagi:

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

szczegółowe informacje o produktach

MT41K256M16TW-107:P Mikrokontrolery Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-kulkowy FBGA PC3L-1866

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI

TSLC Semileds Koralik Lampy LED

Układ diodowy dużej mocy

CHIP LED OSRAM

Układ Cree Led

Układy scalone ST

Chipsy TI

chip bridgelux LED

Chip Infineona

Chip LED LUMINUS

Koraliki do lampy LED

Układy scalone SAMSUNG

Chipy mikronowe

Układy SK Hynix

Układ LED Lumileds

Dioda LED SAMSUNG

SEOUL LED Chip

NICHIA LED Chip

NeXperia Chip

Układy ONsemi

chipy ADI