جزئیات محصولات

خونه محصولات

تراشه های میکرون

MT41K256M16TW-107:P تراشه‌های Micron 1.35 ولت DDR3L 512 مگابایت 96 توپ FBGA PC3L-1866

تمام دسته ها

تراشه LED با قدرت بالا

با ما تماس بگیرید

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

حالا تماس بگیرید

تمام دسته ها

MT41K256M16TW-107:P تراشه‌های Micron 1.35 ولت DDR3L 512 مگابایت 96 توپ FBGA PC3L-1866

نام تجاری:	Micron
شماره مدل:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	100
شرایط پرداخت:	T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

چگالی کل:

4 گیگابایت

MT41K1G4، MT41K512M8، MT41K256M16

بانک های داخلی:

دمای عملیاتی:

تجاری: 0°C تا +95°C; صنعتی (IT): -40 درجه سانتیگراد تا +95 درجه سانتیگراد

ویژگی ها:

سطح بندی نوشتن، ثبت چند منظوره، کالیبراسیون درایور خروجی

نام محصول:

میکرون

قابلیت ارائه:

1000000

برجسته کردن:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW تراشه‌های Micron

1.35 ولت DDR3L SDRAM

توضیحات محصول

تراشه‌های Micron MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

توضیحات

DDR3L SDRAM (1.35V) نسخه کم ولتاژ

DDR3 (1.5V) SDRAM است. به DDR3 (1.5V) SDRAM

مشخصات دیتاشیت (Die Rev.: E) هنگام اجرا در

حالت سازگار با 1.5 ولت مراجعه کنید.

ویژگی‌ها

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• سازگاری با عقب به VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– پشتیبانی از دستگاه‌های DDR3L برای سازگاری با عقب

در برنامه‌های 1.5 ولت

• Strobe داده دوطرفه دیفرانسیلی

• معماری پیش‌خوان 8 بیتی

• ورودی‌های کلاک دیفرانسیلی (CK, CK#)

• 8 بانک داخلی

• پایان‌دهی داخلی اسمی و پویا (ODT)

برای سیگنال‌های داده، Strobe و ماسک

• تأخیر CAS قابل برنامه‌ریزی (READ) (CL)

• تأخیر افزایشی CAS منتشر شده قابل برنامه‌ریزی (AL)

• تأخیر CAS قابل برنامه‌ریزی (WRITE) (CWL)

• طول انفجار ثابت (BL) 8 و برش انفجار (BC) 4

(از طریق مجموعه رجیستر حالت [MRS])

• BC4 یا BL8 انتخابی در پرواز (OTF)

• حالت خودکار تازه‌سازی

• TC از 0 درجه سانتی‌گراد تا +95 درجه سانتی‌گراد

– تازه‌سازی 64 میلی‌ثانیه، 8192 چرخه در دمای 0 درجه سانتی‌گراد تا +85 درجه سانتی‌گراد

– 32 میلی‌ثانیه در دمای +85 درجه سانتی‌گراد تا +95 درجه سانتی‌گراد

• دمای خودکار تازه‌سازی (SRT)

• خودکار تازه‌سازی خودکار (ASR)

• تراز کردن نوشتن

• رجیستر چند منظوره

• کالیبراسیون درایور خروجی

گزینه‌ها

پیکربندی

1 گیگابایت × 4 → علامت‌گذاری: 1G4

512 مگابایت × 8 → علامت‌گذاری: 512M8

256 مگابایت × 16 → علامت‌گذاری: 256M16

بسته FBGA (بدون سرب) – x4, x8

78 پین (8 میلی‌متر × 10.5 میلی‌متر) بازنگری P → علامت‌گذاری: DA

بسته FBGA (بدون سرب) – x16

96 پین (8 میلی‌متر × 14 میلی‌متر) بازنگری P → علامت‌گذاری: TW

زمان‌بندی – زمان چرخه

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → علامت‌گذاری: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → علامت‌گذاری: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → علامت‌گذاری: -125

گزینه‌های ویژه

محصول چرخه عمر ممتاز (PLP) → علامت‌گذاری: X

دمای عملیاتی

تجاری (0 درجه سانتی‌گراد ≤ T_C ≤ +95 درجه سانتی‌گراد) → علامت‌گذاری: ندارد

صنعتی (–40 درجه سانتی‌گراد ≤ T_C ≤ +95 درجه سانتی‌گراد) → علامت‌گذاری: IT

بازنگری

→ علامت‌گذاری: P

جدول 1 پارامترهای کلیدی زمان‌بندی را برای سرعت‌های مختلف حافظه ارائه می‌دهد. سرعت -093، که از نرخ داده 2133 MT/s پشتیبانی می‌کند، دارای زمان‌بندی هدف tRCD-tRP-CL 14-14-14 است، که هر یک از tRCD، tRP و CL در 13.09 نانوثانیه اندازه‌گیری می‌شوند و با CL=13 (-107) به 1866 MT/s و همچنین با CL=11 (-125) به 1600 MT/s سازگار است. سرعت -107 با نرخ داده 1866 MT/s کار می‌کند، با زمان‌بندی هدف 13-13-13 و هر سه پارامتر tRCD، tRP و CL برابر با 13.91 نانوثانیه، و با CL=11 (-125) به 1600 MT/s سازگار است. سرعت -125 دارای نرخ داده 1600 MT/s، زمان‌بندی هدف 11-11-11 و tRCD، tRP و CL همگی در 13.75 نانوثانیه است.

جدول 2 پارامترهای آدرس‌دهی را برای سه پیکربندی مختلف حافظه ترسیم می‌کند: 1 گیگابایت × 4، 512 مگابایت × 8 و 256 مگابایت × 16. برای پیکربندی 1 گیگابایت × 4، ساختار 128 مگابایت × 4 × 8 بانک، با شمارش تازه‌سازی 8K، آدرس سطر 64K که A[15:0] را پوشش می‌دهد، آدرس 8 بانک با استفاده از BA[2:0]، آدرس ستون 2K که A[11, 9:0] را پوشش می‌دهد، و اندازه صفحه 1 کیلوبایتی است. پیکربندی 512 مگابایت × 8 به صورت 64 مگابایت × 8 × 8 بانک ساخته شده است، که همان شمارش تازه‌سازی 8K، آدرس سطر 64K (A[15:0]) و آدرس 8 بانک (BA[2:0]) را با نوع 1 گیگابایت × 4 به اشتراک می‌گذارد، در حالی که دارای آدرس ستون 1K (A[9:0]) و اندازه صفحه 1 کیلوبایتی است. پیکربندی 256 مگابایت × 16 دارای ساختار 32 مگابایت × 16 × 8 بانک، شمارش تازه‌سازی 8K و آدرس 8 بانک (BA[2:0]) یکسان، آدرس سطر 32K که A[14:0] را پوشش می‌دهد، آدرس ستون 1K (A[9:0]) و اندازه صفحه بزرگتر 2 کیلوبایتی است.

MT41K256M16TW-107:P تراشه‌های Micron 1.35 ولت DDR3L 512 مگابایت 96 توپ FBGA PC3L-1866

برچسب ها:

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

جزئیات محصولات

MT41K256M16TW-107:P تراشه‌های Micron 1.35 ولت DDR3L 512 مگابایت 96 توپ FBGA PC3L-1866

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI

TSLC سمیلدز مهره لامپ LED

تراشه LED با قدرت بالا

تراشه LED OSRAM

تراشه Cree Led

تراشه های آی سی ST

تراشه های TI

تراشه ی LED bridgelux

تراشه Infineon

تراشه LED LUMINUS

مهره های لامپ ال ای دی

تراشه های آی سی سامسونگ

تراشه های میکرون

تراشه‌های اس‌کی هاینیکس

چیپ LED روشنایی

تراشه LED سامسونگ

چیپ ال ای دی سئول

تراشه ال ای دی نایسیا

تراشه‌های نکست‌پری

تراشه‌های ONsemi

تراشه های ADI