Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Микронные чипы

MT41K256M16TW-107:P Микросхемы Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-шариковый FBGA PC3L-1866

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Свяжитесь мы

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Контакт теперь

Все категории

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

MT41K256M16TW-107:P Микросхемы Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-шариковый FBGA PC3L-1866

Название бренда:	Micron
Номер модели:	МТ41К256М16ТВ-107:П
минимальный заказ:	100
Условия оплаты:	Т/Т

Детальная информация

Описание продукта

Детальная информация

Место происхождения:

Китай

Общая плотность:

модель:

МТ41К1Г4, МТ41К512М8, МТ41К256М16

Внутренние банки:

Рабочая температура:

Коммерческий: от 0°C до +95°C; Промышленность (ИТ): от -40°C до +95°C

Функции:

Выравнивание записи, универсальный регистр, калибровка выходного драйвера

Название продукта:

микрон

Поставка способности:

1000000

Выделить:

МТ41К256М16ТВ-107:П

MT41K256M16TW Микросхемы Micron

1.35V DDR3L SDRAM

Описание продукта

Микросхемы Micron MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512 МБ 96-шариковый FBGA PC3L-1866

Описание

DDR3L SDRAM (1,35 В) — это версия SDRAM

DDR3 (1,5 В) с низким напряжением. Обратитесь к спецификациям листа данных

DDR3 (1,5 В) SDRAM (ревизия кристалла: E) при работе в

совместимом режиме 1,5 В.

Особенности

• VDD = VDDQ = 1,35 В (1,283–1,45 В)

• Обратная совместимость с VDD = VDDQ = 1,5 В ±0,075 В

– Поддержка устройств DDR3L для обратной совместимости

в приложениях 1,5 В

• Дифференциальный двунаправленный строб данных

• Архитектура с предвыборкой 8n-бит

• Дифференциальные входы тактового сигнала (CK, CK#)

• 8 внутренних банков

• Номинальная и динамическая встроенная терминация (ODT)

для сигналов данных, строба и маски

• Программируемая задержка CAS (ЧТЕНИЕ) (CL)

• Программируемая пост-задержка CAS (AL)

• Программируемая задержка CAS (ЗАПИСЬ) (CWL)

• Фиксированная длина пакета (BL) 8 и усечение пакета (BC) 4

(через регистр режима [MRS])

• Выбираемый BC4 или BL8 на лету (OTF)

• Режим самообновления

• TC от 0°C до +95°C

– 64 мс, 8192 цикла обновления при 0°C до +85°C

– 32 мс при +85°C до +95°C

• Температура самообновления (SRT)

• Автоматическое самообновление (ASR)

• Выравнивание записи

• Регистр многоцелевого назначения

• Калибровка выходного драйвера

Варианты

Конфигурация

1 гигабит x 4 → Маркировка: 1G4

512 мегабит x 8 → Маркировка: 512M8

256 мегабит x 16 → Маркировка: 256M16

Корпус FBGA (без свинца) – x4, x8

78-шариковый (8 мм x 10,5 мм) Ревизия P → Маркировка: DA

Корпус FBGA (без свинца) – x16

96-шариковый (8 мм x 14 мм) Ревизия P → Маркировка: TW

Временные параметры – время цикла

938 пс при CL = 14 (DDR3-2133) → Маркировка: -093

1,07 нс при CL = 13 (DDR3-1866) → Маркировка: -107

1,25 нс при CL = 11 (DDR3-1600) → Маркировка: -125

Специальные варианты

Продукт премиум-жизненного цикла (PLP) → Маркировка: X

Рабочая температура

Коммерческая (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Маркировка: Нет

Промышленная (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Маркировка: IT

Ревизия

→ Маркировка: P

Таблица 1 представляет ключевые временные параметры для различных скоростных классов памяти. Скоростной класс -093, поддерживающий скорость передачи данных 2133 МТ/с, имеет целевые временные параметры tRCD-tRP-CL 14-14-14, при этом каждый из tRCD, tRP и CL измеряется как 13,09 нс, и он обратно совместим с 1866 МТ/с с CL=13 (-107), а также с 1600 МТ/с с CL=11 (-125). Скоростной класс -107 работает на скорости передачи данных 1866 МТ/с с целевыми временными параметрами 13-13-13, и все три параметра tRCD, tRP и CL равны 13,91 нс, и он обратно совместим с 1600 МТ/с с CL=11 (-125). Скоростной класс -125 имеет скорость передачи данных 1600 МТ/с, целевые временные параметры 11-11-11, и tRCD, tRP и CL равны 13,75 нс.

Таблица 2 описывает параметры адресации для трех различных конфигураций памяти: 1 гигабит x 4, 512 мегабит x 8 и 256 мегабит x 16. Для конфигурации 1 гигабит x 4 структура представляет собой 128 мегабит x 4 x 8 банков, с 8K циклов обновления, 64K адрес строки, охватывающий A[15:0], 8-банковый адрес, использующий BA[2:0], 2K адрес столбца, охватывающий A[11, 9:0], и размер страницы 1 КБ. Конфигурация 512 мегабит x 8 имеет структуру 64 мегабит x 8 x 8 банков, с тем же количеством циклов обновления 8K, адресом строки 64K (A[15:0]) и адресом 8 банков (BA[2:0]), что и вариант 1 гигабит x 4, при этом имеет адрес столбца 1K (A[9:0]) и размер страницы 1 КБ. Конфигурация 256 мегабит x 16 имеет структуру 32 мегабит x 16 x 8 банков, идентичное количество циклов обновления 8K и адрес 8 банков (BA[2:0]), адрес строки 32K, охватывающий A[14:0], адрес столбца 1K (A[9:0]) и больший размер страницы 2 КБ.

MT41K256M16TW-107:P Микросхемы Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-шариковый FBGA PC3L-1866

Теги:

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Подробная информация о продукции

MT41K256M16TW-107:P Микросхемы Micron 1.35V DDR3L 512MB 96-шариковый FBGA PC3L-1866

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI

TSLC Semileds Светодиодные ламповые бусины

Светодиодный чип высокой мощности

Светодиодный чип OSRAM

Обломок СИД Кри

ST IC чипы

чипы TI

Чип Bridgelux LED

Чип Инфинеон

Светодиодный чип LUMINUS

Шарики лампы СИД

Микросхемы SAMSUNG

Микронные чипы

SK Hynix Чипы

Светодиодный чип LumiLEDs

LED-чип SAMSUNG

Светодиодный чип SEOUL

Светодиодный чип NICHIA

Чипы NeXperia

ONsemi Чипы

чипы ADI