details van de producten

Huis Producten

Micron-chips

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Alle Categorieën

Hoogvermogen led-chip

Contacteer ons

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Contact nu

Alle Categorieën

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Merknaam:	Micron
Modelnummer:	MT41K256M16TW-107: P
MOQ:	100
Betalingsvoorwaarden:	T/T

Gedetailleerde informatie

Productbeschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

China

Totale dichtheid:

model:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Interne banken:

Bedrijfstemperatuur:

Commercieel: 0°C tot +95°C; Industrieel (IT): -40°C tot +95°C

Functies:

Schrijfnivellering, multifunctioneel register, kalibratie van uitgangsstuurprogramma

Productnaam:

Micron

Levering vermogen:

1000000

Markeren:

MT41K256M16TW-107: P

MT41K256M16TW Micron Chips

1.35V DDR3L SDRAM

Productbeschrijving

Micron chips MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Beschrijving

DDR3L SDRAM (1.35V) is een versie met een laag voltage van de

DDR3 (1.5V) SDRAM. Raadpleeg het datablad van DDR3 (1.5V) SDRAM

(Die Rev.: E) specificaties bij gebruik in

1.5V compatibele modus.

Functies

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• Achterwaarts compatibel met VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– Ondersteunt DDR3L-apparaten om achterwaarts compatibel te zijn

in 1.5V toepassingen

• Differentiële bidirectionele datastrobe

• 8n-bit prefetch-architectuur

• Differentiële klokingangen (CK, CK#)

• 8 interne banken

• Nominale en dynamische on-die terminatie (ODT)

voor data-, strobe- en masks-signalen

• Programmeerbare CAS (READ) latentie (CL)

• Programmeerbare posted CAS additieve latentie (AL)

• Programmeerbare CAS (WRITE) latentie (CWL)

• Vaste burstlengte (BL) van 8 en burst chop (BC) van 4

(via de mode register set [MRS])

• Selecteerbare BC4 of BL8 on-the-fly (OTF)

• Zelfvernieuwingsmodus

• TC van 0°C tot +95°C

– 64ms, 8192-cyclus vernieuwing bij 0°C tot +85°C

– 32ms bij +85°C tot +95°C

• Zelfvernieuwings temperatuur (SRT)

• Automatische zelfvernieuwing (ASR)

• Write leveling

• Multifunctioneel register

• Output driver kalibratie

Opties

Configuratie

1 Gig x 4 → Markering: 1G4

512 Meg x 8 → Markering: 512M8

256 Meg x 16 → Markering: 256M16

FBGA-pakket (Pb-vrij) – x4, x8

78-ball (8mm x 10.5mm) Rev. P → Markering: DA

FBGA-pakket (Pb-vrij) – x16

96-ball (8mm x 14mm) Rev. P → Markering: TW

Timing – cyclustijd

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Markering: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Markering: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Markering: -125

Speciale Opties

Premium Lifecycle Product (PLP) → Markering: X

Bedrijfstemperatuur

Commercieel (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Markering: Geen

Industrieel (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Markering: IT

Revisie

→ Markering: P

Tabel 1 presenteert de belangrijkste timingparameters voor verschillende geheugensnelheidsklassen. De -093 snelheidsklasse, die een datasnelheid van 2133 MT/s ondersteunt, heeft een doel-tRCD-tRP-CL timing van 14-14-14, waarbij tRCD, tRP en CL elk worden gemeten op 13,09 ns, en is achterwaarts compatibel met 1866 MT/s met CL=13 (-107) en ook met 1600 MT/s met CL=11 (-125). De -107 snelheidsklasse werkt met een datasnelheid van 1866 MT/s, met een doel-timing van 13-13-13 en alle drie de parameters tRCD, tRP en CL gelijk aan 13,91 ns, en is achterwaarts compatibel met 1600 MT/s met CL=11 (-125). De -125 snelheidsklasse heeft een datasnelheid van 1600 MT/s, een doel-timing van 11-11-11, en tRCD, tRP en CL allemaal op 13,75 ns.

Tabel 2 schetst de adresseerparameters voor drie verschillende geheugenconfiguraties: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 en 256 Meg x 16. Voor de 1 Gig x 4 configuratie is de structuur 128 Meg x 4 x 8 banken, met een 8K refresh-telling, een 64K rijadres dat A[15:0] omspant, een 8-bankadres met BA[2:0], een 2K kolomadres dat A[11, 9:0] beslaat, en een paginagrootte van 1KB. De 512 Meg x 8 configuratie is gestructureerd als 64 Meg x 8 x 8 banken, met dezelfde 8K refresh-telling, 64K rijadres (A[15:0]) en 8-bankadres (BA[2:0]) als de 1 Gig x 4 variant, terwijl het een 1K kolomadres (A[9:0]) en een paginagrootte van 1KB heeft. De 256 Meg x 16 configuratie heeft een 32 Meg x 16 x 8 banken structuur, een identieke 8K refresh-telling en 8-bankadres (BA[2:0]), een 32K rijadres dat A[14:0] omspant, een 1K kolomadres (A[9:0]) en een grotere paginagrootte van 2KB.

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Labels:

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

details van de producten

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips

TSLC-semileden LED-lampkralen

Hoogvermogen led-chip

OSRAM LED-CHIP

Cree LEIDENE Spaander

ST IC-chips

TI-chips

Bridgelux LED-chip

Infineon-chip

LUMINUS LED-chip

LEIDENE lampparels

SAMSUNG IC-chips

Micron-chips

SK Hynix Chips

LumiLEDs LED-chip

SAMSUNG LED chip

SEOUL LED Chip

NICHIA LED-chip

NeXperia Chips

ONsemi Chips

ADI-chips