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माइक्रोन चिप्स

MT41K256M16TW-107:P माइक्रोन चिप्स 1.35V डीडीआर3एल 512एमबी 96-बॉल एफबीजीए पीसी3एल-1866

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MT41K256M16TW-107:P माइक्रोन चिप्स 1.35V डीडीआर3एल 512एमबी 96-बॉल एफबीजीए पीसी3एल-1866

ब्रांड का नाम:	Micron
मॉडल नंबर:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	100
भुगतान की शर्तें:	टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

कुल घनत्व:

4जीबी

नमूना:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

आंतरिक बैंक:

परिचालन तापमान:

वाणिज्यिक: 0°C से +95°C; औद्योगिक (आईटी): -40°C से +95°C

विशेषताएँ:

लेवलिंग, बहुउद्देशीय रजिस्टर, आउटपुट ड्राइवर अंशांकन लिखें

प्रोडक्ट का नाम:

माइक्रोन

आपूर्ति की क्षमता:

1000000

प्रमुखता देना:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW माइक्रोन चिप्स

1.35V DDR3L SDRAM

उत्पाद वर्णन

Micron चिप्स MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-बॉल FBGA PC3L-1866

विवरण

DDR3L SDRAM (1.35V) एक कम वोल्टेज वाला संस्करण है

DDR3 (1.5V) SDRAM का। DDR3 (1.5V) SDRAM देखें

(Die Rev.: E) डेटा शीट विनिर्देश जब चल रहा हो

1.5V संगत मोड में।

विशेषताएं

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V के लिए पश्चगामी संगत

– DDR3L उपकरणों को पश्चगामी संगत बनाने का समर्थन करता है

1.5V अनुप्रयोगों में

• विभेदक द्विदिश डेटा स्ट्रोब

• 8n-बिट प्रीफेच आर्किटेक्चर

• विभेदक क्लॉक इनपुट (CK, CK#)

• 8 आंतरिक बैंक

• डेटा, स्ट्रोब और मास्क सिग्नल के लिए नाममात्र और गतिशील ऑन-डाई टर्मिनेशन (ODT)

• प्रोग्रामेबल CAS (READ) लेटेंसी (CL)

• प्रोग्रामेबल पोस्टेड CAS एडिटिव लेटेंसी (AL)

• प्रोग्रामेबल CAS (WRITE) लेटेंसी (CWL)

• निश्चित बर्स्ट लेंथ (BL) 8 और बर्स्ट चॉप (BC) 4 का

(मोड रजिस्टर सेट [MRS] के माध्यम से)

• ऑन-द-फ्लाई (OTF) पर चयन योग्य BC4 या BL8

• सेल्फ रिफ्रेश मोड

• TC 0°C से +95°C तक

– 64ms, 0°C से +85°C पर 8192-साइकिल रिफ्रेश

– +85°C से +95°C पर 32ms

• सेल्फ रिफ्रेश तापमान (SRT)

• स्वचालित सेल्फ रिफ्रेश (ASR)

• राइट लेवलिंग

• मल्टीपर्पस रजिस्टर

• आउटपुट ड्राइवर कैलिब्रेशन

विकल्प

विन्यास

1 गीगा x 4 → मार्किंग: 1G4

512 मेगा x 8 → मार्किंग: 512M8

256 मेगा x 16 → मार्किंग: 256M16

FBGA पैकेज (Pb-मुक्त) – x4, x8

78-बॉल (8mm x 10.5mm) Rev. P → मार्किंग: DA

FBGA पैकेज (Pb-मुक्त) – x16

96-बॉल (8mm x 14mm) Rev. P → मार्किंग: TW

टाइमिंग – साइकिल समय

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → मार्किंग: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → मार्किंग: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → मार्किंग: -125

विशेष विकल्प

प्रीमियम लाइफसाइकिल उत्पाद (PLP) → मार्किंग: X

ऑपरेटिंग तापमान

वाणिज्यिक (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → मार्किंग: कोई नहीं

औद्योगिक (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → मार्किंग: IT

संशोधन

→ मार्किंग: P

तालिका 1 विभिन्न मेमोरी स्पीड ग्रेड के लिए प्रमुख टाइमिंग पैरामीटर प्रस्तुत करती है। -093 स्पीड ग्रेड, जो 2133 MT/s की डेटा दर का समर्थन करता है, में 14-14-14 का लक्ष्य tRCD-tRP-CL टाइमिंग है, जिसमें tRCD, tRP, और CL प्रत्येक 13.09 ns पर मापा जाता है, और यह 1866 MT/s के लिए CL=13 (-107) और 1600 MT/s के लिए CL=11 (-125) के साथ पश्चगामी संगत है। -107 स्पीड ग्रेड 1866 MT/s की डेटा दर पर संचालित होता है, जिसमें 13-13-13 का लक्ष्य टाइमिंग और tRCD, tRP, और CL तीनों पैरामीटर 13.91 ns के बराबर होते हैं, और यह 1600 MT/s के लिए CL=11 (-125) के साथ पश्चगामी संगत है। -125 स्पीड ग्रेड में 1600 MT/s की डेटा दर, 11-11-11 का लक्ष्य टाइमिंग, और tRCD, tRP, और CL सभी 13.75 ns पर होते हैं।

तालिका 2 तीन विभिन्न मेमोरी विन्यासों के लिए एड्रेसिंग पैरामीटर की रूपरेखा प्रस्तुत करती है: 1 गीगा x 4, 512 मेगा x 8, और 256 मेगा x 16। 1 गीगा x 4 विन्यास के लिए, संरचना 128 मेगा x 4 x 8 बैंक है, जिसमें 8K रिफ्रेश काउंट, 64K रो एड्रेस A[15:0] तक फैला हुआ है, 8-बैंक एड्रेस BA[2:0] का उपयोग करता है, 2K कॉलम एड्रेस A[11, 9:0] को कवर करता है, और 1KB पेज साइज है। 512 मेगा x 8 विन्यास 64 मेगा x 8 x 8 बैंक के रूप में संरचित है, जो समान 8K रिफ्रेश काउंट, 64K रो एड्रेस (A[15:0]), और 8-बैंक एड्रेस (BA[2:0]) को 1 गीगा x 4 वेरिएंट के रूप में साझा करता है, जबकि 1K कॉलम एड्रेस (A[9:0]) और 1KB पेज साइज की सुविधा देता है। 256 मेगा x 16 विन्यास में 32 मेगा x 16 x 8 बैंक संरचना, एक समान 8K रिफ्रेश काउंट और 8-बैंक एड्रेस (BA[2:0]), 32K रो एड्रेस A[14:0] तक फैला हुआ है, 1K कॉलम एड्रेस (A[9:0]), और एक बड़ा 2KB पेज साइज है।

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