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MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

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MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Marchio:	Micron
Numero di modello:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	100
Termini di pagamento:	T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Densità totale:

modello:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Banche interne:

Temperatura operativa:

Commerciale: da 0°C a +95°C; Industriale (IT): da -40°C a +95°C

Caratteristiche:

Livellamento scrittura, Registro multiuso, Calibrazione driver di uscita

Nome del prodotto:

Micron

Capacità di alimentazione:

1000000

Evidenziare:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW Microchip

1.35V DDR3L SDRAM

Descrizione del prodotto

Micron chip MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Descrizione

DDR3L SDRAM (1.35V) è una versione a bassa tensione di

DDR3 (1.5V) SDRAM. Fare riferimento alle specifiche del foglio dati

DDR3 (1.5V) SDRAM (Revisione Die: E) quando si opera in

modalità compatibile con 1.5V.

Caratteristiche

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• Retrocompatibile con VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– Supporta dispositivi DDR3L per essere retrocompatibili in applicazioni da 1.5V

• Strobo dati bidirezionale differenziale

• Architettura di prefetch a 8n bit

• Ingressi clock differenziali (CK, CK#)

• 8 banchi interni

• Terminazione on-die (ODT) nominale e dinamica

per segnali dati, strobo e maschera

• Latenza programmabile CAS (READ) (CL)

• Latenza additiva CAS posticipata programmabile (AL)

• Latenza programmabile CAS (WRITE) (CWL)

• Lunghezza burst fissa (BL) di 8 e burst chop (BC) di 4

(tramite il registro di modalità [MRS])

• BC4 o BL8 selezionabile on-the-fly (OTF)

• Modalità di auto-refresh

• TC da 0°C a +95°C

– Refresh a 64 ms, 8192 cicli a 0°C a +85°C

– 32 ms a +85°C a +95°C

• Temperatura di auto-refresh (SRT)

• Auto-refresh automatico (ASR)

• Livellamento in scrittura

• Registro multiuso

• Calibrazione driver di uscita

Opzioni

Configurazione

1 Gig x 4 → Marcatura: 1G4

512 Meg x 8 → Marcatura: 512M8

256 Meg x 16 → Marcatura: 256M16

Package FBGA (senza piombo) – x4, x8

78-ball (8mm x 10.5mm) Rev. P → Marcatura: DA

Package FBGA (senza piombo) – x16

96-ball (8mm x 14mm) Rev. P → Marcatura: TW

Timing – tempo di ciclo

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Marcatura: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Marcatura: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Marcatura: -125

Opzioni speciali

Prodotto Premium Lifecycle (PLP) → Marcatura: X

Temperatura operativa

Commerciale (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Marcatura: Nessuna

Industriale (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Marcatura: IT

Revisione

→ Marcatura: P

La Tabella 1 presenta i parametri di temporizzazione chiave per diverse velocità di memoria. La velocità -093, che supporta una velocità dati di 2133 MT/s, presenta un timing tRCD-tRP-CL target di 14-14-14, con ciascuno di tRCD, tRP e CL misurato a 13.09 ns, ed è retrocompatibile con 1866 MT/s con CL=13 (-107) e anche con 1600 MT/s con CL=11 (-125). La velocità -107 opera a una velocità dati di 1866 MT/s, con un timing target di 13-13-13 e tutti e tre i parametri tRCD, tRP e CL uguali a 13.91 ns, ed è retrocompatibile con 1600 MT/s con CL=11 (-125). La velocità -125 ha una velocità dati di 1600 MT/s, un timing target di 11-11-11 e tRCD, tRP e CL tutti a 13.75 ns.

La Tabella 2 delinea i parametri di indirizzamento per tre diverse configurazioni di memoria: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 e 256 Meg x 16. Per la configurazione 1 Gig x 4, la struttura è 128 Meg x 4 x 8 banchi, con un conteggio di refresh 8K, un indirizzo di riga 64K che copre A[15:0], un indirizzo di 8 banchi che utilizza BA[2:0], un indirizzo di colonna 2K che copre A[11, 9:0] e una dimensione di pagina di 1KB. La configurazione 512 Meg x 8 è strutturata come 64 Meg x 8 x 8 banchi, condividendo lo stesso conteggio di refresh 8K, indirizzo di riga 64K (A[15:0]) e indirizzo di 8 banchi (BA[2:0]) della variante 1 Gig x 4, pur presentando un indirizzo di colonna 1K (A[9:0]) e una dimensione di pagina di 1KB. La configurazione 256 Meg x 16 ha una struttura 32 Meg x 16 x 8 banchi, un conteggio di refresh 8K identico e un indirizzo di 8 banchi (BA[2:0]), un indirizzo di riga 32K che copre A[14:0], un indirizzo di colonna 1K (A[9:0]) e una dimensione di pagina più grande di 2KB.

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