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MT41K256M16TW-107:P 마이크론 칩 1.35V DDR3L 512MB 96볼 FBGA PC3L-1866

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MT41K256M16TW-107:P 마이크론 칩 1.35V DDR3L 512MB 96볼 FBGA PC3L-1866

브랜드 이름:	Micron
모델 번호:	MT41K256M16TW-107:P
MOQ:	100
지불 조건:	티/티

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

총 밀도:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

내부 은행:

작동 온도:

상업용: 0°C ~ +95°C; 산업(IT): -40°C ~ +95°C

쓰기 레벨링, 다목적 레지스터, 출력 드라이버 교정

공급 능력:

1000000

강조하다:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW 마이크론 칩

1.35V DDR3L SDRAM

제품 설명

Micron 칩 MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96볼 FBGA PC3L-1866

설명

DDR3L SDRAM(1.35V)은 DDR3(1.5V) SDRAM의 저전압 버전입니다. 1.5V 호환 모드에서 실행할 때 DDR3(1.5V) SDRAM(다이 개정: E) 데이터 시트 사양을 참조하십시오.

(다이 개정: E) 데이터 시트 사양을 참조하십시오.

1.5V 호환 모드.

특징

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V에 대한 역호환성

– 1.5V 애플리케이션에서 DDR3L 장치의 역호환성 지원

• 차동 양방향 데이터 스트로브

• 8비트 프리페치 아키텍처

• 차동 클럭 입력(CK, CK#)

• 8개의 내부 뱅크

• 데이터, 스트로브 및 마스크 신호를 위한 공칭 및 동적 온다이 종단(ODT)

• 프로그래밍 가능한 CAS(읽기) 지연 시간(CL)

• 프로그래밍 가능한 포스트 CAS 추가 지연 시간(AL)

• 프로그래밍 가능한 CAS(쓰기) 지연 시간(CWL)

• 고정 버스트 길이(BL) 8 및 버스트 찹(BC) 4 (모드 레지스터 세트 [MRS]를 통해)

• 선택 가능한 BC4 또는 BL8 온더플라이(OTF)

• 자체 새로고침 모드

• TC 0°C ~ +95°C

– 0°C ~ +85°C에서 64ms, 8192 사이클 새로고침

– +85°C ~ +95°C에서 32ms

• 자체 새로고침 온도(SRT)

• 자동 자체 새로고침(ASR)

• 쓰기 레벨링

• 다목적 레지스터

• 출력 드라이버 보정

옵션

구성

1기가 x 4 → 마킹: 1G4

512메가 x 8 → 마킹: 512M8

256메가 x 16 → 마킹: 256M16

FBGA 패키지(무연) – x4, x8

78볼(8mm x 10.5mm) 개정 P → 마킹: DA

FBGA 패키지(무연) – x16

96볼(8mm x 14mm) 개정 P → 마킹: TW

타이밍 – 사이클 시간

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → 마킹: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → 마킹: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → 마킹: -125

특수 옵션

프리미엄 라이프사이클 제품(PLP) → 마킹: X

작동 온도

상업용(0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → 마킹: 없음

산업용(–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → 마킹: IT

개정

→ 마킹: P

표 1은 다양한 메모리 속도 등급에 대한 주요 타이밍 매개변수를 제시합니다. 2133 MT/s의 데이터 속도를 지원하는 -093 속도 등급은 14-14-14의 tRCD-tRP-CL 타이밍을 특징으로 하며, tRCD, tRP 및 CL 각각은 13.09ns로 측정되며, CL=13(-107)으로 1866 MT/s에, CL=11(-125)으로 1600 MT/s에 역호환됩니다. -107 속도 등급은 1866 MT/s의 데이터 속도로 작동하며, 13-13-13의 타겟 타이밍과 13.91ns와 동일한 세 가지 매개변수 tRCD, tRP 및 CL을 가지며, CL=11(-125)으로 1600 MT/s에 역호환됩니다. -125 속도 등급은 1600 MT/s의 데이터 속도, 11-11-11의 타겟 타이밍, 그리고 13.75ns의 tRCD, tRP 및 CL을 가집니다.

표 2는 세 가지 다른 메모리 구성(1기가 x 4, 512메가 x 8, 256메가 x 16)에 대한 주소 지정 매개변수를 개략적으로 설명합니다. 1기가 x 4 구성의 경우, 구조는 128메가 x 4 x 8 뱅크이며, 8K 새로고침 횟수, 64K 행 주소(A[15:0]) 범위, 8뱅크 주소(BA[2:0]), 2K 열 주소(A[11, 9:0]) 범위, 1KB 페이지 크기를 가집니다. 512메가 x 8 구성은 64메가 x 8 x 8 뱅크로 구조화되며, 1기가 x 4 변형과 동일한 8K 새로고침 횟수, 64K 행 주소(A[15:0]), 8뱅크 주소(BA[2:0])를 공유하며, 1K 열 주소(A[9:0])와 1KB 페이지 크기를 특징으로 합니다. 256메가 x 16 구성은 32메가 x 16 x 8 뱅크 구조, 동일한 8K 새로고침 횟수 및 8뱅크 주소(BA[2:0]), 32K 행 주소(A[14:0]) 범위, 1K 열 주소(A[9:0]), 그리고 더 큰 2KB 페이지 크기를 가집니다.

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