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MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1,35V DDR3L 512MB 96-Kugel FBGA PC3L-1866

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MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1,35V DDR3L 512MB 96-Kugel FBGA PC3L-1866

Markenname:	Micron
Modellnummer:	MT41K256M16TW-107:P
Mindestbestellmenge:	100
Zahlungsbedingungen:	T/T

Detailinformationen

Produktbeschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

China

Gesamtdichte:

Modell:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Interne Banken:

Betriebstemperatur:

Gewerblich: 0 °C bis +95 °C; Industrie (IT): -40 °C bis +95 °C

Merkmale:

Schreibnivellierung, Mehrzweckregister, Ausgangstreiberkalibrierung

Produktname:

Mikron

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000000

Hervorheben:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW Micron Chips

1

Produktbeschreibung

Micron-Chips MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-Ball FBGA PC3L-1866

Beschreibung

DDR3L SDRAM (1,35V) ist eine Niederspannungsversion von

DDR3 (1,5V) SDRAM. Beziehen Sie sich auf DDR3 (1,5V) SDRAM

(Die Rev.: E) Datenblatt-Spezifikationen bei Betrieb im

1,5V-kompatiblen Modus.

Merkmale

• VDD = VDDQ = 1,35V (1,283–1,45V)

• Abwärtskompatibel zu VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V

– Unterstützt DDR3L-Geräte für Abwärtskompatibilität

in 1,5V-Anwendungen

• Differenzieller bidirektionaler Daten-Strobe

• 8n-Bit-Prefetch-Architektur

• Differenzielle Takteingänge (CK, CK#)

• 8 interne Bänke

• Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT)

für Daten-, Strobe- und Maskensignale

• Programmierbare CAS (READ)-Latenz (CL)

• Programmierbare Posted-CAS-Additivlatenz (AL)

• Programmierbare CAS (WRITE)-Latenz (CWL)

• Feste Burst-Länge (BL) von 8 und Burst Chop (BC) von 4

(über das Mode Register Set [MRS])

• Wählbares BC4 oder BL8 On-the-Fly (OTF)

• Selbstauffrischungsmodus

• TC von 0°C bis +95°C

– 64ms, 8192-Zyklen-Refresh bei 0°C bis +85°C

– 32ms bei +85°C bis +95°C

• Selbstauffrischungstemperatur (SRT)

• Automatische Selbstauffrischung (ASR)

• Write Leveling

• Mehrzweckregister

• Kalibrierung des Ausgangstreibers

Optionen

Konfiguration

1 Gig x 4 → Markierung: 1G4

512 Meg x 8 → Markierung: 512M8

256 Meg x 16 → Markierung: 256M16

FBGA-Gehäuse (Pb-frei) – x4, x8

78-Ball (8mm x 10,5mm) Rev. P → Markierung: DA

FBGA-Gehäuse (Pb-frei) – x16

96-Ball (8mm x 14mm) Rev. P → Markierung: TW

Timing – Zykluszeit

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Markierung: -093

1,07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Markierung: -107

1,25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Markierung: -125

Spezielle Optionen

Premium Lifecycle Product (PLP) → Markierung: X

Betriebstemperatur

Kommerziell (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Markierung: Keine

Industriell (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Markierung: IT

Revision

→ Markierung: P

Tabelle 1 zeigt die wichtigsten Timing-Parameter für verschiedene Speichergeschwindigkeitsklassen. Die Geschwindigkeitsklasse -093, die eine Datenrate von 2133 MT/s unterstützt, weist ein Ziel-tRCD-tRP-CL-Timing von 14-14-14 auf, wobei tRCD, tRP und CL jeweils bei 13,09 ns gemessen werden, und ist abwärtskompatibel zu 1866 MT/s mit CL=13 (-107) und auch zu 1600 MT/s mit CL=11 (-125). Die Geschwindigkeitsklasse -107 arbeitet mit einer Datenrate von 1866 MT/s, mit einem Ziel-Timing von 13-13-13 und allen drei Parametern tRCD, tRP und CL gleich 13,91 ns, und ist abwärtskompatibel zu 1600 MT/s mit CL=11 (-125). Die Geschwindigkeitsklasse -125 hat eine Datenrate von 1600 MT/s, ein Ziel-Timing von 11-11-11 und tRCD, tRP und CL alle bei 13,75 ns.

Tabelle 2 beschreibt die Adressierungsparameter für drei verschiedene Speicherkonfigurationen: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 und 256 Meg x 16. Für die 1 Gig x 4-Konfiguration ist die Struktur 128 Meg x 4 x 8 Bänke, mit einem 8K-Refresh-Zähler, einer 64K-Zeilenadresse, die A[15:0] überspannt, einer 8-Bank-Adresse, die BA[2:0] verwendet, einer 2K-Spaltenadresse, die A[11, 9:0] abdeckt, und einer 1KB-Seitengröße. Die 512 Meg x 8-Konfiguration ist als 64 Meg x 8 x 8 Bänke strukturiert und teilt sich denselben 8K-Refresh-Zähler, dieselbe 64K-Zeilenadresse (A[15:0]) und dieselbe 8-Bank-Adresse (BA[2:0]) wie die 1 Gig x 4-Variante, während sie eine 1K-Spaltenadresse (A[9:0]) und eine 1KB-Seitengröße aufweist. Die 256 Meg x 16-Konfiguration hat eine 32 Meg x 16 x 8 Bänke-Struktur, einen identischen 8K-Refresh-Zähler und dieselbe 8-Bank-Adresse (BA[2:0]), eine 32K-Zeilenadresse, die A[14:0] überspannt, eine 1K-Spaltenadresse (A[9:0]) und eine größere 2KB-Seitengröße.

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1,35V DDR3L 512MB 96-Kugel FBGA PC3L-1866

Schlagworte:

OSRAM LED-CHIP

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TSLC Semileds LED Lamp Beads

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