Ürün ayrıntıları

Evde Ürün

Mikron çipleri

MT41K256M16TW-107:P Micron Çipleri 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Bizimle İletişim

Miss. alice

sales_deng@163.com

+86 18802688921

Şimdi iletişime geçin

Tüm Kategori

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

MT41K256M16TW-107:P Micron Çipleri 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Marka Adı:	Micron
Model Numarası:	MT41K256M16TW-107:P
Adedi:	100
Ödeme Koşulları:	T/T

Detay Bilgisi

Ürün Açıklaması

Detay Bilgisi

Menşe yeri:

Toplam Yoğunluk:

4 cigabayt

modeli:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Dahili Bankalar:

Çalışma Sıcaklığı:

Ticari: 0°C ila +95°C; Endüstriyel (IT): -40°C ila +95°C

Özellikler:

Yazma seviyelendirme, Çok amaçlı kayıt, Çıkış sürücüsü kalibrasyonu

Ürün adı:

Mikron

Yetenek temini:

1000000

Vurgulamak:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW Micron Çipleri

1.35V DDR3L SDRAM

Ürün Açıklaması

Mikron yongaları MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96 toplu FBGA PC3L-1866

Açıklama

DDR3L SDRAM (1.35V) düşük voltajlı bir sürümdür.

DDR3 (1.5V) SDRAM'a başvurun.

(Die Rev.: E) veri sayfası özellikleri

1.5V uyumlu mod.

Özellikleri

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283 ̇1.45V)

• VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V'ye geri uyumlu

DDR3L cihazlarını geriye dönük olarak destekler.

1.5V uygulamalarda dayanıklı

• Farklı iki yönlü veri strobosu

• 8n-bit prefetch mimarisi

• Farklı saat girişleri (CK, CK#)

• 8 iç banka

• Nominal ve dinamik ölçekleme sonlandırma (ODT)

Veriler, stroboskop ve maske sinyalleri için

• Programlanabilir CAS (OKU) gecikme (CL)

• Programlanabilir yayınlanan CAS eklenti gecikme (AL)

• Programlanabilir CAS (Yazma) gecikme (CWL)

• Sabit patlama uzunluğu (BL) 8 ve patlama kesimi (BC) 4

(mod kayıt seti [MRS] aracılığıyla)

• Seçilebilir BC4 veya BL8 Uçuşta (OTF)

• Otomatik yenileme modu

• TC 0°C'den +95°C'ye kadar

64ms, 0°C'den +85°C'ye 8192 döngü yenilenme

+85°C'den +95°C'ye 32ms

• Kendini yenileme sıcaklığı (SRT)

• Otomatik yenileme (ASR)

• Düzleştirme yazın

• Çok amaçlı kayıt

• Çıkış sürücüsü kalibrasyonu

Seçenekler

Yapılandırma

1 Gig x 4 → İşaretleme: 1G4

512 Meg x 8 → İşaret: 512M8

256 Meg x 16 → 256M16

FBGA paketi (Pb içermiyor) ¢ x4, x8

78-topu (8mm x 10.5mm) Rev. P → İşaretleme: DA

FBGA paketi (Pb içermiyor) x16

96 top (8mm x 14mm) Rev. P → İşaret: TW

Zamanlama ∙ döngü süresi

938ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → İşaret: -093

1.07ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → İşaret: -107

1.25ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → İşaret: -125

Özel Seçenekler

Premium Yaşam Döngüsü Ürünü (PLP) → İşaret: X

Çalışma sıcaklığı

Ticari (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → İşaret: Hiç

Endüstriyel (T_C ≤ +95°C) → İşaret: IT

Değiştirme

→ İşaretleme: P

Tablo 1, farklı bellek hızı dereceleri için ana zamanlama parametrelerini sunar. 2133 MT/s verim hızını destekleyen -093 hız derecesi, 14-14-14'lik bir hedef tRCD-tRP-CL zamanlamasına sahiptir.TRCD'nin her biriyle, tRP ve CL 13,09 ns'de ölçülür ve CL=13 (-107) ile 1866 MT/s'ye ve CL=11 (-125) ile 1600 MT/s'ye geri uyumludur.hedef zamanlaması 13-13-13 ve tüm üç parametre tRCD ile, tRP ve CL 13,91 ns'e eşittir ve CL=11 (-125 ile 1600 MT/s'ye geri uyumludur. -125 hız derecesinin 1600 MT/s'lik bir veri hızı, 11-11-11'lik bir hedef zamanlaması ve tRCD, tRP,Ve CL 13'te..75 ns.

Tablo 2 üç farklı bellek yapılandırması için adresleme parametrelerini özetler: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 ve 256 Meg x 16. 1 Gig x 4 yapılandırması için 128 Meg x 4 x 8 banka,8K yenilenme sayısıyla, A'yı kapsayan 64K satır adresi[15:0], BA'yı kullanan 8 banka adresi[2:0], A'yı kapsayan 2K sütun adresi[11, 9:0] ve 1KB sayfa boyutu.512 Meg x 8 konfigürasyonu 64 Meg x 8 x 8 banka olarak yapılandırılmıştır, 1 Gig x 4 varyantı ile aynı 8K yenilenme sayısını, 64K satır adresini (A[15:0]), ve 8 banka adresini (BA[2:0]) paylaşıyor. 1K sütun adresine (A[9:0]) ve 1KB sayfa boyutuna sahiptir.256 Meg x 16 yapılandırması 32 Meg x 16 x 8 banka yapısına sahiptir, aynı 8K yenileme sayısı ve 8 banka adresi (BA[2:0]), A'yı kapsayan 32K satır adresi[14:0), 1K sütun adresi (A[9:0]), ve daha büyük 2KB sayfa boyutu.

MT41K256M16TW-107:P Micron Çipleri 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Etiketler:

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

Ürün ayrıntıları

MT41K256M16TW-107:P Micron Çipleri 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri

TSLC Yarı İletken LED Lamba Boncukları

Yüksek Güçlü Led Çip

OSRAM LED ÇİPİ

Cree Led çip

ST IC çipleri

TI çipleri

bridgelux LED çip

Infineon Çip

LUMINUS LED Çip

LED lamba yuvası

SAMSUNG Entegre Devreleri

Mikron çipleri

SK Hynix Çipleri

Lumileds LED Çip

SAMSUNG LED Çip

SEOUL LED Çip

NICHIA LED Çip

NeXperia Cips

ONsemi Çipleri

ADI çipleri