Name: MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866
Brand: Shenzhen Futeming Photoelectric Technology Co., Ltd.
SKU: MT41K256M16TW-107:P
Price: Negociable USD
Availability: InStock

Nombre De La Marca:	Micron
Número De Modelo:	MT41K256M16TW-107:P
Cantidad Mínima De Pedido:	100
Condiciones De Pago:	T/T

Información detallada

Descripción del Producto

Información detallada

Lugar de origen:

China

Densidad total:

4GB

modelo:

MT41K1G4, MT41K512M8, MT41K256M16

Bancos Internos:

Temperatura de funcionamiento:

Comercial: 0°C a +95°C; Industrial (TI): -40°C a +95°C

Características:

Nivelación de escritura, registro multipropósito, calibración del controlador de salida

Nombre del producto:

Micrón

Capacidad de la fuente:

1000000

Resaltar:

MT41K256M16TW-107:P

MT41K256M16TW Micron Chips

1.35V DDR3L SDRAM

Descripción del Producto

Micron chips MT41K256M16TW-107:P DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Descripción

DDR3L SDRAM (1.35V) es una versión de bajo voltaje de

DDR3 (1.5V) SDRAM. Consulte la hoja de datos de

DDR3 (1.5V) SDRAM (Rev. Die: E) cuando opere en

modo compatible con 1.5V.

Características

• VDD = VDDQ = 1.35V (1.283–1.45V)

• Compatible con versiones anteriores a VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V

– Admite dispositivos DDR3L para ser compatibles con versiones anteriores en aplicaciones de 1.5V

• Estroboscopio de datos diferencial bidireccional

• Arquitectura de prelectura de 8n bits

• Entradas de reloj diferencial (CK, CK#)

• 8 bancos internos

• Terminación nominal y dinámica en chip (ODT)

para señales de datos, estroboscópicas y de máscara

• Latencia programable de CAS (LECTURA) (CL)

• Latencia aditiva de CAS publicada programable (AL)

• Latencia programable de CAS (ESCRITURA) (CWL)

• Longitud de ráfaga fija (BL) de 8 y corte de ráfaga (BC) de 4

(a través del conjunto de registros de modo [MRS])

• BC4 o BL8 seleccionable sobre la marcha (OTF)

• Modo de autorrefresco

• TC de 0°C a +95°C

– 64 ms, 8192 ciclos de refresco a 0°C a +85°C

– 32 ms a +85°C a +95°C

• Temperatura de autorrefresco (SRT)

• Autorrefresco automático (ASR)

• Nivelación de escritura

• Registro multipropósito

• Calibración del controlador de salida

Opciones

Configuración

1 Gig x 4 → Marcado: 1G4

512 Meg x 8 → Marcado: 512M8

256 Meg x 16 → Marcado: 256M16

Paquete FBGA (sin plomo) – x4, x8

78 bolas (8 mm x 10.5 mm) Rev. P → Marcado: DA

Paquete FBGA (sin plomo) – x16

96 bolas (8 mm x 14 mm) Rev. P → Marcado: TW

Temporización – tiempo de ciclo

938 ps @ CL = 14 (DDR3-2133) → Marcado: -093

1.07 ns @ CL = 13 (DDR3-1866) → Marcado: -107

1.25 ns @ CL = 11 (DDR3-1600) → Marcado: -125

Opciones especiales

Producto de ciclo de vida premium (PLP) → Marcado: X

Temperatura de funcionamiento

Comercial (0°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Marcado: Ninguno

Industrial (–40°C ≤ T_C ≤ +95°C) → Marcado: IT

Revisión

→ Marcado: P

La Tabla 1 presenta los parámetros de temporización clave para diferentes grados de velocidad de memoria. El grado de velocidad -093, que admite una velocidad de datos de 2133 MT/s, presenta una temporización objetivo tRCD-tRP-CL de 14-14-14, con cada uno de tRCD, tRP y CL medido en 13.09 ns, y es compatible con versiones anteriores a 1866 MT/s con CL=13 (-107) y también a 1600 MT/s con CL=11 (-125). El grado de velocidad -107 opera a una velocidad de datos de 1866 MT/s, con una temporización objetivo de 13-13-13 y los tres parámetros tRCD, tRP y CL iguales a 13.91 ns, y es compatible con versiones anteriores a 1600 MT/s con CL=11 (-125). El grado de velocidad -125 tiene una velocidad de datos de 1600 MT/s, una temporización objetivo de 11-11-11 y tRCD, tRP y CL todos a 13.75 ns.

La Tabla 2 describe los parámetros de direccionamiento para tres configuraciones de memoria diferentes: 1 Gig x 4, 512 Meg x 8 y 256 Meg x 16. Para la configuración de 1 Gig x 4, la estructura es 128 Meg x 4 x 8 bancos, con un recuento de refresco de 8K, una dirección de fila de 64K que abarca A[15:0], una dirección de 8 bancos que utiliza BA[2:0], una dirección de columna de 2K que cubre A[11, 9:0] y un tamaño de página de 1 KB. La configuración de 512 Meg x 8 está estructurada como 64 Meg x 8 x 8 bancos, compartiendo el mismo recuento de refresco de 8K, dirección de fila de 64K (A[15:0]) y dirección de 8 bancos (BA[2:0]) que la variante de 1 Gig x 4, al tiempo que presenta una dirección de columna de 1K (A[9:0]) y un tamaño de página de 1 KB. La configuración de 256 Meg x 16 tiene una estructura de 32 Meg x 16 x 8 bancos, un recuento de refresco de 8K idéntico y una dirección de 8 bancos (BA[2:0]), una dirección de fila de 32K que abarca A[14:0], una dirección de columna de 1K (A[9:0]) y un tamaño de página de 2 KB.

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

Etiquetas:

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

Detalles de los productos

MT41K256M16TW-107:P Micron Chips 1.35V DDR3L 512MB 96-ball FBGA PC3L-1866

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI

TSLC Semileds Cuentas de Lámpara LED

Chip LED de alta potencia

CHIP LED OSRAM

Microprocesador del Cree LED

chips IC ST

chips TI

Chip LED de Bridgelux

Chip Infineon

Chip LED LUMINOSO

Gotas de la lámpara del LED

Chips de circuito integrado de SAMSUNG

chips de micras

Chips SK Hynix

Chip LED LumiLED

Chip LED SAMSUNG

Chip LED SEOUL

Chip LED de NICHIA

Chips NeXperia

ONsemi Chips

chips ADI