|
| ชื่อแบรนด์: | TI Chips |
| หมายเลขรุ่น: | LMG3410R070RWHR |
| ขั้นต่ำ: | 2000 |
| รายละเอียดบรรจุภัณฑ์: | 2000pcs/reel |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | ที/ที |
TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN พร้อมไดรเวอร์และระบบป้องกันในตัว
คุณสมบัติ
• TIGaNProcess ผ่านการรับรองด้วยการเร่งความเร็ว
ความน่าเชื่อถือในการใช้งานจริง
โปรไฟล์
• ช่วยให้การออกแบบการแปลงพลังงานมีความหนาแน่นสูง - ประสิทธิภาพระบบที่เหนือกว่าเมื่อเทียบกับ Cascode
หรือ GaN FET แบบสแตนด์อโลน - แพ็คเกจ QFN ขนาด 8 มม. x 8 มม. ที่มีค่าความเหนี่ยวนำต่ำสำหรับ
ความง่ายในการออกแบบและเลย์เอาต์ - กำลังขับที่ปรับได้สำหรับประสิทธิภาพการสลับ
และการควบคุม EMI - สัญญาณเอาต์พุตสถานะข้อผิดพลาดแบบดิจิทัล - ต้องการเพียงแหล่งจ่ายไฟ +12 V แบบไม่ปรับแรงดัน
• ไดรเวอร์เกตในตัว - ค่าความเหนี่ยวนำร่วมเป็นศูนย์
ความล่าช้าในการแพร่กระจาย 20ns สำหรับการทำงานระดับ MHz - แรงดันไบอัสเกตที่ปรับตามกระบวนการเพื่อความน่าเชื่อถือ<100ns Response–>อัตราการเปลี่ยนแปลงที่ผู้ใช้ปรับได้ตั้งแต่ 25 ถึง 100V/ns
• การป้องกันที่แข็งแกร่ง
ไม่จำเป็นต้องใช้อุปกรณ์ป้องกันภายนอก
การป้องกันกระแสเกินด้วย
ภูมิคุ้มกันอัตราการเปลี่ยนแปลง 150V/ns
ภูมิคุ้มกันแรงดันเกินชั่วคราว
การป้องกันอุณหภูมิเกิน
การป้องกัน UVLO บนรางจ่ายไฟทั้งหมด
• ตัวเลือกอุปกรณ์:
LMG3410R070: การป้องกันกระแสเกินแบบ Latched
LMG3411R070: การป้องกันกระแสเกินแบบ Cycle-by-cycle
แอปพลิเคชัน
• แหล่งจ่ายไฟอุตสาหกรรมและสำหรับผู้บริโภคที่มีความหนาแน่นสูง
แหล่งจ่ายไฟ
• ตัวแปลงแบบหลายระดับ
• อินเวอร์เตอร์โซลาร์เซลล์
• ไดรฟ์มอเตอร์อุตสาหกรรม
• แหล่งจ่ายไฟสำรอง
• เครื่องชาร์จแบตเตอรี่แรงดันสูง
คำอธิบาย
LMG341xR070 GaN power stage พร้อมไดรเวอร์
และระบบป้องกันในตัว ช่วยให้นักออกแบบบรรลุ
ระดับความหนาแน่นของพลังงานและประสิทธิภาพใหม่ในระบบ
อิเล็กทรอนิกส์กำลัง LMG341x มีข้อได้เปรียบโดยธรรมชาติ
เหนือกว่าซิลิคอน MOSFET ได้แก่ ค่าความจุอินพุตและเอาต์พุตที่ต่ำมาก
การกู้คืนย้อนกลับเป็นศูนย์
เพื่อลดการสูญเสียการสลับได้ถึง 80% และ
การสั่นของโหนดสวิตช์ที่ต่ำเพื่อลด EMI
ข้อได้เปรียบเหล่านี้ช่วยให้สามารถสร้างโทโพโลยีที่หนาแน่นและมีประสิทธิภาพ เช่น
โทโพโลยีโทเท็ม-โพล์ PFC<100 ns current limiting self-protects against
LMG341xR070 เป็นทางเลือกที่ชาญฉลาดแทน
GaN แบบ cascode แบบดั้งเดิมและ GaN FET แบบสแตนด์อโลน
โดยการรวมชุดคุณสมบัติที่เป็นเอกลักษณ์เพื่อลดความซับซ้อนของการออกแบบ เพิ่มความน่าเชื่อถือสูงสุด และปรับปรุงประสิทธิภาพ
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia