LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Geïntegreerde Driver Bescherming

TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN met Geïntegreerde Driver en Beveiliging

Functies
• TIGaNProcess Gekwalificeerd Door Versnelde
Betrouwbaarheid In-applicatie Hard-switching Missie
Profielen
• Maakt Ontwerpen voor Hoge Dichtheid Vermogensconversie Mogelijk– Superieure Systeemprestaties Boven Cascode
of Stand-alone GaN FETs– Laag-inductief 8 mm x 8 mm QFN-pakket voor
Eenvoudig Ontwerp en Layout– Instelbare Rijsterkte voor Schakelprestaties
en EMI-regeling– Digitaal Foutstatus Uitgangssignaal– Alleen +12 V Ongereguleerde Voeding Nodig
• Geïntegreerde Gate Driver– Nul Common Source Inductie– 20ns Voortplantingsvertraging voor MHz-werking– Proces-afgestelde Gate Bias Spanning voor Betrouwbaarheid– 25 tot 100V/ns Door de Gebruiker Instelbare Slew Rate
• Robuuste Beveiliging– Vereist Geen Externe Beveiligingscomponenten– Overstroombeveiliging met<100ns Response–>150V/ns Slew Rate Immuniteit– Transiënte Overspanningsimmuniteit– Overtemperatuurbeveiliging– UVLO-beveiliging op Alle Voedingsrails
• Apparaatopties:– LMG3410R070: Vergrendelde Overstroom
Beveiliging– LMG3411R070: Cyclus-voor-cyclus Overstroom
Beveiliging

 Toepassingen
• Hoge Dichtheid Industriële en Consumenten Voedingen
Voedingen
• Multi-level Converters
• Zonne-omvormers
• Industriële Motoraandrijvingen
• Ononderbroken Stroomvoorzieningen
• Hoge Spanning Batterijladers

Beschrijving
Het LMG341xR070 GaN-vermogenstrap met geïntegreerde
driver en beveiliging stelt ontwerpers in staat om
nieuwe niveaus van vermogensdichtheid en efficiëntie te bereiken in vermogens
elektronica-systemen. De inherente voordelen van de LMG341x
ten opzichte van silicium MOSFETs omvatten ultra-lage
ingangs- en uitgangscapaciteit, nul omgekeerde herstel
om schakelverliezen tot wel 80% te verminderen, en
lage schakelknoop-ringing om EMI te verminderen. Deze
voordelen maken dichte en efficiënte topologieën mogelijk, zoals
de totem-pole PFC.
De LMG341xR070 biedt een slim alternatief voor
traditionele cascode GaN en standalone GaN FETs
door een unieke set functies te integreren om het
ontwerp te vereenvoudigen, de betrouwbaarheid te maximaliseren en de
prestaties van elke voeding te optimaliseren. Geïntegreerde gate
drive maakt 100V/ns schakelen mogelijk met bijna nul Vds
ringing,<100 ns current limiting self-protects against
onbedoelde doorslaggebeurtenissen, Overtemperatuur
uitschakeling voorkomt thermische runaway, en systeem
interface signalen bieden zelfbewakingsmogelijkheden.