LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ Driver GaN Integrato con Protezione

TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN con Driver e Protezione Integrati

Caratteristiche
• Qualificato TIGaNProcess tramite accelerato
Affidabilità in applicazioni di commutazione dura
Profili
• Abilita progetti di conversione di potenza ad alta densità – Prestazioni di sistema superiori rispetto ai FET GaN Cascode
o Stand-alone – Pacchetto QFN da 8 mm x 8 mm a bassa induttanza per
Facilità di progettazione e layout – Forza di pilotaggio regolabile per le prestazioni di commutazione
e controllo EMI – Segnale di stato di guasto digitale in uscita – Necessaria solo alimentazione non regolata da +12 V
• Driver di gate integrato – Induttanza di sorgente comune zero – Ritardo di propagazione di 20 ns per operazioni a MHz – Tensione di bias di gate ottimizzata per l'affidabilità – Velocità di variazione regolabile dall'utente da 25 a 100 V/ns
• Protezione robusta – Non richiede componenti di protezione esterni – Protezione da sovracorrente con<100ns Response–>immunità alla velocità di variazione di 150 V/ns – Immunità alla sovratensione transitoria – Protezione da sovratemperatura – Protezione UVLO su tutti i rail di alimentazione
• Opzioni del dispositivo: – LMG3410R070: sovracorrente latched
Protezione – LMG3411R070: sovracorrente ciclo per ciclo
Protezione

 Applicazioni
• Alimentatori industriali e consumer ad alta densità
Alimentatori
• Convertitori multilivello
• Inverter solari
• Azionamenti per motori industriali
• Gruppi di continuità
• Caricabatterie ad alta tensione

Descrizione
Lo stadio di potenza GaN LMG341xR070 con driver
integrato e protezione consente ai progettisti di raggiungere
nuovi livelli di densità di potenza ed efficienza nei sistemi
di elettronica di potenza. I vantaggi intrinseci
dell'LMG341x rispetto ai MOSFET al silicio includono capacità
di ingresso e uscita ultra-basse, recupero inverso zero
per ridurre le perdite di commutazione fino all'80% e
basso ringing del nodo di commutazione per ridurre l'EMI.
Questi vantaggi consentono topologie dense ed efficienti come
il PFC totem-pole.
L'LMG341xR070 offre un'alternativa intelligente ai
tradizionali FET GaN cascode e GaN standalone
integrando un set unico di funzionalità per semplificare
la progettazione, massimizzare l'affidabilità e ottimizzare le
prestazioni di qualsiasi alimentatore. Il pilotaggio di gate integrato
consente una commutazione di 100 V/ns con ringing Vds quasi zero,
eventi di shoot-through involontari, lo spegnimento per sovratemperatura<100 ns current limiting self-protects against
previene la fuga termica e i segnali di interfaccia di sistema
forniscono capacità di auto-monitoraggio.