TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Driver Integrado com Proteção

TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN com Driver e Proteção Integrados

Recursos
• Qualificado pelo Processo TIGaN Através de Acelerado
Confiabilidade em Missão de Comutação Dura em Aplicação
Perfis
• Permite Projetos de Conversão de Potência de Alta Densidade– Desempenho Superior do Sistema em Comparação com Cascode
ou FETs GaN Autônomos– Pacote QFN de 8 mm x 8 mm de Baixa Indutância para
Facilidade de Projeto e Layout– Força de Acionamento Ajustável para Comutação
Controle de Desempenho e EMI– Sinal Digital de Saída de Status de Falha– Apenas Fonte de Alimentação Não Regulada de +12 V Necessária
• Driver de Gate Integrado– Indutância de Fonte Comum Zero– Atraso de Propagação de 20ns para Operação de MHz– Tensão de Polarização de Gate Sintonizada pelo Processo para Confiabilidade– Taxa de Variação Ajustável pelo Usuário de 25 a 100 V/ns
• Proteção Robusta– Não Requer Componentes de Proteção Externos– Proteção Contra Sobrecorrente com<100ns Response–>Imunidade à Taxa de Variação de 150 V/ns– Imunidade a Sobretensão Transitória– Proteção Contra Sobretremperatura– Proteção UVLO em Todos os Barramentos de Alimentação
• Opções de Dispositivo:– LMG3410R070: Sobrecorrente Travada
Proteção– LMG3411R070: Sobrecorrente Ciclo a Ciclo
Proteção

 Aplicações
• Fontes de Alimentação Industriais e de Consumo de Alta Densidade
• Conversores Multinível
• Inversores Solares
• Acionamentos de Motor Industrial
• Fontes de Alimentação Ininterruptas
• Carregadores de Bateria de Alta Tensão
Descrição

O estágio de potência GaN LMG341xR070 com driver
e proteção integrados permite que os projetistas alcancem
novos níveis de densidade de potência e eficiência em
sistemas de eletrônica de potência. As vantagens
inerentes do LMG341x sobre os MOSFETs de silício incluem
capacitância de entrada e saída ultrabaixa, recuperação
reversa zero para reduzir as perdas de comutação em até 80%
e baixo ripple do nó de comutação para reduzir a EMI.
Essas vantagens permitem topologias densas e eficientes
como o PFC totem-pole.
O LMG341xR070 oferece uma alternativa inteligente aos
FETs GaN cascode tradicionais e FETs GaN autônomos
ao integrar um conjunto exclusivo de recursos para simplificar
o projeto, maximizar a confiabilidade e otimizar o
desempenho de qualquer fonte de alimentação. O driver
de gate integrado permite comutação de 100 V/ns com
ripple Vds próximo de zero,
eventos de shoot-through não intencionais, desligamento<100 ns current limiting self-protects against
por sobretemperatura evita fuga térmica e os sinais
de interface do sistema fornecem capacidade de aut Moni
toramento.