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Einzelheiten zu den Produkten

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TI-Chips
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LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN integrierter Treiber mit Schutz

LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN integrierter Treiber mit Schutz

Markenname: TI Chips
Modellnummer: LMG3410R070RWHR
Mindestbestellmenge: 2000
Verpackungsdetails: 2000pcs/Rolle
Zahlungsbedingungen: T/T
Detailinformationen
Herkunftsort:
China
Produktname:
TI-Chips
Modell:
LMG3410R070RWHR
Typ:
SMD/SMT
Betriebsnetz -Versorgungsspannung:
12 V
Verkapselung:
Spule
Anzahl der Ausgänge:
1 Ausgang
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
1000000
Hervorheben:

LMG3410R070RWHR GaN-Treiber

,

TI Chips Integrierter GaN-Treiber

,

600V GaN-Treiber

Produktbeschreibung

TI-Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz


Eigenschaften
• TIGaNProzess qualifiziert durch beschleunigte
Zuverlässigkeit in der Anwendung
Profile
• Ermöglicht Hochdichte-Leistungsumwandlungskonzepte – überlegene Systemleistung gegenüber Cascode
oder eigenständige GaN-FETs mit geringer Induktivität 8 mm x 8 mm
Einfache Konstruktion und Layout  Einstellbare Antriebsstärke für den Wechsel
Leistungs- und EMI-Kontrolle – Digitales Ausgangssignal für den Fehlerstatus – Nur +12 V unregulierte Versorgung erforderlich
• Integrierter Gate-Treiber – Null gemeinsame Quellinduktivität – 20nsVerbreitungsverzögerung für den MHz-Betrieb – Prozess abgestimmte Gate-Bias-Spannung für Zuverlässigkeit – 25 bis 100V/ns Benutzerverstellbare Schleifgeschwindigkeit
• Robust Protection– Requires No External Protection Components– Over-current Protection with <100ns Response– >150V/ns Slew Rate Immunity– Transient Overvoltage Immunity– Overtemperature Protection– UVLOProtection on All Supply Rails
• Gerätemöglichkeiten: LMG3410R070: Verriegelter Überstrom
Schutz ◄ LMG3411R070: Zyklusweise Überstrom
Schutz


 Anwendungen
• Industrie- und Verbraucherkraft mit hoher Dichte
Lieferungen
• Mehrstufekonverter
• Solarumrichter
• Industrielle Antriebe
• Ununterbrochene Stromversorgung
• Hochspannungs-Ladegeräte


Beschreibung
Die LMG341xR070 GaN-Leistungsstufe mit
Der Antrieb und der Schutz ermöglichen es
neue Leistungsdichte und Effizienz
Die LMG341x ist mit der
Vorteile gegenüber Silizium-MOSFETs sind:
Eingangs- und Ausgangskapazität, Rückgewinnung von null
die Umschaltverluste um bis zu 80% zu reduzieren und
Die EMI-Einstellungen werden durch eine niedrige Schaltknotenlänge reduziert.
Vorteile ermöglichen dichte und effiziente Topologien wie
die PFC mit Totempfahl.
Die LMG341xR070 bietet eine intelligente Alternative zu
traditionelle GaN-FET mit Kaskoden und eigenständige GaN-FET
Einheitliche Funktionen zur Vereinfachung
Die Entwicklung von
Leistungsfähigkeit jeder Stromversorgung
Antrieb ermöglicht 100V/ns Schaltvorgang bei nahezu null Vds
Klingeln, < 100 ns begrenzender Strom Selbstschutz gegen
Unerwünschte Durchschussereignisse, Übertemperatur
Abschaltung verhindert thermische Auslauf, und System
Schnittstellensignale bieten eine Selbstüberwachung.


LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN integrierter Treiber mit Schutz


LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN integrierter Treiber mit Schutz

LMG3410R070RWHR TI Chips LMG341xR070 600V 70mΩ GaN integrierter Treiber mit Schutz