| Markenname: | TI Chips |
| Modellnummer: | LMG3410R070RWHR |
| Mindestbestellmenge: | 2000 |
| Verpackungsdetails: | 2000pcs/Rolle |
| Zahlungsbedingungen: | T/T |
TI-Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz
Eigenschaften
• TIGaNProzess qualifiziert durch beschleunigte
Zuverlässigkeit in der Anwendung
Profile
• Ermöglicht Hochdichte-Leistungsumwandlungskonzepte überlegene Systemleistung gegenüber Cascode
oder eigenständige GaN-FETs mit geringer Induktivität 8 mm x 8 mm
Einfache Konstruktion und Layout Einstellbare Antriebsstärke für den Wechsel
Leistungs- und EMI-Kontrolle Digitales Ausgangssignal für den Fehlerstatus Nur +12 V unregulierte Versorgung erforderlich
• Integrierter Gate-Treiber Null gemeinsame Quellinduktivität 20nsVerbreitungsverzögerung für den MHz-Betrieb Prozess abgestimmte Gate-Bias-Spannung für Zuverlässigkeit 25 bis 100V/ns Benutzerverstellbare Schleifgeschwindigkeit
• Robust Protection– Requires No External Protection Components– Over-current Protection with <100ns Response– >150V/ns Slew Rate Immunity– Transient Overvoltage Immunity– Overtemperature Protection– UVLOProtection on All Supply Rails
• Gerätemöglichkeiten: LMG3410R070: Verriegelter Überstrom
Schutz ◄ LMG3411R070: Zyklusweise Überstrom
Schutz
Anwendungen
• Industrie- und Verbraucherkraft mit hoher Dichte
Lieferungen
• Mehrstufekonverter
• Solarumrichter
• Industrielle Antriebe
• Ununterbrochene Stromversorgung
• Hochspannungs-Ladegeräte
Beschreibung
Die LMG341xR070 GaN-Leistungsstufe mit
Der Antrieb und der Schutz ermöglichen es
neue Leistungsdichte und Effizienz
Die LMG341x ist mit der
Vorteile gegenüber Silizium-MOSFETs sind:
Eingangs- und Ausgangskapazität, Rückgewinnung von null
die Umschaltverluste um bis zu 80% zu reduzieren und
Die EMI-Einstellungen werden durch eine niedrige Schaltknotenlänge reduziert.
Vorteile ermöglichen dichte und effiziente Topologien wie
die PFC mit Totempfahl.
Die LMG341xR070 bietet eine intelligente Alternative zu
traditionelle GaN-FET mit Kaskoden und eigenständige GaN-FET
Einheitliche Funktionen zur Vereinfachung
Die Entwicklung von
Leistungsfähigkeit jeder Stromversorgung
Antrieb ermöglicht 100V/ns Schaltvorgang bei nahezu null Vds
Klingeln, < 100 ns begrenzender Strom Selbstschutz gegen
Unerwünschte Durchschussereignisse, Übertemperatur
Abschaltung verhindert thermische Auslauf, und System
Schnittstellensignale bieten eine Selbstüberwachung.
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