logo
سعر جيد  متصل

تفاصيل المنتجات

Created with Pixso. المنزل Created with Pixso. المنتجات Created with Pixso.
رقائق تي آي
Created with Pixso.

LMG3410R070RWHR TI شرائح LMG341xR070 600 فولت 70 متر مربع GaN مشغل متكامل للحماية

LMG3410R070RWHR TI شرائح LMG341xR070 600 فولت 70 متر مربع GaN مشغل متكامل للحماية

اسم العلامة التجارية: TI Chips
رقم الموديل: LMG3410R070RWHR
موك: 2000
تفاصيل التغليف: 2000pcs/بكرة
شروط الدفع: تي/تي
معلومات مفصلة
مكان المنشأ:
الصين
اسم المنتج:
رقائق تي آي
نموذج:
LMG3410R070RWHR
يكتب:
سمد/سمت
جهد إمدادات الطاقة التشغيلية:
12 فولت
التغليف:
بكرة
عدد المخرجات:
1 الإخراج
القدرة على العرض:
1000000
إبراز:

LMG3410R070RWHR GaN Driver

,

TI شرائح GaN Driver متكامل

,

600 فولت GaN Driver

وصف المنتج

رقائق TI LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600 فولت 70 ميجا أوم GaN مع مشغل وحماية مدمجين


الميزات
• مؤهل عملية TIGaN من خلال التسريع
الموثوقية في تطبيقات التبديل الصعبة
الملفات الشخصية
• يتيح تصميمات تحويل الطاقة عالية الكثافة - أداء نظام فائق على الكاسكود
أو رقائق GaN المستقلة - حزمة QFN منخفضة الحث 8 مم × 8 مم لـ
سهولة التصميم والتخطيط - قوة قيادة قابلة للتعديل للتبديل
التحكم في الأداء والتداخل الكهرومغناطيسي - إشارة رقمية لحالة الخطأ - مطلوب فقط مصدر طاقة غير منظم +12 فولت
• مشغل بوابة مدمج - حث مصدر مشترك صفر
تأخير انتشار 20 نانو ثانية لعمليات ميجا هرتز - جهد انحياز بوابة مضبوط حسب العملية للموثوقية - معدل تغير قابل للتعديل من قبل المستخدم من 25 إلى 100 فولت/نانو ثانية<100ns Response–>• حماية قوية - لا تتطلب مكونات حماية خارجية - حماية من التيار الزائد مع
حصانة معدل تغير 150 فولت/نانو ثانية - حصانة الجهد الزائد العابر - حماية من درجة الحرارة الزائدة - حماية من انخفاض الجهد على جميع مسارات الإمداد
• خيارات الجهاز: - LMG3410R070: تيار زائد مقفل
الحماية - LMG3411R070: تيار زائد دورة بدورة


 الحماية
التطبيقات
• إمدادات طاقة صناعية واستهلاكية عالية الكثافة
• محولات متعددة المستويات
• عواكس شمسية
• محركات صناعية
• إمدادات طاقة غير قابلة للانقطاع
• شواحن بطاريات عالية الجهد


الوصف
مرحلة طاقة GaN LMG341xR070 مع مشغل
وحماية مدمجين تمكن المصممين من تحقيق
مستويات جديدة من كثافة الطاقة والكفاءة في الطاقة
أنظمة الإلكترونيات. مزايا LMG341x المتأصلة
على MOSFETs السيليكون تشمل السعة
المدخلات والمخرجات المنخفضة للغاية، عدم وجود استعادة عكسية
لتقليل خسائر التبديل بما يصل إلى 80%، و
تذبذب عقدة التبديل المنخفض لتقليل التداخل الكهرومغناطيسي. هذه
المزايا تمكن طوبولوجيا كثيفة وفعالة مثل
PFC ذو الطوق.
يوفر LMG341xR070 بديلاً ذكيًا لـ
رقائق GaN التقليدية ذات الكاسكود ورقائق GaN المستقلة
من خلال دمج مجموعة فريدة من الميزات لتبسيط
التصميم، وزيادة الموثوقية، وتحسين
أداء أي مصدر طاقة. مشغل البوابة المدمج
يمكّن التبديل بسرعة 100 فولت/نانو ثانية مع شبه صفر Vds
تذبذب،<100 ns current limiting self-protects against
أحداث إطلاق نار غير مقصودة، إيقاف التشغيل بسبب درجة الحرارة الزائدة يمنع الهروب الحراري، وإشارات واجهة النظام توفر قدرة المراقبة الذاتية.


LMG3410R070RWHR TI شرائح LMG341xR070 600 فولت 70 متر مربع GaN مشغل متكامل للحماية


LMG3410R070RWHR TI شرائح LMG341xR070 600 فولت 70 متر مربع GaN مشغل متكامل للحماية

LMG3410R070RWHR TI شرائح LMG341xR070 600 فولت 70 متر مربع GaN مشغل متكامل للحماية