LMG3410R070RWHR TI Chip LMG341xR070 600V 70mΩ GaN Perlindungan Driver Terintegrasi

TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN dengan Driver dan Perlindungan Terintegrasi

Fitur
• TIGaNProcess Lulus Melalui Akselerasi
Keandalan Dalam-aplikasi Misi Hard-switching
Profil
• Memungkinkan Desain Konversi Daya Kepadatan Tinggi – Kinerja Sistem Unggul Dibandingkan Cascode
atau FET GaN Mandiri – Paket QFN 8mm x 8mm Induktansi Rendah untuk
Kemudahan Desain, dan Tata Letak – Kekuatan Drive yang Dapat Disesuaikan untuk Switching
Kinerja dan Kontrol EMI – Sinyal Output Status Kesalahan Digital – Hanya Pasokan +12 V Tanpa Regulasi yang Dibutuhkan
• Driver Gerbang Terintegrasi – Induktansi Sumber Umum Nol
– Penundaan Propagasi 20ns untuk Operasi MHz<100ns Response–>– Tegangan Bias Gerbang yang Disesuaikan Proses untuk Keandalan
– Laju Perubahan yang Dapat Disesuaikan Pengguna 25 hingga 100V/ns
• Perlindungan Kuat
– Tidak Memerlukan Komponen Perlindungan Eksternal

 – Perlindungan Arus Berlebih dengan
Kekebalan Laju Perubahan 150V/ns
– Kekebalan Tegangan Berlebih Transien
– Perlindungan Suhu Berlebih
– Perlindungan UVLO pada Semua Rel Pasokan
• Opsi Perangkat:
– LMG3410R070: Perlindungan Arus Berlebih yang Terkunci
– LMG3411R070: Perlindungan Arus Berlebih Siklus-demi-siklus

Aplikasi
• Pasokan Daya Industri dan Konsumen Kepadatan Tinggi
• Konverter Multi-level
• Inverter Surya
• Penggerak Motor Industri
• Pasokan Daya Tak Terputus
• Pengisi Daya Baterai Tegangan Tinggi
Deskripsi
Tahap daya GaN LMG341xR070 dengan driver dan
perlindungan terintegrasi memungkinkan desainer untuk mencapai
tingkat kepadatan daya dan efisiensi baru dalam sistem
elektronik daya. Keunggulan inheren LMG341x
dibandingkan MOSFET silikon termasuk kapasitansi
input dan output yang sangat rendah, pemulihan terbalik nol
untuk mengurangi kerugian switching hingga 80%, dan
dering node sakelar yang rendah untuk mengurangi EMI.
Keunggulan ini memungkinkan topologi yang padat dan
efisien seperti totem-pole PFC.<100 ns current limiting self-protects against
LMG341xR070 menyediakan alternatif cerdas untuk
FET GaN cascode tradisional dan FET GaN mandiri
dengan mengintegrasikan seperangkat fitur unik untuk menyederhanakan