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| 브랜드 이름: | TI Chips |
| 모델 번호: | LMG3410R070RWHR |
| MOQ: | 2000 |
| 포장 세부사항: | 2000pcs/릴 |
| 지불 조건: | 티/티 |
TI 칩 LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600V 70mΩ 통합 드라이버 및 보호 기능이 있는 GaN
기능
• 가속화된 신뢰성 테스트를 통해 TIGaN 공정 인증
애플리케이션 내 하드 스위칭 미션
프로파일
• 고밀도 전력 변환 설계 가능 – 캐스코드 또는 독립형 GaN FET 대비 우수한 시스템 성능 – 설계 및 레이아웃 용이성을 위한 저인덕턴스 8mm x 8mm QFN 패키지 – 스위칭 성능 및 EMI 제어를 위한 조정 가능한 드라이브 강도 – 디지털 고장 상태 출력 신호 – +12V 비정규 전원만 필요
• 통합 게이트 드라이버 – 제로 공통 소스 인덕턴스 – MHz 작동을 위한 20ns 전파 지연 – 신뢰성을 위한 공정 조정 게이트 바이어스 전압 – 25~100V/ns 사용자 조정 슬루율
• 견고한 보호 기능 – 외부 보호 부품 불필요 – 150V/ns 슬루율 내성을 갖춘 과전류 보호 – 과전압 내성 – 과열 보호 – 모든 전원 레일의 UVLO 보호
• 장치 옵션: – LMG3410R070: 래치형 과전류 보호 – LMG3411R070: 사이클별 과전류 보호
애플리케이션
• 고밀도 산업 및 소비자 전원 공급 장치<100ns Response–>• 다중 레벨 컨버터
• 태양광 인버터
• 산업용 모터 드라이브
• 무정전 전원 공급 장치
• 고전압 배터리 충전기
설명
통합 드라이버 및 보호 기능이 있는 LMG341xR070 GaN 전력 스테이지는 설계자가 전력 전자 시스템에서 새로운 수준의 전력 밀도와 효율성을 달성할 수 있도록 합니다. LMG341x의 실리콘 MOSFET 대비 고유한 장점에는 초저 입력 및 출력 커패시턴스, 스위칭 손실을 최대 80%까지 줄이는 제로 역 복구, EMI를 줄이는 낮은 스위치 노드 링잉이 포함됩니다. 이러한 장점은 토템폴 PFC와 같은 밀집되고 효율적인 토폴로지를 가능하게 합니다.
LMG341xR070은 설계를 단순화하고 신뢰성을 극대화하며 모든 전원 공급 장치의 성능을 최적화하는 고유한 기능 세트를 통합하여 기존 캐스코드 GaN 및 독립형 GaN FET에 대한 스마트한 대안을 제공합니다. 통합 게이트 드라이브는 거의 제로 Vds 링잉으로 100V/ns 스위칭을 가능하게 하며, 의도하지 않은 슛스루 이벤트를 방지하고, 과열 차단은 열 폭주를 방지하며, 시스템 인터페이스 신호는 자체 모니터링 기능을 제공합니다.
<100 ns current limiting self-protects against
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