logo
قیمت خوب  آنلاین

جزئیات محصولات

Created with Pixso. خونه Created with Pixso. محصولات Created with Pixso.
تراشه های TI
Created with Pixso.

TI Chips LMG341xR070 600 ولت 70 میلی اهم GaN درایور یکپارچه محافظت شده

TI Chips LMG341xR070 600 ولت 70 میلی اهم GaN درایور یکپارچه محافظت شده

نام تجاری: TI Chips
شماره مدل: LMG3410R070RWHR
MOQ: 2000
جزئیات بسته بندی: 2000pcs/حلقه
شرایط پرداخت: T/T
اطلاعات جزئیات
محل منبع:
چین
نام محصول:
تراشه های TI
مدل:
LMG3410R070RWHR
تایپ کنید:
SMD/SMT
ولتاژ منبع تغذیه عملیاتی:
12 V
کپسولاسیون:
قرقره
تعداد خروجی ها:
1 خروجی
قابلیت ارائه:
1000000
برجسته کردن:

TI Chips LMG3410R070RWHR GaN Driver

,

TI Chips Integrated GaN Driver

,

600 ولت GaN Driver

توضیحات محصول

TI Chips LMG3410R070RWHR LMG341xR070 600-V 70-mΩ GaN با درایور و حفاظت یکپارچه


ویژگی ها
• فرآیند TIGaN واجد شرایط از طریق شتاب‌دهی
قابلیت اطمینان در پروفایل‌های ماموریت سوئیچینگ سخت در برنامه
• امکان طراحی‌های تبدیل توان با چگالی بالا – عملکرد برتر سیستم نسبت به Cascode
یا FET های GaN مستقل – بسته QFN کم‌القایی 8 میلی‌متر در 8 میلی‌متر برای
سهولت طراحی و چیدمان – قدرت درایو قابل تنظیم برای سوئیچینگ
عملکرد و کنترل EMI – سیگنال خروجی وضعیت خطای دیجیتال – فقط به منبع تغذیه +12 ولت تنظیم نشده نیاز دارد
• درایور گیت یکپارچه – اندوکتانس منبع مشترک صفر – تأخیر انتشار 20 نانوثانیه برای عملیات مگاهرتز – ولتاژ بایاس گیت تنظیم شده با فرآیند برای قابلیت اطمینان – نرخ افزایش قابل تنظیم توسط کاربر 25 تا 100 ولت بر نانوثانیه
• حفاظت قوی – نیازی به قطعات حفاظتی خارجی ندارد – حفاظت در برابر جریان بیش از حد با
ایمنی نرخ افزایش 150 ولت بر نانوثانیه – ایمنی ولتاژ بیش از حد گذرا – حفاظت در برابر دمای بیش از حد – حفاظت UVLO در تمام ریل‌های منبع تغذیه<100ns Response–>• گزینه‌های دستگاه: – LMG3410R070: جریان بیش از حد قفل شده
حفاظت – LMG3411R070: جریان بیش از حد چرخه به چرخه
حفاظت
کاربردها


 • منابع تغذیه صنعتی و مصرفی با چگالی بالا
• مبدل‌های چند سطحی
• اینورترهای خورشیدی
• درایوهای موتور صنعتی
• منابع تغذیه بدون وقفه
• شارژرهای باتری ولتاژ بالا
توضیحات
مرحله توان GaN LMG341xR070 با درایور و حفاظت یکپارچه


به طراحان امکان می‌دهد به سطوح جدیدی از چگالی توان و راندمان در توان دست یابند
سیستم‌های الکترونیکی. مزایای ذاتی LMG341x نسبت به MOSFET های سیلیکونی شامل ظرفیت ورودی و خروجی بسیار کم، بازیابی معکوس صفر
برای کاهش تلفات سوئیچینگ تا 80 درصد، و
نوسان کم گره سوئیچ برای کاهش EMI. این
مزایا توپولوژی‌های متراکم و کارآمد مانند
PFC توتم-پل را امکان‌پذیر می‌سازد.
LMG341xR070 جایگزینی هوشمندانه برای
FET های GaN کاسکود سنتی و مستقل GaN
با ادغام مجموعه‌ای منحصر به فرد از ویژگی‌ها برای ساده‌سازی
طراحی، به حداکثر رساندن قابلیت اطمینان و بهینه‌سازی
عملکرد هر منبع تغذیه. درایو گیت یکپارچه
سوئیچینگ 100 ولت بر نانوثانیه را با Vds نزدیک به صفر امکان‌پذیر می‌سازد
نوسان، رویدادهای شوت-ترو ناخواسته، خاموش شدن دمای بیش از حد از فرار حرارتی جلوگیری می‌کند، و سیگنال‌های رابط سیستم قابلیت خود نظارتی را فراهم می‌کنند.




<100 ns current limiting self-protects against



TI Chips LMG341xR070 600 ولت 70 میلی اهم GaN درایور یکپارچه محافظت شده


TI Chips LMG341xR070 600 ولت 70 میلی اهم GaN درایور یکپارچه محافظت شده

TI Chips LMG341xR070 600 ولت 70 میلی اهم GaN درایور یکپارچه محافظت شده